晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IRFR212
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：25 W
漏极电流（ID）：2.1 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
封装：TO-251AA

更多N沟道场效应管DHI130N03A09N03LSH60R650HTDHI150N06SGD660N65W32SK119657N10IPA057N08N3G12N50CEFF630STP4N90K5CS4N602SK378SVD12N60TMDQ18N50G

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