晶体管元件查询
型号：LSG65R2K5GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：25 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.5 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管FTA10N60CIRF711SVF2N60NFFHX04FA/LGIRFPG52CRSS052N08NMGF4404AIPI200N25N3G(200N25N)STU8NB90AOD406FHD80N06BMS5N60SPP11N65C3BF246CMTB4N80E