电压倍增电路 第一个是直流电压倍增电路。 采用方波（任何的振幅）信号控制晶体管交替导通。当控制电平为0V，下面的三极管导通，电容充电；当控制电平为6V，电容电压与电源电压叠加经二极管输出约10V电压。因为PN结压降，损失了约2V电压。 第二个也是直流电压倍增电路。区别是三极管对调了位置，这对控制信号提出了要求。控制电平必须高于5.6V或者低于0.4V，并且切换要迅速，否则两个三极管形成短路。 第三个是交流电压倍增电路。AC电压负半周对电容充电，正半周电容电压与电源电压叠加输出两倍的直流电压。

该电路用于调节从直流输出风力发电机给铅酸电池充电。它在闲置时功耗最低，风力发电机提供有效输出电压时给蓄电池充电。电池充满后过剩电量被转移到一个较大的负载电阻器，在寒冷气候下使用时所产生的热量可以用来保持电池温暖。 该电路的功能切换遵循先合后断原则。这确保了风力发电机的输出端要么连接电池，要么连接负载电阻，不会产生高电压瞬变，保护MOSFET晶体管。 该电路的工作电源由12V蓄电池提供。78L05稳压IC输出5V电源提供给逻辑电路。电压倍增器电路是由由一个触发器在一个4013的CMOS集成电路制

3 V双白光LED闪光电路 电路中两个白光LED交替闪烁，在3V电源下产生一个非常明亮的闪光。白光LED的压降在3.2V到3.6V，该电路产生一个高于5V的电压，足以驱动LED发出明亮闪光。该电路实际上是一个电压倍增器（电压增量器），平均电流约2mA。 电源接通时，100uF和22uF电容开始充电，1N4148二极管使得LED两端电压降至0.6V，以防止接通电源时照亮3伏的LED。当晶体管导通，其集电极电压降下来，对于电源地来说100uF电容的负极和电源地的电压实际上是低于0伏的约2V电压。LE

该电路是一个基于MOSFET的线性稳压器，1安培电流时低至60mV 的电压降。 具有较低的漏极与源极导通电阻RDS（ON）的场效应管（MOSFET）是减少电压差的关键。图1中的电路采用双15伏降压变压器，采用N沟道MOSFET的IRF 540，直流12V输出，输入直流可低至12.06伏。MOSFET栅极所需驱动电压使用电压倍增器提供，电路由二极管D1和D2、电容器C1和C4组成。 电路能够提供高达3A的输出，MOSFET需要足够的散热片。电阻VR1在电路中用于精密调整输出电压。电容器C5和电阻

SG3524是开关电源脉宽调制型控制器。应用于开关稳压器，变压器耦合的直流变换器，电压倍增器，极性转换器等。采用固定频率，脉冲宽度调制（脉宽调制）技术。输出允许单端或推挽输出。芯片电路包括电压调节器，误差放大器，可编程振荡器，脉冲指导触发器，两个末级输出晶体管，高增益的比较器，以及限流和关断电保护电路。 SG3524工作电源电压范围8V~35V，采用双列16脚装料封装，引脚功能如下： SG3524集成电路多种应用电路： 图１15V/-5V直流转换电路（电容二极管输出） 图２5V/1

高电压击穿测试仪（晶体管耐压测试仪） 下面的电路是用来确定电子元件的击穿电压，而不会造成永久性的损坏。该电路从零电压迅速爬升高电压，直到漏电电流达到预先设定的100微安时停止。通电时两个晶体管构成振荡器产生3或4 kHz（由0.02 uF的电容设定）的方波脉冲驱动对称输出级。输出级被连接到一个音频变压器或电源变压器。许多音频或电源变压器可以在这里工作，但较低的频率使用电源变压器更好。 变压器输出的高电压经过二极管和电容组成的电压倍增器进一步升高。两个电阻器和一个0.1 uF电容对高电压进行滤波和