晶体管元件查询
型号：FQA8N100C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：225 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.45 Ω
封装：TO-3PN
更多N沟道场效应管BUZ332AAOD452AFLM7177-8C/DSLF13N50A5N302SK354AIPI05CN10N2SK70IRFAG42TSF10N60M2SK22311N80-CIRFF310MCH3474IXTQ40N50L2