晶体管元件查询
型号：SVG104R5NS
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0042 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管H5N3011PHY5208AIRFU022IRFD221IPB120N04S4-01(4N0401)SGT420N80W32SK2661HY1906PJCS4N60RNP84N06DLDFQP8N65C3SK191NTB5860NT4GIRFP452CMP100N03