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25W 场效应晶体管(MOSFET)音频放大器电路 电路图 零件: R1,R4 = 47K 1/4W电阻 R2 = 4K7 1/4W电阻 R3 = 1K5 1/4W电阻 R5 = 390R 1/4W电阻 R6 = 470R 1/4W电阻 R7 = 33K 1/4W电阻 R8 = 150K 1/4W电阻 R9 = 15K 1/4W电阻 R10 = 27R 1/4W电阻 R11 = 500R 1/2W金属陶瓷微调 R12,R13,R16 = 10R 1/4W电阻 R14,R15 = 220R 1/

2013-11-14

这是对非稳态多谐振荡器的变体。电路是最近开发的用于测试N-氧化物半导体场效应晶体管(如IRF830那种功率管) 电路可以测试所有的坏MOSFET或所有故障MOSFET。如果MOSFET工作,将工作在非稳态多谐振荡器电路使LED闪烁。 一个坏的MOSFET不会导致LED闪烁。 下面是电路图,非稳态的另一半利用一个NPN晶体管,使得电路便宜。几乎所有的NPN晶体管能够工作在这个电路。 右边的NPN晶体管作为一级缓冲放大,驱动LED闪烁。

2013-12-15

一、 场效应管的分类 按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、 场效应管的型号命名方法 现行场效应管有两种命名方法。 第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母j代表结型场效应管,o代表绝缘栅场

2009-3-8

这是一台150W调频发射机放大器,88-108MHz频段。该放大器有两个放大阶段,使用BLF244场效应晶体管的第一阶段,需要0.5-1瓦RF输入功率,以获取约20瓦特输出功率,驱动最后放大阶段的SD1407可以获取接近200瓦的输出功率。这样的设计或更多或更少的宽带,我添加两个可变电容器在每个阶段获得最佳匹配。确保最后阶段SD1407后的微调和电容器是一种高电压类型,至少200V。在此放大器的电源可以通过使用电位器到BLF244场效应调节偏置电压而变化。我添加了一个齐纳二极管上的偏置电源,以保

2014-5-14

高输入阻抗运算放大器5G28具有结型场效应 双极型相容工艺制作的单片集成电路,由于输入级采用P沟道级型场效应晶体管构成,因而具有输入阻抗高,转换速率高等优点,电路可作微电流放大,阻抗变换,高速D/A转换,高阻抗宽带放大等各种电路,并兼有通用型运算放大器的其它优点。 5G28运算放大器封装外形: 5G28运算放大器内部电路图: 5G28运放组成的甚低频有源滤波电路: 这是一个巴特沃兹四阶有源低通滤波器,适用于滤除直流电平信号上的甚低频随机脉冲噪声干扰电压,其截止频率(-3

2009-3-2

IRFU020 金属氧化物场效应管 封装:TO-251 材料:N-FET 用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管, 极限电压Vm:50V 极限电流Im:15A 耗散功率P:42W 导通电阻Rds:0.1 开关时间:83/39 国内外相似型号:J1025(A); MTD10N05EL

2009-4-21

分立元件功放虽然制作较为复杂,对理解功率放大原理却有很大帮助,现为两款分立元件功放电原理图,正负双电源OCL电路模式,元件参数均已标出,供电子爱好者制作参考。 1、12管双极型晶体管OCL功率放大电路(点击电路图放大) 2、双极型晶体管、场效应晶体管混合OCL功率放大电路(点击电路图放大)

2009-6-27

这个电路类似于前文的一个,但采用了N沟道场效应晶体管代替NPN晶体管,如IRF530,540,640,等等。较小的MOSFET可以使用,但我不知道有哪些型号。我测试的电路使用了IRF640,IRFZ44,IRFZ34和REP50N06。 该电路具有相同的三个优点,只需要几个元件,电源首次接通继电器总是停用状态,并且不需要任何开关去抖。 在操作中,当继电器被去激活时,100uF的电容将充电到6伏。当按钮被按下时,电容将适用于6伏到MOSFET的栅极将其打开。电容电压(栅极电压)在约200毫秒将从

2014-3-17

场效应晶体管(Field Effect Transistor)英文缩写FET,简称场效应管,是根据晶体三极管的原理开发出的新一代放大元件,由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。场效应管有3个电极:栅极,漏极,源极。栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。它同时具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,是电流控制型晶体管的强大竞争者。 场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类。 按沟道材料:结型和绝

2008-7-6

F081运放做的调光电路如下图(点击放大) 运放F081: F081运放结合了结型场效应晶体管及高性能双极晶体管的优点,在同一芯片上制作的单片集成电路,具有高的转换速率、输入偏置低、失调电压温漂低等特点。可用于传感放大器,高阻抗缓冲放大器。 F081运放特点: 低输入偏置电流:30PA 高输入阻抗1012 转换速率较高:13v/s 输出短路保护

2009-5-10
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