晶体管元件查询
型号：IPI60R190C6(6R190C6)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】151 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】151 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.19 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管IXFK120N20PIXTH30N25IRF531FQD20N06TMJCS7N65BBSGT360N60W3LNE07R085H2SK150214N60IXTP18N60PMFQA11N902SK3727-012SK117SVG086R0NDBUZ14