晶体管元件查询
型号：SGD600N65W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：7 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.6 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管CS12N65A8RMTP10N40FQA8N100CIRFF220BUZ3492SK3687IXFN32N60IPA086N10N3G(086N10N)IRFB11N50AOR80H12FFSSUM-16(A)IPI110N20N3G(110N20N)AOD508IRF422FQP13N50C