晶体管元件查询
型号：SPP02N80C3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.7 Ω
总耗散功率（Ptot）：42 W
封装：TO-220
更多N沟道场效应管SFF20N60P2SK1940LSD80R980GTRFM8N182SK353FQP5N90IRFZ34PbFFLM5964-8C/DGI85T03MGF2124GLNH2N604N90CNCE55H11FLC253MH-8LSGE10R080W3