晶体管元件查询
型号：LSE65R930GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.93 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管NVB5860NT4G2SK3625P75N02LS30N05LSG65R380GFFHF13N502SK1461SSH6N90AHM3N25IBUZ382LNC10N60FBM140N85IRFR1205STP80NF55-06STW7NA80