晶体管元件查询
型号：P75N02LS
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：65 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 A
漏极和源极电压（VDSS）：25 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.007 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管IPP120N06S4-H1(4N06H1)NE76184A4N65FDL100N50FIXTT40N50L2IRFF111SGM2004M2SK2543IRF4622SK35902SK651IRFPF30IRF2509N90VN66AFD