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白噪声发生器: 一个白色噪声发生器的基础如图A所示。 一个晶体管的基极-发射极PN结反向接入电路,产生约5v的齐纳电压,正是利用这种齐纳击穿现象产生白噪声。 这种噪声听起来像咝咝声,把它加以放大,就可以从扬声器中听到。 由于需要三极管发射结到达齐纳电压,电源必须超过5V最好超过8V。这就是为什么许多电路指定12V和更高。 原电路为模拟蒸汽机车声音设计,你可以将控制连线直接相连,并取消2K2电阻。

2013-11-13

二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。 1.势垒电容CB(Cr) PN结内缺少导电的载流子,其电导率很低,相当于介质;而PN结两侧的P区、N区的电导率高,相当于金属导体。从这一结构来看,PN结等效于一个电容器。 事实上,当PN结两端加正向电压时,PN结变窄,结中空间电荷量减少,相当于电容放电,当PN结两端加反向电压时,PN结变宽,结中空间电荷量增多,相当于电容充电。这种现象可以用一个电容来模拟,称为势垒电容。势垒电容与普通电容不同之处,在于它的电容量并非常数,

2009-5-24

光敏二极管又叫光电二极管。 光敏二极管也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单向导电特性。它在电路中的符号是: 光敏二极管的重要特性就是把光能转换成电能。在没有光照时,光敏二极管的反向电阻很大,反向电流很微弱,称为暗电流。当有光照时,光子打在pn结附近,于是在pn结附近产生电子-空穴对,它们在pn结内部电场作用下作定向运动,形成光电流。光照越强,光电流越大。光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。 光敏二极管在应用电路中的两种工作状态:

2008-5-17

光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。同普通二极管一样,它的核心部分也是一个PN结,所不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,一般小于1微米。光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射,实现光电转换。 光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时,反向电流很小(一般小于0.1微安),称为暗电流。当有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的束缚电子,使部分电子挣脱共价键,从而产生电子---空穴对,称为光生载流

2009-3-27

单结晶体管的结构 单结晶体管又称为双基极二极管,它的结构如图1所示。在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极,分别称为第一基极B1和第二基极B2。而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结,在P型硅上引出一个电极,称为发射极E。两个基极之间的电阻为RBB,一般在2~15kW之间,RBB一般可分为两段,RBB = RB1+ RB2,RB1是第一基极B1至PN结的电阻;RB2是第一基极B2至PN结的电阻。单结晶体管的符号见图1的右侧。 图1 单结晶体管的结构、符号、等效电路 单结晶体管工

2009-3-20

快速恢复二极管(FRD) 能够迅速由导通状态过渡到关断状态的PN结整流二极管,称为快恢复二极管,这种二极管的特点是反向恢复时间短,典型的200v/30 A快恢复二极管,其trr1s。 超快恢复二极管(UFRD) 超快恢复二极管的反向恢复时间更短,一般trr=50ns(不同电流和电压规格的UFRD,其trr是不同的)。PN结式UFRD的优点是:正向导通损耗小,结电容小,工作温度可以较高。 、 例如,型号为IN6620~IN6631的高电压超快恢复二极管(PIV1000 V):trr

2009-5-30

稳压二极管(又叫齐纳二极管),此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定。 稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。其伏安特性和电路符号见图1。 稳压二极管是用于稳定电压的单PN结二极管。结构同整流二极管。加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时,将可能有大量载流子隧穿PN结的位垒,形成大的反向电流,此时电压基本不变,称为隧道击穿

2008-5-17

二极管参数定义: Cb二极管PN结势垒电容 Cd二极管PN结扩散电容 Cj二极管结电容 Ct总电容 Ctmax最大电容(变容二极管最大电容值) Ctmin最小电容(变容二极管最小电容值) Ctr电容比率 C tv 电压温度系数(稳压二极管稳定电压值受温度影响的参数。例如2CW58稳压管的C tv 是+0.07%/C,即温度每升高1C,其稳压值将升高0.07%。) f工作频率 I F 持续正向电流 I FRM 重复峰值正向电流 I FSM 非重复峰值正向电流 I O 最大

2009-5-24

发光二极管(LED)一般由磷砷化镓、磷化镓等材料制成.它的内部存在一个PN结,也具有单向导电性,但发光二极管在正向导通时会发光,光的亮度随导通电流增大而增强,光的颜色与波长有关。 发光二极管(LED)是一种直接注入电流的发光器件,是半导体晶体内部受激电子从高能级回复到低能级时,发射出光子的结果,这就是通常所说的自发发射跃迁.当LED的PN结加上正向偏压,注入的少数载流子和多数载流子(电子和空穴)复合而发光.值得注意的是,对于大量处于高能级的粒子各自分别自发发射一列一列角频率为 =Eg/h的光波,

2009-8-25

在结型场效应管中,栅极和沟道间的PN结是反向偏置的,所以输入电阻很大。但PN结反偏时总会有一些反向电流存在,这就限制了输入电阻的进一步提高。如果在栅极与沟道间用一绝缘层隔开,便制成了绝缘栅型场效应管,其输入电阻可提高到 。根据绝缘层所用材料之不同,绝缘栅场效应管有多种类型,目前应用最广泛的一种是以二氧化硅(SiO2)为绝缘层的金属一氧化物一半导体(Meial-Oxide-Semiconductor)场效应管,简称MOS场效应管(MOSFET)。它也有N沟道和P沟道两类,每类按结构不同又分为增强型

2009-3-8

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。下面介绍用万用表检测IGBT管的方法。 IGBT管好坏的检测 IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测,或用数字万用表的二极管挡来测量PN结正向压降进行判断。 检测前先将IGBT管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;

2009-5-22

整流二极管通常应用于电源电路中,利用其单向导电性将交流电转换成直流电。 整流二极管和普通二极管的区别是:整流二极管的PN结面积较大,故结电容比较大,不适合在高频条件下工作,同时正向电流比较大,反向击穿电压比较高,适合于大功率、高电压下工作。目前整流二极管基本为由硅材料制造,稳定性好,比较耐高温。 整流二极管P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(硅管为0.7

2008-5-17

第一节 学习要求 (1)了解半导体器件中扩散与漂移的概念、PN结形成的原理。 (2)掌握半导体二极管的单向导电特性和伏安特性。 (3)掌握二极管基本电路及其分析方法。 (4)熟悉硅稳压管的稳压原理和主要参数。 第二节半导体的基本知识 多数现代电子器件是由性能介于导体与绝缘体之间的半导体材料制成的。为了从电路的观点理解这些器件的性能,首先必须从物理的角度了解它们是如何工作的。 一、半导体材料 从导电性能上看,物质材料可分为三大类: 导体: 电阻率 10-4 cm 绝缘体:电阻率

2009-6-4

半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用 (一)LED发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电

2008-5-17

单结晶体管(简称UJT)又称双基极二极管,它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件,它的基片为条状的高阻N型硅片,两端分别用电阻接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电路如图1所示。 图1、单结晶体管 一、单结晶体管的特性 从图1可以看出,两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻: rbb=rb1+rb2 式中:rb1----第一基极与发射结之间的电阻,其数值随发射极电流ie而变化,rb2为第二基极与发射结之间的电阻

2008-10-31

一、单结晶体管的结构和等效电路 单结晶体管的外形 很象晶体三极管,它也有三个电极,称为发射极 e,第一基极b 1 ,第二基极b 2 ,又叫双基极二极管。因为只有一个PN 结所以 又称为 单结晶体管 。外形及符号如图(a)、(b)所示。图中发射极箭头指向b 1 ,表示经PN结的电流只流向b 1 极。 单结管的等效电路如图 (C)所示,r b1 表示e与b 1 之间的等效电阻,它的阻值受e-b 1 间电压的控制,所以等效为可变电阻。两个基极之间的电阻用 R bb 表示,即: R bb =R b1 +

2008-10-31

发光二极管的作用 发光二极管(LED)是一种由磷化镓(GaP)等半导体材料制成的、能直接将电能转变成光能的发光显示器件。当其内部有一定电流通过时,它就会发光。 发光二极管也与普通二极管一样由PN结构成,也具有单向导电性。它广泛应用于各种电子电路、家电、仪表等设备中、作电源指示或电平指示等。 发光二极管的分类 发光二极管有多种分类方法。 按其使用材料可分为磷化镓(GaP)发光二极管、磷砷化镓(GaA )发光二极管、砷化镓(GaAs)发光二极管、磷铟砷化镓(GaAsI )发光二极管和

2008-5-17

发光二极管,英文简称LED(Light Emitting Diode),固态半导体器件,用于将电能转换为光能。早期多用做指示灯,随着白光LED的出现也用做照明(半导体照明)。LED照明技术具有效率高、寿命长、能耗低、不易破损等特点,被誉为21世纪的新型光源。 发光二极管的发光波长及颜色由组成pn结的半导体物料的禁带能量所决定 铝砷化稼(AlGaAs)-红色及红外线 铝磷化稼(AlGaP)-绿色 aluminiumgalliumindiumphosphide(AlGaInP)-高亮度的

2009-4-29

变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件,被广泛地用于参量放大器、自动频率控制(AFC)、电子调谐及倍频器等微波电路中,变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系,并提高Q值以适合应用。 变容二极管又称可变电抗二极管。所用材料多为硅或砷化镓单晶,并采用外延工艺技术。反偏电压愈大,则结电容愈小。变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。 变容二极管的主要特性参数 ①最高反向工作电压VR:是指加在变容二极管两端的反向电压不能超过

2008-10-23

可控硅也称晶体闸流管(晶闸管),普通单向可控硅是一种PNPN四层半导体器件,内含三个PN结,有三个引出电极,分别是阳极A,阴极K和控制极G。而双向可控硅则为NPNPN 五层半导体器件,三个电极分别是门极G、第一阳极T1、第二阳极T2。下面介绍其工作理和电极的判定。 1、工作原理 可控硅是P1N1P2N2 四层三端结构元件,共有三个PN 结,分析原理时,可以 把它看作由一个PNP 管和一个NPN 管所组成,其等效图解如图1所示 当阳极A 加上正向电压时,BG1 和BG2 管均处于放大状态。此时,

2009-4-30

用数字万用表二极管档测量晶体管的PN结可以判断部分晶体管参数是否正常,下面介绍用数字万用表二极管档测量二极管、三极管、晶闸管、光耦合器的经验。 测量二极管 数字万用表二极管档开路电压约为2.8V,红表笔接正,黑表笔接负,测量时提供电流约为1mA,显示值为二极管正向压降近似值,单位是mV或V。硅二极管正向导通压降约为0.3~0.8V。锗二极管锗正向导通压降约为0.1~0.3V。并且功率大一些的二极管正向压降要小一些。如果测量值小于0.1V,说明二极管击穿,此时正反向都导通。如果正反向均开路

2009-3-21

(一)普通二极管的检测 (包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。 1.极性的判别 将万用表置于R100档或R1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接

2008-11-6

用指针式万用表检测场效应管的一些方法,判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测 1、用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电

2009-5-22

电压倍增电路 第一个是直流电压倍增电路。 采用方波(任何的振幅)信号控制晶体管交替导通。当控制电平为0V,下面的三极管导通,电容充电;当控制电平为6V,电容电压与电源电压叠加经二极管输出约10V电压。因为PN结压降,损失了约2V电压。 第二个也是直流电压倍增电路。区别是三极管对调了位置,这对控制信号提出了要求。控制电平必须高于5.6V或者低于0.4V,并且切换要迅速,否则两个三极管形成短路。 第三个是交流电压倍增电路。AC电压负半周对电容充电,正半周电容电压与电源电压叠加输出两倍的直流电压。

2013-11-11
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