晶体管元件查询
型号：CJP75N80
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：170 W
漏极电流（ID）：80 A
漏极和源极电压（VDSS）：75 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.01 Ω
封装：TO-220
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