晶体管元件查询
型号：8N60T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：142 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.2 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管P6N60IRLR7843PbFAP60WN720IT25N05IRFJ332SVF7N60IXFM26N50FQU2N100SGW190N60SJFHF13N504N65P2SK1643IPS60R400CEIPI80N04S4-03(4N0403)STP80NF10