3DG6硅NPN型小功率高频三极管参数

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发布时间 2009-05-22

  3DG6是硅材料NPN型外延平面高频小功率三极管,是八十年代前后流行的通用型三极管,目前已无生产,且不易购得,只有从那个时代过来的电子工作者和电子爱好者手中还有可能见得到3DG6的踪影。其封装外形和管脚排列如图所示:

3DG6

3DG6按型号后缀不同分为四个档次,其参数如下:

耗散总功率Ptot=100mW (Tamb=25℃)
最大集电极电流ICM=20mA
最高结温TJM=175℃

集电极-基极反向击穿电压BVCBO: (IC=100μA)
3DG6A≥30V; 3DG6B≥45V; 3DG6C≥45V; 3DG6D≥45V

集电极-发射极反向击穿电压BVCEO: (IC=100μA)
3DG6A≥20V; 3DG6B≥30V; 3DG6C≥30V; 3DG6D≥40V

发射极-基极反向击穿电压BVEBO≥4V (IE=100μA)
集电极-发射极饱和压降VCE(sat)≤0.35V (IC=10mA; IB=1mA)
基极-发射极饱和压降VBE(sat)≤1.1V (IC=10mA; IB=1mA)
集电极-基极反向漏电流ICBO≤10nA (VCB=10V)
集电极-发射极反向漏电流ICEO≤10nA (VCE=10V)
发射极-基极反向漏电流IEBO≤10nA (VEB=2V)
直流电流放大倍数HFE≥30

特性频率fT
3DG6A≥100MHz; 3DG6B≥150MHz; 3DG6C≥250MHz; 3DG6D≥150MHz

标签: 3DG6, 三极管
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