单结晶体管（UJT）又称基极二极管，下面是早期国产单结晶体管BT31参数，它分为A~H共8个具体型号。 BT31A参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：3~6k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4V 调制电流：9~30mA 耗散功率：300mW BT31B参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：5~10k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4V 调制电流：9~30mA 耗散功率

单结晶体管（UJT）又称基极二极管，下面是早期国产单结晶体管BT32参数，它分为A~H共8个具体型号。 BT32A参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：3~6k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4.5V 调制电流：9~35mA 耗散功率：300mW BT32B参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：5~10k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4.5V 调制电流：9~35mA

单结晶体管（UJT）又称基极二极管，下面是早期国产单结晶体管BT33参数，它分为A~H共8个具体型号。 BT33A参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：3~6k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：5V 调制电流：9~40mA 耗散功率：500mW BT33B参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：5~10k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：5V 调制电流：9~40mA 耗散功率

1N4000系列与1N5000系列整流二极管参数 1N系列整流二极管是日本二极管的型号，下表是1N系列硅整流二极管参数值： 型 号 反向峰值电压 额定整流电流 正向浪涌电流 正向压降 反向电流 工作频率 1

3DD4515是大功率开关三极管，硅材料NPN型，平面扩散工艺制造。具有耐压高、耗散功率大、电流特性好、开关速度快等特点。3DD4515主要用于开关电源、变频器、功率开关转换等电路中。它采用TO-3PN封装，外形和管脚排列如图： １脚：基极B； ２脚：集电极C： ３脚：发射极E 3DD4515 主要参数： 极限参数(Tc=25℃) 集电极-基极电压V CBO ：700 V 集电极-发射极电压V CEO ： 400 V 发射极-基极电压V EBO ： 9 V 集电极电流I C ： 15 A 集电极

ＪＣＧ型ＰＳＳＲ，１ Ａ，２２０ Ｖ参数固态继电器作为调光控制器件的电路如下： ＪＣＧ型参数固态继电器中无触点开关是由单向或双向可控硅组成的，它接收触发电路送来的与交流电网同步的触发脉冲。由同步调制电源供电而工作的间歇振荡器产生脉冲群，该脉冲群中每一个脉冲的宽度都受到经磁隔离器隔离的控制绕组控制。其内部的整流电路、晶体管有源电阻以及无源阻抗驱动端共同确定并控制着控制绕组的状态。当控制绕组中流过较大的退磁电流时，间歇脉冲振荡器产生的脉冲宽度偏窄，从而不能触发无触点开关，使输出端断开，反之则闭合。

普通发光二极管的正向饱和压降为1.6V-2.1V, 正向工作电流为5-20mA。 LED电参数 1．极限参数的意义 （1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。 （2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 （3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。 （4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，

天线是具有可逆性的能量变换器件，也就是说一副天线可以用作发射天线也可以用作接收天线，并且特性参数保持不变。为了方便分析，常将其当作发射天线来描述，分析结果同样适用于作为接收天线的场景。 电子爱好者在制作调试天线时需要注意一些天线参数，下面一一介绍。 一、输入阻抗 天线和传输线都有自己特定的阻抗值，为了使高频电信号在天线和传输线之间传输尽量减少损耗，就必须使两者良好匹配。 什么是天线的输入阻抗 ： 天线馈电点的高频电压和高频电流的比值称为天线输入阻抗。 二、方向图 天线分为定向天线和全向天线，这是

2S系列晶体三极管为日本生产型号，以下分别给出其常用型号的参数，供参考。 常用2SA系列（PNP型高频管）三极管参数 晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SA1009 350V 2A 15W * * PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W * * PNP 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA1015R 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP

衡量扬声器性能的参数指标是通过专门的扬声器测试系统测定的，其主要参数有：额定阻抗、额定功率、失真度、灵敏度、频率特性、谐振频率、指向性、等效质量、等效容积等等。下面逐一介绍。 额定阻抗 额定阻抗也叫标称阻抗，是指扬声器在额定功率下所得到的交流阻抗值。只有扬声器的阻抗与功放电路输出端的阻抗相匹配时，扬声器才能得到最佳的工作状态。扬声器的标称阻抗有4、8、16、32等。额定阻抗通常为扬声器音圈直流电阻的1.1倍左右。 功率 扬声器的功率分为额定功率、最小功率、最大功率和瞬间功率，单位均为

二极管参数定义： Cb二极管PN结势垒电容 Cd二极管PN结扩散电容 Cj二极管结电容 Ct总电容 Ctmax最大电容（变容二极管最大电容值） Ctmin最小电容（变容二极管最小电容值） Ctr电容比率 C tv 电压温度系数（稳压二极管稳定电压值受温度影响的参数。例如2CW58稳压管的C tv 是+0.07%/C，即温度每升高1C，其稳压值将升高0.07%。） f工作频率 I F 持续正向电流 I FRM 重复峰值正向电流 I FSM 非重复峰值正向电流 I O 最大

一、1815三极管引脚定义图 二、1815三极管封装尺寸 三、1815三极管参数 集电极-基极击穿电压(V CBO )：60V 集电极-发射极击穿电压(V CEO )：50V 发射极-基极击穿电压(V EBO )：5V 集电极电流(I C )：150mA 基极电流(I B )：50mA 耗散功率(P C )：400mW 集电极-发射极饱和压降(V CE )：0.25V 特征频率(fr)：80MHz 因生产厂商不同1815三极管会有不同前缀，如C1815、2SC1815、KSC1815等，其特

1N4148和1N4448是高速开关二极管，平面技术制造。 特征 SOD27玻璃封装 （DO-35 ） 高开关速度：反向恢复时间最大 4纳秒 连续反向电压：最大 75伏 重复峰值反向电压：最大 100伏 重复峰值正向电流：最大 450毫安。 1N4148和1N4448主要参数： 正向平均电流I F ＝200mA 非重复正向峰值电流I FSM ＝2A 耗散功率Pd=500mW 最高结温Tj=200℃ 贮存温度Tstg=-65℃~200℃ 结电容Cd=4pF 正向恢

3CT501可控硅采用TO-92封装，外形尺寸、管脚排列如下图： 3CT501可控硅参数 断态重复峰值电压V DRM =500V 反向重复峰值电压V RRM =500V 通态平均电流I T(AV) =1A 通态不重复浪涌电流I TSM =10A 控制极平均功率P G(AV) =0.1W 通态峰值电压V TM =1.7V (I T =1A) 维持电流I H =5mA (V D =6V) 控制极触发电流I GT1 =5~250A 控制极触发电压V GT1 =0.5~0.8V

3DD15三极管参数表 型号 I C V CBO V CEO P D 3DD15A 5A 150V 80V 50W 3DD15B 5A 200V 100V 50W 3DD15C 5A 300V 150V 50W

3DF50C开关三极管主要用于大功率开关电源电路，封装形式：TO-3PIII，它的封装外形如图： 3DF50C的主要参数：（除非另有规定Tamb=25℃） 集电极-发射极反向击穿电压（V CEO ）200V 集电极-基极反向击穿电压（V CBO ）250V 发射极-基极反向击穿电压（V EBO ）7.0V 集电极最大电流（I CM ）50A 集电极最大耗散功率（P CM ）500W 最高工作结温（T JM ）150℃ 贮存温度范围（T STG ）-50 ~ +155℃

3DG6是硅材料NPN型外延平面高频小功率三极管，是八十年代前后流行的通用型三极管，目前已无生产，且不易购得，只有从那个时代过来的电子工作者和电子爱好者手中还有可能见得到3DG6的踪影。其封装外形和管脚排列如图所示： 3DG6按型号后缀不同分为四个档次，其参数如下： 耗散总功率Ptot=100mW (Tamb=25℃) 最大集电极电流I CM =20mA 最高结温T JM =175℃ 集电极-基极反向击穿电压BV CBO ： (IC=100A) 3DG6A30V; 3DG6B45V; 3DG6

9014三极管（TO-92封装）管脚图 １、发射极２、基极３、集电极 9014三极管参数 集电极最大耗散功率P CM ＝0.4W（Tamb=25℃） 集电极最大允许电流I CM =0.1A 集电极基极击穿电压BV CBO =50V 集电极发射极击穿电压BV CEO =45V 发射极基极击穿电压BV EBO =5V 集电极发射极饱和压降V CE (sat)=0.3V (I C =100mA; I B =5mA) 基极发射极饱和压降V BE (sat)=1V (I C =100mA; I B =

9018是硅NPN型高频小功率晶体三极管，TO-92塑料封装，其外形和引脚排列如图： 引脚排列：从左至右依次为１、２、３脚 １脚：发射极； ２脚：基极； ３脚：集电极 9018三极管主要参数： 集电极-基极反向击穿电压BVCBO=30V 集电极-发射极反向击穿电压BVEBO=15V 发射极-基极反向击穿电压BVEBO=5V 最大集电极电流ICM=50mA 最大耗散功率PCM=400mW 最高结温TJ=150℃ 贮存温度范围TSTG=-55~150℃ 直流放大倍数HFE=28~200 特性频率f

EE型铁氧体磁芯是最常用的磁芯之一，如彩电、显示器中的开关变压器，节能灯中的小型变压器等均为EE型磁芯。下面是常用EE型磁芯参数。 型号 A B C D E F

11种EI型铁氧体磁芯尺寸和参数 型号 A B C D E F H

FR201-FR207快速二极管参数： FR201-FR207P 封装尺寸：（DO-15）

HZ系列、RD系列稳压二极管参数 型号 稳压值(V) 稳定电流(mA) 功率(mW) HZ4B2 3.8-4.0 5 500

MG45系列光敏电阻参数表 型号 功率(mW) 亮阻(k) 暗阻(M) 环境温度(℃) 时间常数(ms) 工作电压(V) MG45-1 10 2~10 1~10 -40~+70 20 50 MG45-2 20 2~10 1~10 -40~+70

MJE13006、MJE13007是高反压大功率开关三极管，硅材料NPN型，适用于开关稳压器、电子变压器、电机控制等功率开关电路。MJE13006/13007采用TO-220外形封装，管脚排列如图所示 管脚排列：１.基极；２.集电极；３.发射极 MJE13006/13007的极限值参数 ： 集电极-基极电压V CBO ：MJE13006: 600V；MJE13007: 700V 集电极-发射极电压V CEO ：MJE13006: 300V；MJE13007: 400V 发射极-基极电压V

MJE13008、MJE13009是硅NPN型大功率高速开关三极管，具有耐压高、开关速度快、耗散功率大、电流特性好等特点。主要用于开关电源、电机控制等功率开关电路中。MJE13008/13009采用TO-220封装，它们的引脚排列如图所示 其中集电极C与散热片是相连的。 MJE13008/13009主要参数： C-B最高反向耐压V CBO ：MJE13008:600V; MJE13009:700V C-E最高反向耐压V CEO ：MJE13008:300V; MJE13009:400V E-B

常用PQ系列铁氧体磁芯规格参数 型号 A B C D E F I

几种红外发光二极管的参数 单位 TLN107 TLN104 HG310 HG450 HG520 BT401 正向工作电流(I F ) mA(A) 50 60 50 200 (3) 40 峰值电流(I P-P ) mA 600 600

图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列 图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列 8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。 8050S 8550S S8050 S8550 参数 ： 耗散功率0.625W（贴片：0.3W） 集电极电流0.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目

9015是硅PNP型小功率晶体三极管，与9014可组成对管。9015采用TO-92封装，它的外形和管脚排列如图： 9015三极管的主要参数： 集电极-基极最大反向耐压：50V 集电极-发射极最大反向耐压：45V 基极-发射极最大反向耐压：5V 集电极最大允许电流：100mA 集电极最大耗散功率：0.45W 最高工作结温：150℃ 贮藏温度范围：-55~150℃ 集电极-基极反向漏电流：0.05A (V CB =-50V; I E =0) 基极-发射极反向漏电流：0.05A (V BE =-5V