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晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN 2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 特征频率 管子类型 2SA1009 350V 2A 15W * PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W * PNP 2SA1013R 160V

2009-4-12

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SB1013A 30V 0.5A 0.3W * * PNP 2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿)

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 特征频率 管子类型 2SC1008 80V 0.7A 0.8W 50MHZ NPN 2SC1047 30V 0.015A 0.15W * NPN 2SC106 60V

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC2610 300V 0.1A 0.8W * * NPN 2SC2611 300V 0.1A 1.25W * * NPN

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC3807 30V 2A 1.2W * 260MHZ NPN 2SC383 20V 0.05A 0.2W * * NPN

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SD1010 50V 0.05A 0.3W * * NPN 2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SD1545 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1546 1500V 6A 50W * * NPN

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SD400 25V 1A 0.75W * * NPN 2SD401AK 200V 2A 25W * * NPN

2009-4-12

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SK301-Q * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管 2SK301-R * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管

2009-4-12

这个无线发射器工作于调频广播波段,利于用普通调频收音机接收。电路采用了射频发射专用管FF501(fT=1.3G; VCEO=13V; ICM=45mA),发射效率高,距离可达500米。整机工作电流约25mA。 FM发射器电路如图所示: 电路中,由专用发射管FF501和外围件元件构成单管调频发射电路,其电路结构为典型的电容三点式振荡器。振荡频率选定在88~108MHz的FM频段,可调节L2改变频率范围。9014(T1)构成其发射极放大电路,对驻极体话筒输出的音频信号加以放大后对高频振荡器

2009-6-13

9018是硅NPN型高频小功率晶体三极管,TO-92塑料封装,其外形和引脚排列如图: 引脚排列:从左至右依次为1、2、3脚 1脚:发射极; 2脚:基极; 3脚:集电极 9018三极管主要参数: 集电极-基极反向击穿电压BVCBO=30V 集电极-发射极反向击穿电压BVEBO=15V 发射极-基极反向击穿电压BVEBO=5V 最大集电极电流ICM=50mA 最大耗散功率PCM=400mW 最高结温TJ=150℃ 贮存温度范围TSTG=-55~150℃ 直流放大倍数HFE=28~200 特性频率f

2009-5-19

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 特征频率 管子类型 9011 50V 0.03A 0.4W 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * PNP 9013 50V

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 管子类型 DTC114ES 50V 0.1A 0.25W NPN DTC124ES 50V 0.1A 0.25W PNP IRF130 100V 14A 79W NMOS场效应

2009-4-12

本文介绍的FF501专用管调频发射电路,调制度深,不产生幅度调制,失真小,发送距离远,工作稳定。发射距离可达500米以上,电原理图见图1。 图1电路中,由专用发射管T2和其外围件组成一频率在88-108MHz 范围内的高频振荡器,驻极体话筒拾取的音频信号先经T1进行放大后再对高频载波进行调制。如断开驻极话筒M,在输入端接入音源能很好地传送音乐信号。 需要说明的是射频发射专用管T2,其型号FF501,采用标准的T0-92封装(像9000系列三极管一样),外形及引脚排列如图2所示,其Icm

2008-11-17

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 管子类型 MJ10012 400V 10A 175W NPN(达林顿) MJ10015 400V 50A 200W NPN MJ10016 500V 50A 200W NPN

2009-4-12

晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应

2008-10-25

2S系列晶体三极管为日本生产型号,以下分别给出其常用型号的参数,供参考。 常用2SA系列(PNP型高频管)三极管参数 晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SA1009 350V 2A 15W * * PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W * * PNP 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA1015R 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP

2009-5-27

型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1

2008-9-16

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 MJ10012 400V 10A 175W * * NPN(达林顿) MJ10015 400V 50A 200W * * NPN MJ10016 500V 50A 200W * * NPN MJ10025 850V 20A 250W * * NPN MJ11032 120V 50A 300W * * NPN MJ11033 120V 50A 300W * * NPN MJ13333 400V 20A 175W * *

2009-5-27
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