晶体管元件查询
型号：SVF6N60MJ
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：125 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】6 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】6 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.5 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管DHB3205A2SK182，182EP20N60SD2FLM7785-4C/D2SK593IRFSZ40HY1620PFSS2306(A6SHB)MGF2415KIA2803AFMV06N90EIXFK36N60IXTQ50N25TIRFD1Z0NCE7560K