晶体管元件查询
型号：MTP5N35
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
漏极电流（ID）：5 A
漏极和源极电压（VDSS）：350 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管SGB420N80W3IRC644160N10YTC100N10TMDF12N50FDP18N50GI85T032SK152SPI12N50C316N50HYG016N04LS1BBUZ84ADHE110N15IRFP470HY5608W