电容降压整流电源电路通常用于低成本取得非隔离的小电流电源。输出电压一般为几伏到二三十伏，输出电流为几毫安到几十毫安，大多取决于所使用的稳压二极管。所能提供的电流大小与电容容量成正比。 图１电容降压半波整流电路 电容降压电源采用半波整流时,每微法电容可得到电流(平均值)为:(国际标准单位) I(AV) = 0.44*V/Zc = 0.44*220*2*Pi*f*C = 0.44*220*2*3.14*50*C = 30000C = 30000*0.000001 = 0.03A = 3
图１是电容降压电源中的基本形式。C1是降压电容，R1是关断电源后C1的储存电荷释放电阻，D2是半波整流二极管，D1在市电的负半周时给C1提供放电回路，D3是稳压二极管，C2是滤波电容。 图２是另一种电容降压电源的基本形式。它实际上是用图１中的稳压二极管直接取代了二极管D1，这样在市电负半周时稳压二极管正向导通给C1提供放电回路；在市电正半周时稳压二极管反向工作将输出电压稳定在允许范围内。 图３是采用全波整流的电容降压电源，它将市电的正负半周都利用起来，效率更高，可以提供比半波整流更大的电流。
电容降压的原理 电容降压的工作原理并不复杂。他的工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。例如，在50Hz的工频条件下，一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的交流电压加在电容器的两端，则流过电容的最大电流约为70mA。虽然流过电容的电流有70mA，但在电容器上并不产生功耗，应为如果电容是一个理想电容，则流过电容的电流为虚部电流，它所作的功为无功功率。 根据这个特点，我们如果在一个1uF的电容器上再串联一个阻性元件，则阻性元件两端所得到的电压
电容降压电源 这种巧妙的设计使用4个二极管桥产生一个固定的电压供电，能够提供35毫安电流。 电路中，我们用两个稳压二极管替换普通的功率二极管组成桥式整流，无论是正半周还是负半周，都有一个稳压二极管突破齐纳电压。如果我们使用18V稳压二极管，输出将稳定在17.4V。 2个0.47u电容器限制电流。 每个100n的电容，在全波（按照本电路）输出时，提供7毫安电流。 1u容量从理论上讲，电路将有70mA电流。 但我们发现输出电压下降前它将只提供35毫安的电流。 电容器应是X1或X2类安规电容。 10
该停电报警器无需电池供电，采用电容储能的方式在停电后向蜂鸣振荡器供电，使报警器在停电之后数分钟内可以发出嘟-嘟-的音频报警信号，提示值班人员及时处理。 图１ 不用电池的市电停电报警器电路原理图 图中，A2即与非门A-D组成两个频率不等的振荡器，电路起振时，压电陶瓷片B就会发出嘟-嘟报警声响。VD1-VD5、C1和C2组成电容降压桥式整流稳压电路，当220V电网正常供电时，C2两端输出15V左右的直流电。直流电一路经R1使LED发光，表示电网供电正常；另一路经R2注入光电耦合器A1的1脚，使
声控电路开关由声控电路、单稳延时电路和可控硅驱动电路组成。 电容降压整流电路为声控开关电路提供ＶDD＝６Ｖ直流电压。ＩＣ１采用专门的声控集成电路ＳＫ-Ⅰ，该集成电路内含双稳态触发器和三极放大器。平时，ＩＣ１的输出端９脚呈低电平；而当拾音器Ｂ收到击掌声等音响信号时，ＩＣ１内的双稳态翻转，９脚转呈高电平，ＶＴ１饱和导通，由于ＩＣ２（５５５）的２脚触发电平小于1/3ＶDD，则５５５置位，３脚呈高电平，ＳＣＲ触发导通，灯亮。 ５５５和Ｒ４、Ｃ４等组成单稳定时电路，定时时间即单稳态的暂稳时间ＴD
市电小夜灯 电路照亮一列10个高亮度白色发光二极管。10U电容防止闪烁，100R电阻也能减少闪烁。 注意： 电容降压，线路带电，务必做好绝缘处理。 图示电路工作于120V交流电源，如在220V交流电源上使用需调整元器件参数。
电风扇阵风控制器就是一个周期性自动控制通断的电子开关，它可以让电风扇断续工作（时转时停）而模拟出自然风的效果。 原理说明 接通开关K，C1、D3、D4、C2组成的电容降压滤波电路输出约9V的直流电供555电路工作。R、D1、D2、W1、W2、R1、R2、C3组成RC充放电回路，使555电路在无稳态模式下工作。由于二极管D1、D2的作用，充放电各为一路，D1一路为充电回路，W1调节送风时间，D2一路为放电回路，W2调节停风时间。 当电路处于充电状态时，555的７脚为高电平，电流经R、D1、W1、
键控式调光台灯利用两个轻触式按键调光，当轻触其中一个按键时，光线将由强变弱，轻触另一个按键时，光线便会由弱变强。 工作原理 电路原理见图1，VD1、VD2、C2、C3组成电容降压式直流电源，由MOS场效应管、C1等组成双向可控硅VS的触发电路。DW为保护二极管，防止场效应管栅极击穿。当按下S1时，由R1向C1充电，使栅极电压上升，可可控硅的触发电流上升，导通角变大，光线增加，当按下S2时，C1沿R2放电，栅极电压下降，可控硅的导通角变小，光线变暗。当S1、S2都放开时，由于MOS场效应