晶体管元件查询
型号：AOD410
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：25 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：30 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.105 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管IRFF1232SK1612FQP20N65IRF820MTP4N45HY3208PSGW160N50W3FDZ501FLC301MG-42SK4111LSG65R2K5GTMDP10N027THIRFK4H350FLM5964-25DSiHB16N50C