晶体管元件查询
型号:SWP8N65D
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】208 W
【管壳温度(Tc)=25 ℃】208 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】8 A
【管壳温度(Tc)=25 ℃】8 A
漏极和源极电压(VDSS):650 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):1.4 Ω
封装:TO-220
更多N沟道场效应管2SK2039IRFZ322SK26512SK182,182EFHP540FLL120MKIRFF113IPP60R199CP(6R199P)STF11N60M2-EP(11N60M2EP)2SK1119LSE65R125HTSTU11NA60FLK052WGSTV4N100FQP20N65