晶体管元件查询
型号：LND08R085
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：49 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0085 Ω
封装：TO-220MF
更多N沟道场效应管HY5110AYPI7575CIXFN120N20FS3400(X0FS20)2SK3918JCS8N65BBMGF1801Si2306DSFLX03MBIXFH24N502SK3528-01RFHU5N60AKS6205GBVN66AFD4N65K