晶体管元件查询
型号：IPN70R900P7S(70S900)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】6.5 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】6.5 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝20 ℃】6 A
【管壳温度（Tc）＝20 ℃】6 A
漏极和源极电压（VDSS）：700 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.9 Ω
封装：SOT-223
更多N沟道场效应管FQA8N100CLSD60R650HTKF7N50FIXFH7N90LSD65R125HTU3N60FLM7785-4C/D2SK3568IRFPF52STB80NF55-06T4AOD4184IPB120N06S4-H1(4N06H1)MGF1801SiHB16N50C2SK3460