晶体管元件查询
型号：TSP12N60M
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】230 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】230 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.7 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管MDD4N20YBUK454/800ASGM2004M2SK152LSC65R380HTBUZ384LNF10N65FHS120N7F6ASGF280N65W32N6800IPB010N06NHY5110AIRF542IRLZ14STP6NB80