双极型５５５和CMOS型５５５因其制造工艺和流程的不同，生产出的５５５集成电路的性能指标也有所差异。表１列出了二者的主要电参数指标。 表１双极型５５５与CMOS型５５５主要电参数 双极型５５５和CMOS的５５５的共同点： 二者的功能大体相同，外形和管脚排列一致，在大多数应用场合可直接替换。 均使用单电源，适应电压范围大，可与TTL、HTL、CMOS型数字逻辑电路等共用电源。 ５５５的输出为全电源电平，可与TTL、HTL、CMOS型等电路直接接口。 电源电压变化对振荡频率和定时精度

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。下面介绍用万用表检测IGBT管的方法。 IGBT管好坏的检测 IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的二极管挡来测量PN结正向压降进行判断。 检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；

3DG9018是硅NPN型高频小功率双极型晶体管，主要用于调幅调频中频放大器及VHF调谐器的本振。 管脚排列： １脚：发射极E； ２脚（中间）：集电极C； ３脚：基极B 3DG9018的特点如下： 频率特性好 反向漏电小 饱和压降低 电流特性好 封装形式 TO-92 3DG9018极限参数（除非另有规定 Tamb= 25℃ ） 集电极-发射极电压（V CEO ）： 15 V 集电极-基 极电压（V CBO ）： 30 V 发射极-基 极电压（V EBO ）： 5 V 集电极电流 （I C ）：

一、单极型晶体管 单极型晶体管也称 场效应管 ，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。 特点： 输入电阻高，可达10 7 ~ 10 15 ，绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 10 15 。 噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。 分类： 根据材料的不同可分为 结型场效

分立元件功放虽然制作较为复杂，对理解功率放大原理却有很大帮助，现为两款分立元件功放电原理图，正负双电源OCL电路模式，元件参数均已标出，供电子爱好者制作参考。 １、12管双极型晶体管OCL功率放大电路（点击电路图放大） ２、双极型晶体管、场效应晶体管混合OCL功率放大电路（点击电路图放大）

彩电集成电路TA8772N：PAL/NTSC/SECAM基带一行延迟处理 TA8772N是东芝公司推出的PAL/NTSC/SECAM基带一行延迟处理专用集成电路，内部包含有一片双极型芯片及一片CCD芯片。其中的双极型部分集成了AGC处理电路、低通滤波器、直流钳位电路、行频压控振荡器等，CCD部分有两个延时电路，用于对两个色差信号的处理。 该集成电路可与东芝公司的TA8880等大规模小信号处理芯片相配合完成色度解码处理。 引脚序号 标 号 功 能

下面的触摸开关电路点亮20瓦的灯，当触点被触及，皮肤电阻约为2兆欧或更少。在左侧的电路采用了功率MOSFET的导通时，源极和栅极之间的电压大约是6伏。MOSFET的栅极不汲取电流，从而在所述栅极上的电压将是电源电压的一半或6伏，当跨越触摸接触电阻等于源极和栅极之间的固定电阻（2兆欧）。 右边的电路使用了三个双极型晶体管与引用到电源的负极或接地端的触摸接触完成相同的结果。因为双极型晶体管的基极汲取电流，电流增益通常小于200，三个晶体管通过高增益放大将触摸接触产生的微安级电流放大到所需要的几安培

高输入阻抗运算放大器5G28具有结型场效应 双极型相容工艺制作的单片集成电路，由于输入级采用P沟道级型场效应晶体管构成，因而具有输入阻抗高，转换速率高等优点，电路可作微电流放大，阻抗变换，高速D/A转换，高阻抗宽带放大等各种电路，并兼有通用型运算放大器的其它优点。 5G28运算放大器封装外形： 5G28运算放大器内部电路图： 5G28运放组成的甚低频有源滤波电路： 这是一个巴特沃兹四阶有源低通滤波器，适用于滤除直流电平信号上的甚低频随机脉冲噪声干扰电压，其截止频率(-3

CW1524/2524/3524是脉宽调制开关稳压电源控制器，双极型工艺，模拟、数字混合集成电路。内部电路包括：基准电压源、误差放大器、振荡器、脉宽调制器、触发器、两只输出功率晶体管及过流过热保护电路等。 CW1524/2524/3524的工作原理完全相同，区别在于工作温度不同（CW1524为I类军品，适于－55℃～＋125℃环境温度；CW2524为II类工业品，适于－40℃～＋85℃环境温度；CW3524为III类民品，适于0℃～＋70℃环境温度。）。 CW1524/2524/3524的输入电

电流型脉宽调制器 UC3842 的主要优点：单端输出，可直接驱动双极型功率管或场效应管；管脚数量少，外围电路简单；电压调整率可达 0.01%；工作频率更可高达 500 kHz；启动电流小于 1 mA，正常工作电流为 12 mA；欠压锁定，带滞后；锁存脉宽调制，可逐周限流；并可利用高频变压器实现与电网隔离。 它适用于无工频变压器的低于 250w的小功率开关电源，其工作温度为0～+70℃， 最高输入电压为36 V， 具有最大电流为1 A的拉、 灌输出电流 。 UC3842外形图 UC3842引脚图和

XR-1075：BBE音响增强音频处理器 XR-1075是在双声道音频集成电路中包含BBE音响增强功能的芯片.采用双极型技术制造工艺，可以做到低噪声、低失真和低功耗。采用18脚塑料DIP封装。它具有如下特性：无需额外的扬声器、固定或可变的低音提升和分辨率控制、无需预编码即可重现音乐会音响效果等特点。 XR-1075参考直流电压 在TCL 3438R机型上测定 序号 符号 直流电压（V） 序号 符号

文氏桥振荡器的三个例子如下所示。 第一个使用三个双极型晶体管。第二个使用的双极晶体管和JFET，第三个是采用一个运算放大器为最小的部位更受欢迎的类型。 我们的想法是产生于一些特定的频率使用2个电阻和同等价值的上限360度相移。一个电容和电阻是串联的，而另一个电容和电阻并联。通过网络的信号损失约为66％，因此放大器的增益需要大约3为1个环路增益。放大器的增益是至关重要的，因为太多的增益会产生限幅（扭曲）的波形和没有足够的增益不会维持振荡。这几乎是不可能实现的没有一些自动增益控制（AGC）来调节

一、 场效应管的分类 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、 场效应管的型号命名方法 现行场效应管有两种命名方法。 第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母j代表结型场效应管，o代表绝缘栅场

场效应管（Fjeld Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。 一、 结构与

如图所示，彩灯控制电路以三支５５５时基集成电路为核心，组成循环触发单稳延时电路，分别控制各路的SCR循环导通，彩灯依次点亮，形似流水。 在IC1的3脚呈高电平时，SCR1导通，它控制的灯亮，同时，3脚的高电位通过R3对C3充电，当充到C3上的电压高于6脚的阈值电平2/3VDD时，IC2置位，输出高电平，SCR2导通，它控制的灯亮，同时，对C3充电，，如此循环，导通，点亮。 SCR视灯的多少采用不同功率的可控硅，５５５时基集成电路采用双极型的，驱动电流可达150mA。

【题目1】： E4a046如何阅读运算放大器电路图？ 【相关知识】：集成运算放大电路的一般组成及其单元结构，如恒流源电路、差分放大电路、CC-CE、CC-CB电路和互补输出电路等。 【解题方法】：运算放大器主要由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路等四部分组成，如图1所示。 图1 运算放大器的偏置电路与分立放大电路的偏置电路设计有很大不同，主要由各种形式的恒流源电路实现，熟悉各种形式的恒流源电路是阅读运放电路的基础。 运算放大器的输入级通常是差分放大电路，其主要功能是抑制共模干扰和温漂，双极型