I CBO 三极管发射极开路,集电极C和基极B之间的反向漏电流。 I CEO 三极管基极开路,集电极C和发射极E之间的反向漏电流。 I EBO 三极管集电极开路,发射极E和基极B之间的反向漏电流。 I C 集电极电流。 I CM 集电极最大允许电流。 P C 集电极耗散功率。 P CM 集电极最大耗散功率。 P T 总功耗。 Ptot总耗散功率。 V CEO 基极对地开路,发射极接地,集电极C与发射极E之间的最高耐压。 V CBO 基极接地,发射极对地开路,集电极C与基极B
2SA1215 是PNP型平面硅三极管,它主要应用于音频功率放大器、DC-DC大功率直流变换器等场合。具有高电流能力,高耗散功率,与2SC2921可组成互补对管。 2SA1215外形尺寸: 2SA1215极限参数(绝对最大额定值):(环境温度Ta=25℃) 集电极-基极反向电压V CBO :-160V 集电极-发射极反向电压V CEO :-160V 发射极-基极反向电压V EBO :-6V 集电极直流电流I C :-15A 集电极耗散功率P C :150W 结温Tj:150℃ 贮藏温度Tstg
单结晶体管(UJT)又称基极二极管,下面是早期国产单结晶体管BT31参数,它分为A~H共8个具体型号。 BT31A参数 分压比():0.3~0.55 基极间电阻(R BB ):3~6k E对B1间反向电压:60V 反向电流:1A 峰值电流:2A 饱和压降:4V 调制电流:9~30mA 耗散功率:300mW BT31B参数 分压比():0.3~0.55 基极间电阻(R BB ):5~10k E对B1间反向电压:60V 反向电流:1A 峰值电流:2A 饱和压降:4V 调制电流:9~30mA 耗散功率
单结晶体管(UJT)又称基极二极管,下面是早期国产单结晶体管BT33参数,它分为A~H共8个具体型号。 BT33A参数 分压比():0.3~0.55 基极间电阻(R BB ):3~6k E对B1间反向电压:60V 反向电流:1A 峰值电流:2A 饱和压降:5V 调制电流:9~40mA 耗散功率:500mW BT33B参数 分压比():0.3~0.55 基极间电阻(R BB ):5~10k E对B1间反向电压:60V 反向电流:1A 峰值电流:2A 饱和压降:5V 调制电流:9~40mA 耗散功率
一、1815三极管引脚定义图 二、1815三极管封装尺寸 三、1815三极管参数 集电极-基极击穿电压(V CBO ):60V 集电极-发射极击穿电压(V CEO ):50V 发射极-基极击穿电压(V EBO ):5V 集电极电流(I C ):150mA 基极电流(I B ):50mA 耗散功率(P C ):400mW 集电极-发射极饱和压降(V CE ):0.25V 特征频率(fr):80MHz 因生产厂商不同1815三极管会有不同前缀,如C1815、2SC1815、KSC1815等,其特
1N4148和1N4448是高速开关二极管,平面技术制造。 特征 SOD27玻璃封装 (DO-35 ) 高开关速度:反向恢复时间最大 4纳秒 连续反向电压:最大 75伏 重复峰值反向电压:最大 100伏 重复峰值正向电流:最大 450毫安。 1N4148和1N4448主要参数: 正向平均电流I F =200mA 非重复正向峰值电流I FSM =2A 耗散功率Pd=500mW 最高结温Tj=200℃ 贮存温度Tstg=-65℃~200℃ 结电容Cd=4pF 正向恢
2SA2151/2SC6011是日本SANKEN(三肯)公司生产的音响对管,其中2SA2151为硅PNP型三极管,2SC6011为硅NPN型三极管。它们采用相同的TO-3P封装,外形和管脚排列如下: 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 2SA2151/2SC6011音响对管的主要参数: 集电极-基极最高耐压=230V 集电极-发射极最高耐压=230V 发射极-基极最高耐压=6V 最大集电极电流=15A 最大耗散功率=160W 最高结温=150℃ 贮存温度=-55~150℃ 直流放大系数=
3DD13001是硅NPN型小功率开关三极管,主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。采用TO-251封装的3DD13001管脚排列如图: 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 3DD13001主要参数: 集电极最大耗散功率P CM =1.2W (Tamb=25℃) 集电极最大允许电流I CM =0.2A 集电极-基极反向击穿电压BV CBO =600V 集电极-发射极反向击穿电压BV CE
3DD13003是硅NPN型高反压开关三极管,主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关电源电路中。采用TO-220封装的3DD13003管脚排列如图 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 3DD13003主要参数: 集电极-基极最高耐压V CBO =700V 集电极-发射极最高耐压V CEO =400V 发射极-基极最高耐压V EBO =9V 集电极电流I C =1.5A 耗散功率P C =40W 结温T j =150℃ 贮藏温度T STG =-55~150℃ 直流放大系数H FE =5
3DD4515是大功率开关三极管,硅材料NPN型,平面扩散工艺制造。具有耐压高、耗散功率大、电流特性好、开关速度快等特点。3DD4515主要用于开关电源、变频器、功率开关转换等电路中。它采用TO-3PN封装,外形和管脚排列如图: 1脚:基极B; 2脚:集电极C: 3脚:发射极E 3DD4515 主要参数: 极限参数(Tc=25℃) 集电极-基极电压V CBO :700 V 集电极-发射极电压V CEO : 400 V 发射极-基极电压V EBO : 9 V 集电极电流I C : 15 A 集电极
3DF50C开关三极管主要用于大功率开关电源电路,封装形式:TO-3PIII,它的封装外形如图: 3DF50C的主要参数:(除非另有规定Tamb=25℃) 集电极-发射极反向击穿电压(V CEO )200V 集电极-基极反向击穿电压(V CBO )250V 发射极-基极反向击穿电压(V EBO )7.0V 集电极最大电流(I CM )50A 集电极最大耗散功率(P CM )500W 最高工作结温(T JM )150℃ 贮存温度范围(T STG )-50 ~ +155℃
7812是线性稳压集成电路,正电压固定输出稳压器,三端元器件。 主要用途: 适用于各种电源稳压电路。 主要特点: 输出稳定性好、使用方便、输出过流、过热自动保护。 封装形式: TO-220 引脚排序: 1脚:电压输入; 2脚:接地; 3脚:电压输出 7812极限参数:(Tc=25℃) 最大输入电压: 35 V 最大输出电流: 1.5 A 最大耗散功率: 20 W 最高结温: 150 ℃ 贮存温度: -55℃~+150 ℃ 7812电特性:(Tc=25℃) 输出电压:最小=11.5V; 典型=12
9014三极管(TO-92封装)管脚图 1、发射极2、基极3、集电极 9014三极管参数 集电极最大耗散功率P CM =0.4W(Tamb=25℃) 集电极最大允许电流I CM =0.1A 集电极基极击穿电压BV CBO =50V 集电极发射极击穿电压BV CEO =45V 发射极基极击穿电压BV EBO =5V 集电极发射极饱和压降V CE (sat)=0.3V (I C =100mA; I B =5mA) 基极发射极饱和压降V BE (sat)=1V (I C =100mA; I B =
9018是硅NPN型高频小功率晶体三极管,TO-92塑料封装,其外形和引脚排列如图: 引脚排列:从左至右依次为1、2、3脚 1脚:发射极; 2脚:基极; 3脚:集电极 9018三极管主要参数: 集电极-基极反向击穿电压BVCBO=30V 集电极-发射极反向击穿电压BVEBO=15V 发射极-基极反向击穿电压BVEBO=5V 最大集电极电流ICM=50mA 最大耗散功率PCM=400mW 最高结温TJ=150℃ 贮存温度范围TSTG=-55~150℃ 直流放大倍数HFE=28~200 特性频率f
AN7114是单声道音频功率放大器,集成电路采用14脚双列直插封装,封装外形如下: AN7114替换型号: AN7114E,AN7115(E),BH4100,CF4100,DG4100,F4100,LA4100,TB4100,SL4180,XG4100 AN7114在Vcc=6.0V,THD=10%,RL=4时,输出功率Po=1W;RL=8,输出功率Po=0.6W。 AN7114最高工作电压=11V,不加散热器时耗散功率1.2W,带散热器的条件下为2.25W。工作温度-2070℃。以下是它AN
AN7115是单声道音频功率放大集成电路,14脚双列直插式封装(与AN7114相同)。 AN7115在Vcc=9.0V,THD=10%,RL=4时,输出功率Po=2.1W。 极限参数:Vcc=13V,耗散功率(不带散热器)为1.2W,带散热器的条件下为2.25W。工作温度-2070℃。 AN7115音频功率放大IC的典型应用电路:
BC556,BC557,BC558,BC559均为小功率硅外延平面晶体管,用于小信号处理。采用TO-92封装,它们的外形和管脚排列如下: 1脚:集电极C; 2脚:基极B; 3脚:发射极E 极限参数: BV CEO :BC556=65V; BC557=45V; BC558/559=30V BV CBO :BC556=80V; BC557=50V; BC558/559=30V BV EBO :5V 耗散功率500mW; 集电极电流100mA 结温:150℃ 贮藏温度:-55~150℃ 电参数: 集电
CW117 是正电压可调输出的三端集成稳压器,输出电压可设定范围 1.25V~37V。Io=1.5A 时最小压差2.7V。 电路具有过流、过热和调整管安全工作区保护电路,在最大输入电压40V 范围内,可以保证电路安全工作。 主要参数: 最大输入电压:40V 最大输出电流:1.5A 最大耗散功率:20W\To-3;15W\To-220;15W\To-257;9.6W\SMD-1 基准电压:1.25V 调整端电流:50A 最小负载电流:3.5mA CW117后缀字母对应的封装外形: 1脚:调整端(
IRFU020 金属氧化物场效应管 封装:TO-251 材料:N-FET 用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管, 极限电压Vm:50V 极限电流Im:15A 耗散功率P:42W 导通电阻Rds:0.1 开关时间:83/39 国内外相似型号:J1025(A); MTD10N05EL
这是一个使用L200C电压调节器制作的稳压电源,具有可变电压和限定电流调节。 5针L200C调节器提供电压和电流调节。该IC还具有热关断和输入过电压保护,最高压差可达60伏直流。上述电路RSC = 0.45欧姆,因此电流限制为1安培。输出电压可在2.85V至36V间调节。电源电压必须大于最大输出电压几伏,对于36V的输出电压,输入电压Vcc必须在40V以上,如果你想得到9伏电压输出,输入电压应至少为12伏。 最大耗散功率 L200具有内部限制,以减少热量耗散。这种情况发生在内部结温达到150C
MJE13001是小功率高压高速开关三极管,典型应用:荧光灯电子镇流器。它采用TO-92封装,管脚排列如图: MJE13001主要参数: 集电极-基极最高耐压V CBO =500V 集电极-发射极最高耐压V CEO =400V 发射极-基极最高耐压V EBO =9V 集电极电流I C =0.3A 耗散功率P C =7W 结温Tj=150℃ 贮藏温度T STG =-50~150℃ 直流放大系数H FE =8~40
MJE13003是主要用于节能灯及荧光灯电子镇流器的高反压大功率开关三极管,硅NPN型,采用TO-126封装,它的外形和管脚排列如下: MJE13003主要参数 集电极-基极电压VCBO 700 V 集电极-发射极电压VCEO 400 V 发射极-基极电压VEBO 9V 集电极电流IC 2.0 A 集电极耗散功率PC 40 W 最高工作温度Tj 150 C 贮存温度Tstg -65-150 C 集电极-基极截止电流ICBO (VCB=700V) 100 A 集电极-发射极截止电流ICEO (V
MJE13005是高反压高速开关三极管,主要用于大功率节能灯及荧光灯电子镇流器、开关电源、电子变压器及功率开关转换电路等。具有耐高压、开关速度快、安全工作区宽、符合 RoHS 规范等特点。采用TO-262封装的MJE13005外形及管脚排列如下 MJE13005主要参数: 集电极-基极最高反向耐压V CBO :700V 集电极-发射极最高反向耐压V CEO :400V 发射极-基极最高反向耐压V EBO :9V 集电极最大允许电流I CM :5A 集电极最大耗散功率P CM :75W 最高工作
MJE13008、MJE13009是硅NPN型大功率高速开关三极管,具有耐压高、开关速度快、耗散功率大、电流特性好等特点。主要用于开关电源、电机控制等功率开关电路中。MJE13008/13009采用TO-220封装,它们的引脚排列如图所示 其中集电极C与散热片是相连的。 MJE13008/13009主要参数: C-B最高反向耐压V CBO :MJE13008:600V; MJE13009:700V C-E最高反向耐压V CEO :MJE13008:300V; MJE13009:400V E-B
这是一款在互联网上流传的7812三端稳压器扩流电路图,没有查到原文及电路分析介绍。有兴趣的电子爱好者可以试做检测其可行性。 7812最高输入电压不能超过35 V,最大输出电流 1.5 A,最大耗散功率约20 W,正常工作温度0-70℃。
图18050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列 图28050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列 8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用,当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管;8550 为硅材料PNP型三极管。 8050S 8550S S8050 S8550 参数 : 耗散功率0.625W(贴片:0.3W) 集电极电流0.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目
㈠三极管9013引脚图 ㈡三极管9013参数 最大耗散功率(P CM ):0.625W 最大集电极电流(I CM ):0.5A 集电极-发射极击穿电压(V CEO ):25V 集电极-基极击穿电压(V CBO ):45V 发射极-基极击穿电压(V EBO ):5V 集电极-发射极饱和压降(V CE ):0.6V 特怔频率(fr):150MHZ 放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 ㈢贴片9013引脚定义和封装参数
9015是硅PNP型小功率晶体三极管,与9014可组成对管。9015采用TO-92封装,它的外形和管脚排列如图: 9015三极管的主要参数: 集电极-基极最大反向耐压:50V 集电极-发射极最大反向耐压:45V 基极-发射极最大反向耐压:5V 集电极最大允许电流:100mA 集电极最大耗散功率:0.45W 最高工作结温:150℃ 贮藏温度范围:-55~150℃ 集电极-基极反向漏电流:0.05A (V CB =-50V; I E =0) 基极-发射极反向漏电流:0.05A (V BE =-5V
单结晶体管(UJT)又称基极二极管,下面是早期国产单结晶体管BT32参数,它分为A~H共8个具体型号。 BT32A参数 分压比():0.3~0.55 基极间电阻(R BB ):3~6k E对B1间反向电压:60V 反向电流:1A 峰值电流:2A 饱和压降:4.5V 调制电流:9~35mA 耗散功率:300mW BT32B参数 分压比():0.3~0.55 基极间电阻(R BB ):5~10k E对B1间反向电压:60V 反向电流:1A 峰值电流:2A 饱和压降:4.5V 调制电流:9~35mA
型号 最大耗散功率(W) 额定电压(V) 最大工作电流(mA) 可代换型号 1N708 0.25 5.6 40 BWA54、2CW28-5.6V 1N709 0.25 6.2 40 2CW55/B、BWA55/E 1N710 0.25 6.8 36
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