晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN 2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN
三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 特征频率 管子类型 2SA1009 350V 2A 15W * PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W * PNP 2SA1013R 160V
晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SB1013A 30V 0.5A 0.3W * * PNP 2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿)
三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 特征频率 管子类型 2SC1008 80V 0.7A 0.8W 50MHZ NPN 2SC1047 30V 0.015A 0.15W * NPN 2SC106 60V
三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC2610 300V 0.1A 0.8W * * NPN 2SC2611 300V 0.1A 1.25W * * NPN
三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC3807 30V 2A 1.2W * 260MHZ NPN 2SC383 20V 0.05A 0.2W * * NPN
三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SD1010 50V 0.05A 0.3W * * NPN 2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN
三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SD1545 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1546 1500V 6A 50W * * NPN
三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SD400 25V 1A 0.75W * * NPN 2SD401AK 200V 2A 25W * * NPN
晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SK301-Q * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管 2SK301-R * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管
这个无线发射器工作于调频广播波段,利于用普通调频收音机接收。电路采用了射频发射专用管FF501(fT=1.3G; VCEO=13V; ICM=45mA),发射效率高,距离可达500米。整机工作电流约25mA。 FM发射器电路如图所示: 电路中,由专用发射管FF501和外围件元件构成单管调频发射电路,其电路结构为典型的电容三点式振荡器。振荡频率选定在88~108MHz的FM频段,可调节L2改变频率范围。9014(T1)构成其发射极放大电路,对驻极体话筒输出的音频信号加以放大后对高频振荡器
9018是硅NPN型高频小功率晶体三极管,TO-92塑料封装,其外形和引脚排列如图: 引脚排列:从左至右依次为1、2、3脚 1脚:发射极; 2脚:基极; 3脚:集电极 9018三极管主要参数: 集电极-基极反向击穿电压BVCBO=30V 集电极-发射极反向击穿电压BVEBO=15V 发射极-基极反向击穿电压BVEBO=5V 最大集电极电流ICM=50mA 最大耗散功率PCM=400mW 最高结温TJ=150℃ 贮存温度范围TSTG=-55~150℃ 直流放大倍数HFE=28~200 特性频率f
三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 特征频率 管子类型 9011 50V 0.03A 0.4W 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * PNP 9013 50V
三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 管子类型 DTC114ES 50V 0.1A 0.25W NPN DTC124ES 50V 0.1A 0.25W PNP IRF130 100V 14A 79W NMOS场效应
本文介绍的FF501专用管调频发射电路,调制度深,不产生幅度调制,失真小,发送距离远,工作稳定。发射距离可达500米以上,电原理图见图1。 图1电路中,由专用发射管T2和其外围件组成一频率在88-108MHz 范围内的高频振荡器,驻极体话筒拾取的音频信号先经T1进行放大后再对高频载波进行调制。如断开驻极话筒M,在输入端接入音源能很好地传送音乐信号。 需要说明的是射频发射专用管T2,其型号FF501,采用标准的T0-92封装(像9000系列三极管一样),外形及引脚排列如图2所示,其Icm为
晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 管子类型 MJ10012 400V 10A 175W NPN(达林顿) MJ10015 400V 50A 200W NPN MJ10016 500V 50A 200W NPN
晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应
2S系列晶体三极管为日本生产型号,以下分别给出其常用型号的参数,供参考。 常用2SA系列(PNP型高频管)三极管参数 晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SA1009 350V 2A 15W * * PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W * * PNP 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA1015R 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP
型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1
晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 MJ10012 400V 10A 175W * * NPN(达林顿) MJ10015 400V 50A 200W * * NPN MJ10016 500V 50A 200W * * NPN MJ10025 850V 20A 250W * * NPN MJ11032 120V 50A 300W * * NPN MJ11033 120V 50A 300W * * NPN MJ13333 400V 20A 175W * *