晶体管元件查询
型号：DH200N08D
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：200 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0028 Ω
总耗散功率（Ptot）：245 W
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管2N6802NCE55H112SK3326MGFC36V59642SK4116NEZ0910-4AFTNCS1N60IPP220N25NFDSUP70N06-14LND5N50FLM3742-18DAHY1001BMGF1304AHYG011N04LS1C22SK537