晶体管元件查询
型号：LSGE15R085W3
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：227 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：150 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0085 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管2SK437TK11P65WIRFJ343160N10LNB10R040W390N20FQA140N10AOTF14N50IRFJ442IRFP4410ZPbFIRF1312SFTK65T180DD(NCE65T180)SKSS055N08N2N67642SK956