本电路中，555时基电路构成了一个压控式振荡器，控制端配合场效应管可实现占空比的大范围调节，电路如图 电路中，555时基、电阻R1、R2、电容C1～C3及三极管VT1构成一个压控式多谐振荡器，场效应管(JFET)VT在这里等效为压控电阻，通过改变其门(G)-源(S)电压VGs可改变VT-的漏(D)、源(S)间的阻抗。 接在场效应管漏极D和源极S的耦合电容C1、C2，用于防止其余电路的直流电压对JFET的影响。为不使耦合电容影响时基电路的充、放电时间，C1、C2的大小宜选为定时电容C3容

LM1875主要参数： 电压范围：16～60V 静态电流：50MmA 输出功率：25W 谐波失真：〈0.02%，当f=1kHz，RL=8，P0=20W时 额定增益：26dB，当f=1kHz时 工作电压：25V 转换速率：18V/S JRC5532是DIP8脚双运放，内部为JFET（结型场效应管结构）。JRC5532用NE5532可以直接代换。

文氏桥振荡器的三个例子如下所示。 第一个使用三个双极型晶体管。第二个使用的双极晶体管和JFET，第三个是采用一个运算放大器为最小的部位更受欢迎的类型。 我们的想法是产生于一些特定的频率使用2个电阻和同等价值的上限360度相移。一个电容和电阻是串联的，而另一个电容和电阻并联。通过网络的信号损失约为66％，因此放大器的增益需要大约3为1个环路增益。放大器的增益是至关重要的，因为太多的增益会产生限幅（扭曲）的波形和没有足够的增益不会维持振荡。这几乎是不可能实现的没有一些自动增益控制（AGC）来调节

下面的两个电路示出了通过RC网络转移信号的相位，以便产生低频正弦波振荡，其中的总相移是360度。右侧电路的3904晶体管电路产生一个合理的正弦波的，它是通过所述JFET缓冲，以产生一个低阻抗输出。 该电路的增益是低失真的关键，你可能需要调整500欧姆的电阻，以达到以最小的失真稳定的波形。晶体管电路是不建议由于所需的关键调整实际应用。 运算放大器为基础的相移振荡器比单个晶体管的版本要稳定得多，因为增益可以被设置为低于维持振荡所需的更高的输出取自该滤波器滤除大部分谐波失真的RC网络。从RC网络的正

该调频广播发射机电路将发送FM广播频段（88-108兆赫）的连续音调，可用于远程控制或安全的目的。电路从一个6-9伏电池消耗约30mA电流，信号可收到距离大约100米。555定时器用于产生音调（约600赫兹）的频率调制一个哈特利振荡器。第二个JFET晶体管缓冲放大级，用于从天线隔离振荡器，以使天线的位置和长度对频率的影响较小。精细频率调节可以通过调节电池串联的200欧姆的电阻器。振荡器频率由一个5转抽头8mm直径电感和13 pF电容设定。 振荡器的频率应当在FM频段中心附近（98兆赫），这样通

场效应管（Fjeld Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。 一、 结构与