晶体管元件查询
型号：IXFT28N50F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：315 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.19 Ω
封装：TO-268
更多N沟道场效应管FK20SM-9FS3KM-18ALSC65R125HTDH3205T2SK1100DHF150N10STW70N60DM22SK42132SK3102-01RAF75N02LSG65R280HTBUZ332SVG076R5NSMXP8835AF2SK1238