晶体管元件查询
型号：WML14N65C2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：31 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.405 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管LSH60R280HTFIR2N80LG2SK586HYG013N03LS1C22SK359FHS110N8F5BDH140N09MXP8835AT10N65SVD13N50FIRFD2112SK2488IRFP4368PbFBR80N75IRFU420