晶体管元件查询
型号：HY3010P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：192 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.012 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管HYG011N04LS1TASTH3N150-2IRF1404ZLPbFIXTH40N50L2IRFU1202SK25182N6767KIA2906AIRF8010MGF2124FCRSS063N08NFQP10N60CNDTL03N150C2SK32072SK3919