在结型场效应管中，栅极和沟道间的PN结是反向偏置的，所以输入电阻很大。但PN结反偏时总会有一些反向电流存在，这就限制了输入电阻的进一步提高。如果在栅极与沟道间用一绝缘层隔开，便制成了绝缘栅型场效应管，其输入电阻可提高到 。根据绝缘层所用材料之不同，绝缘栅场效应管有多种类型，目前应用最广泛的一种是以二氧化硅（SiO2）为绝缘层的金属一氧化物一半导体（Meial-Oxide-Semiconductor）场效应管，简称MOS场效应管（MOSFET）。它也有N沟道和P沟道两类，每类按结构不同又分为增强型

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。下面介绍用万用表检测IGBT管的方法。 IGBT管好坏的检测 IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的二极管挡来测量PN结正向压降进行判断。 检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；

一、单极型晶体管 单极型晶体管也称 场效应管 ，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。 特点： 输入电阻高，可达10 7 ~ 10 15 ，绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 10 15 。 噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。 分类： 根据材料的不同可分为 结型场效

一、 场效应管的分类 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、 场效应管的型号命名方法 现行场效应管有两种命名方法。 第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母j代表结型场效应管，o代表绝缘栅场

上世纪90年代曾流行过傻瓜系列厚膜集成电路功放，相信很多的电子爱好者都用它制作过音响功放电路。如傻瓜155/175/275/1100/2100等等都耳熟能详。因为傻瓜功放免调试，一装即成，音质也还不错，所以当时在简单应用和制作中很受欢迎。 傻瓜275厚膜功放块 傻瓜功放最大的特点就是完全不需要外围元件，把一个完整的功放电路集成到一个厚膜块中，只需接上音源、扬声器，通上电源就可以扩音了。其内部电路末级功率管一般采用绝缘栅型场效应管，动态频响宽。IC内部集成有超压、过热保护电路。部分傻瓜功放块参

场效应管（Fjeld Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。 一、 结构与