CMOS型555与双极型555的性能指标异同

发布时间 2009-05-12

  双极型555和CMOS型555因其制造工艺和流程的不同,生产出的555集成电路的性能指标也有所差异。表1列出了二者的主要电参数指标。

CMOS型555与双极型555主要电参数
表1 双极型555与CMOS型555主要电参数

  双极型555和CMOS的555的共同点:

  1. 二者的功能大体相同,外形和管脚排列一致,在大多数应用场合可直接替换。
  2. 均使用单电源,适应电压范围大,可与TTL、HTL、CMOS型数字逻辑电路等共用电源
  3. 555的输出为全电源电平,可与TTL、HTL、CMOS型等电路直接接口。
  4. 电源电压变化对振荡频率和定时精度的影响小。对定时精度的影响仅0.05%/V,且温度稳定性好,温度漂移不高于50ppm/℃(即0.005%/℃)。

  双极型555与CMOS型555的差异:

  1. CMOS型555的功耗仅为双极型的几十分之一,静态电流仅为300μA左右,为微功耗电路。
  2. CMOS型555的电源电压可低至2~3V;各输入功能端电流均为pA(微微安)量级。
  3. CMOS型555的输出脉冲的上升沿和下降沿比双极型的要陡,转换时间短。
  4. CMOS型555在传输过渡时间里产生的尖峰电流小,仅为2~3mA;而双极型555的尖峰电流高达300~400mA,如图1所示。
  5. CMOS型555的输入阻抗比双极型的要高出几个数量级,高达1010Ω。
  6. CMOS型555的驱动能力差,输出电流仅为1~3mA,而双极型的输出驱动电流可达200mA。

CMOS型555与双极型555的性能指标异同
图1 双极型555与CMOS型555尖峰电流对比

  通过上面对两种型号的555的比较,在进行电路设计和应用时,应视具体情况选择型号。一般来说,在要求定时长、功耗小、负载轻的场合,宜选用CMOS型的555.而在负载重、要求驱动电流大、电压高的场合,宜选用双极型的555.此外,由于双极型的冲击峰值电流大,在电路中应加电源滤波电容,且容量要大。双极型555的输出阻抗远比CMOS型的输入阻抗低,一般要在555的电压控制功能端加一去耦电容(0.01~0.1μF),而CMOS型555可不加。CMOS型555的输入阻抗高达1010Ω量级,很适合做长延时电路,RC时间常数一般很大。

  负载驱动能力方面,双极型555可直接驱动低阻负载,如继电器、小直流电机、扬声器等。CMOS型555只可直接驱动高阻抗负载。若驱动低阻负载,可在输出端加接三极管驱动,如图2所示。

CMOS型555与双极型555的性能指标异同
图2 CMOS型555输出端加接三极管驱动负载

标签: 555, CMOS, 双极型, 性能
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