晶体管元件查询
型号：23N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】315 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】315 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】23 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】23 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.245 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管IRF255STB18N60M2DHE1710SGB660N70W3SUB85N10-10SVF13N50PNLSE65R380GFIRFBF30IRL3103SAOI478LSD65R950HTIRF254IRFS3207PbFNP84N06DLDA09N03