晶体三极管常见技术参数定义

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发布时间 2009-04-14

ICBO 三极管发射极开路,集电极C和基极B之间的反向漏电流。

ICEO 三极管基极开路,集电极C和发射极E之间的反向漏电流。

IEBO 三极管集电极开路,发射极E和基极B之间的反向漏电流。

IC 集电极电流。

ICM 集电极最大允许电流。

PC 集电极耗散功率。

PCM 集电极最大耗散功率。

PT 总功耗。

Ptot 总耗散功率。

VCEO 基极对地开路,发射极接地,集电极C与发射极E之间的最高耐压。

VCBO 基极接地,发射极对地开路,集电极C与基极B之间的最高耐压。

VEBO 基极接地,集电极对地开路,发射极E与基极B之间的最高耐压。

BVCEO 三极管基极开路,集电极C和发射极E之间的反向击穿电压。

BVCES 基极与发射极短路,集电极C和发射极E之间的反向击穿电压。

BVCBO 三极管发射极开路,集电极C和基极B之间的反向击穿电压。

BVEBO 三极管集电极开路,发射极E和基极B之间的反向击穿电压。

VCE(sat) 集电极与发射极之间饱和压降。

VBE(sat) 基极与发射极之间饱和压降。

β 共发射极交流电流放大系数

hFE 共发射极直流电流放大系数

fT 特征频率,共发射极电流放大系数下降到1时的频率

Nf 噪声系数

TJ 结温

TJM 最高允许结温

TSTG 贮藏温度

Ta 环境温度

Tc 管壳温度

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