晶体管元件查询
型号：STI32N65M5
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】24 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】24 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.119 Ω
封装：I2PAK
更多N沟道场效应管30N06NCE3030KMDU15122SK3673-01MRHY1906PDHI3205TIXFX26N120PPHP29N08TSGB600N70W3IRFJ3322SK1213IPI80N04S4-03(4N0403)STV5NA80DHI180N10STW12NK90Z