晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IXTH40N50L2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：540 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.17 Ω
封装：TO-247

更多N沟道场效应管STF7N95K3LNH04R120MTP3N40IXFT24N50IRF44682SK890IRFF432STB20NM60T460N03TK2P60DS85N16S2SK2601IPI60R190C6(6R190C6)2SK3562IRFS721

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