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常用二极管、三极管、场效应管参数资料

发布时间 2008-11-28

表7　 3AD低频小功率锗管及其他同类型锗管（PNP型）

部标新型号	旧型号	极限参数				直流参数			交流参数
部标新型号	旧型号	P_CM /W	I_CM /mA	BU_CBO /V	BU_CEO /V	I_CBO /μA	I_CEO /mA	h_FE /β	U_CES /V	f_T /kH_Z
3AD50A	3AD6A	10	3	50	18	0.3	2.5	20~140	0.6	4
3AD50B	3AD6B			60	24				0.8
3AD50C	3AD6C			70	30				0.8
3AD52A 3AD52B 3AD52C	3AD1，2，3 3AD4，5	10	2	50 60 70	18 24 30	0.3	2.5	20~140	0.35 0.5 0.5	4
3AD56A 3AD56B 3AD56C	3AD18A 3AD18B 3AD18C，D，E	50	15	30 45 76	60 80 100	0.8	15	20~140	0.7 1 1	4
3AD57A 3AD57B 3AD57C	3AD725A 3AD725B 3AD57C	100	30	30 45 60	60 80 100	1.2	20	20~140	1.2	3

表8　3DD低频大功率硅管及其他同类型硅管（NPN型）

部标新型号	旧型号	极限参数				直流参数			交流参数
部标新型号	旧型号	P_CM /W	I_CM /mA	BU_CBO /V	BU_CEO /V	I_CBO /mA	V _CES /V	h_FE /β	f_T /MH_Z
3DD59A	3DD5A	25	5	≥30	≥3	≤1.5	≤1.2	≥10
3DD59B	3DD5B DD11A			≥50
3DD59C	3DD5C			≥80
3DD59D	3DD5D DD11B			≥110
3DD59E	3DD5E DD11C			≥150
测试条件		T_C= 75℃		I_C=5mA	I_E=10mA	U_CE=20V	I_C=1.25mA I_B=0.25mA	U_CE=5V I_C=1.25mA
3DD101A	3DD12A	50	5	≥150	≥100	≤2	≤0.8	≥20	≥1
3DD101B	3DD15C			≥200	≥150		≤0.8
3DD101C	3DD03C			≥250	≥200		≤1.5
3DD101D	3DD15D			≥300	≥250		≤1.5
3DD101E	3DDE~G			≥350	≥300		≤1.5
测试条件		T_C= 75℃		I_C=5mA	I_E=5mA	U_CE=50V	I_C=2.5A I_B=0.25A	U_CE=5V I_C=2A	U_CE=12V I_C=0.5A

表9　3DG高频小功率硅管及其他同类型硅管（NPN型）

旧型号	部标新型号	极限参数				直流参数			交流参数
旧型号	部标新型号	P_CM /W	I_CM /mA	BU_CBO /V	BU_CEO /V	I_CBO /μA	I_CEO /μA	h_FE /β	f_T /MH_Z
3DG6A	3DG100M	100	20	20	15	≤0.01	≤0.01	25～270	≥150
3DG6A	3DG100A			30	20			≥30	≥150
3DG6B	3DG100B			40	30			≥30	≥150
3DG6C	3DG100C			30	20			≥30	≥300
3DG6D	3DG100D			40	30			≥30	≥300
	3DG103M	100	20	≥15	≥12	≤0.1	≤0.1	25～270	≥500
3DG11A,B	3DG103A			≥20	≥15			≥30	≥500
3DG104B	3DG103B			≥40	≥30			≥30	≥500
3DG104C	3DG103C			≥20	≥15			≥30	≥700
3DG104D	3DG103D			≥40	≥30			≥30	≥700
测试条件				Ic= 100μA	Ic= 100μA	U_CB=10V	U_CE=10V	U_CE=10V Ic=30mA	U_CE=10V I_E=50mA f_T=100MH_Z
	3DG121M	500	100	≥30	≥20	≤0.1	≤0.2	25～270	≥150
3DG5A	3DG121A			≥40	≥30			≥30	≥150
3DG7C	3DG121B			≥60	≥45			≥30	≥150
3DG5C～F	3DG121C			≥40	≥30			≥30	≥300
3DG7B，D	3DG121D			≥60	≥45			≥30	≥300
测试条件				Ic= 100μA	Ic= 100μA	U_CB=10V	U_CE=10V	U_CE=10V Ic=30mA	U_CE=10V I_E=50mA f_T=100MH_Z
	3DG130M	700	300	≥30	≥20	≤1	≤5	25～270	≥150
	3DG130A			≥40	≥30	≤0.5	≤1	≥30	≥150
	3DG130B			≥60	≥45	≤0.5	≤1	≥30	≥150
	3DG130C			≥40	≥30	≤0.5	≤1	≥30	≥300
	3DG130D			≥60	≥45	≤0.5	≤1	≥30	≥300
测试条件				Ic= 100μA	Ic= 100μA	U_CB=10V	U_CE=10V	U_CE=10V Ic=50mA	U_CE=10V I_E=3mA f_T=100MH_Z

表10　3AG高频小功率锗管及其他同类型锗管

参数型号	P_CM/mW	I_CM/mA	U_（_BR_）_CEO/V	I_CEO/μA	h_FE/β	f_T/MH_Z
3AG1	50	10	-10	≤7	20～230	≥20
3AG2	50	10	-10		30～220	≥40
3AG3	50	10	-10		30～220	≥60
3AG4	50	10	-10		30～220	≥80

表11　3DK硅开关管及其他同类型硅管（NPN型）

型号	直流参数			交流参数	开关参数		极限参数
型号	I_CEO /μA	I_CEO /μA	h_FE /β	f_T /MH_Z	t_ON /ns	t_Off /ns	BU_CBO /V	BU_CEO /V	P_CM /W	I _CM / mA	T_fm /℃
3DK1A	≤0.1	0.5	30～200	≥200	≤20	≤30	≥30	≥20	100	30	175
3DK1B	≤0.1		30～200		≤40	≤60	≥30	≥20
3DK1C	≤0.1		30～200		≤60	≤80	≥30	≥20
3DK1D	≤0.5		≥10		≤20	≤30	≥30	≥15
3DK1E	≤0.5		≥10		≤40	≤60	≥30	≥15
3DK1F	≤0.5		≥10		≤60	≤80	≥30	≥15
测试条件	U_CB= 10V	U_CE= 10V	U_C=1V I_C=10 mA	f_T=30MH_Z U_CE=1V I_C=10 mA			I_C =100 μA	I_C =200 μA	I_E =100 μA
3DK7	≤1	≤1	20～150	≥150	≤50	≤80	≥25	≥15	≥4	30	150
3DK7A	≤0.1	≤0.1	20～200	≥120	65	<180			>5	50	175
3DK7B	≤0.1	≤0.1		≥120	65	<180
3DK7C	≤0.1	≤0.1		≥120	45	<130
3DK7D	≤0.1	≤0.1		≥120	45	90
3DK7E	≤0.1	≤0.1		≥120	45	60
3DK7F	≤0.1	≤0.1		≥120	45	40
测试条件	U_CB= 10V	U_CE= 10V	U_CE=1V I_C=10 mA		I_C=10 mA I_B1=1 mA I_B2=2 mA	I_C= 10 mA I_B1=I_B2 =10 mA	I_C= 10μA	I_C= 10μA	I_E= 10 μA

表12　场效应管

参数	符号	单位	型号
参数	符号	单位	3DO1	3DO4	3DJ2	3DJ8F	3DO6	3CO1
饱和漏极电流	I_DSS	μA	0.3～10	0.5×10³～15×10³	0.3～10	15	2.5～5	<1000nA
栅源夹断电压	U_GS_（_Off_）	V	<\|-9\|	<\|-9\|	<\|-9\|	<\|-9\|	2～2.5	\|-2\|～\|-8\|
栅源绝缘电阻	R_GS	Ω	≥10⁹	≥10⁹	≥10⁷	10⁷	≥10⁹
共源小信号低频跨导	g_m	μA/V	≥1000	≥2000	≥2000	6000	>2000	≥10
高频振荡频率	f_T	MH_Z	≥90	≥300	≥300	90		>500
最高漏源电压	U_DS(BR)	V	20	20	>20	20	20	15
最高栅源电压	U_GS(BR)	V	40	≥20	>20	20	20	20
最大耗散功率	U_DSM	mW	100	1000	100	100	100	100
备注			N沟道耗尽型MOS管			高互导管	N沟道增强型开关管	P沟道增强型MOS管

标签：二极管, 三极管, 场效应管, 发光二极管

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