晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IRF642
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】125 W
漏极电流（ID）：16 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.22 Ω
封装：TO-220AB

更多N沟道场效应管SVG086R0NDIXTH9N95LNE06R1402SK1235DHE110N15DH85N082N60SGI1K4N65W3CS8N502SK1544FHP40N20DHY4008B2SK4107RU6099STP6NB80

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