3DG6硅NPN型小功率高频三极管参数

　　3DG6是硅材料NPN型外延平面高频小功率三极管，是八十年代前后流行的通用型三极管，目前已无生产，且不易购得，只有从那个时代过来的电子工作者和电子爱好者手中还有可能见得到3DG6的踪影。其封装外形和管脚排列如图所示：

3DG6按型号后缀不同分为四个档次，其参数如下：

耗散总功率Ptot=100mW (Tamb=25℃)
最大集电极电流I_CM=20mA
最高结温T_JM=175℃

集电极-基极反向击穿电压BV_CBO： (IC=100μA)
3DG6A≥30V; 3DG6B≥45V; 3DG6C≥45V; 3DG6D≥45V

集电极-发射极反向击穿电压BV_CEO： (IC=100μA)
3DG6A≥20V; 3DG6B≥30V; 3DG6C≥30V; 3DG6D≥40V

发射极-基极反向击穿电压BV_EBO≥4V (IE=100μA)
集电极-发射极饱和压降V_CE(sat)≤0.35V (IC=10mA; IB=1mA)
基极-发射极饱和压降V_BE(sat)≤1.1V (IC=10mA; IB=1mA)
集电极-基极反向漏电流I_CBO≤10nA (VCB=10V)
集电极-发射极反向漏电流I_CEO≤10nA (VCE=10V)
发射极-基极反向漏电流I_EBO≤10nA (VEB=2V)
直流电流放大倍数H_FE≥30

特性频率f_T：
3DG6A≥100MHz; 3DG6B≥150MHz; 3DG6C≥250MHz; 3DG6D≥150MHz