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本电路中,555时基电路构成了一个压控式振荡器,控制端配合场效应管可实现占空比的大范围调节,电路如图 电路中,555时基、电阻R1、R2、电容C1~C3及三极管VT1构成一个压控式多谐振荡器,场效应管(JFET)VT在这里等效为压控电阻,通过改变其门(G)-源(S)电压VGs可改变VT-的漏(D)、源(S)间的阻抗。 接在场效应管漏极D和源极S的耦合电容C1、C2,用于防止其余电路的直流电压对JFET的影响。为不使耦合电容影响时基电路的充、放电时间,C1、C2的大小宜选为定时电容C3容

2009-3-29

该电路的恒定输出电流能在0~50mA的范围内调节,对应的压控电压范围为0~2.5V。电路采用了微功耗精密运算放大器LT1466L。 运放A1相对于正向电源给出可变基准电压,运放A2使敏感电阻R3两端电压与该基准电压相等。相应的电流由电压源给出,工作电压范围4~16V。电流源在全电流50mA范围运行时输出阻抗大于10V/A。全范围的精度主要取决于敏感电阻的精度。运放A2的Voc形成的误差最大只有80A,即只是全范围的0.16%。

2009-5-20

如图所示由MC1046B构成的压控正弦波振荡电路。当控制输入电压为0~5V时,输出可获得频率为0~20kHz的正弦信号。 频率范围由电阻R1和电容C决定,改变电阻和电容可改变振荡频率。若在12脚外接电阻R2,可移动振荡频率范围。如果选择R2=2R1,则振荡频率变为10~30kHz。

2008-11-10

本电路是利用555控制端(Vc)5脚的电压高低,改变其振荡频率和占空比的压控式多谐振荡器。 555和R1、R2、C1等组成无稳态多谐振荡器。其控制端通过RP1可改变其控制电压的高低,对芯片内比较器A1的反相端电压进行控制,调节比较器的比较基准电压值,进而改变了RS触发器的翻转电平及充放电回路的时间常数。 由图(b)所示的输出脉宽与控制电压Vc的关系曲线可见,Vc的变化对C1充电时形成的正脉冲宽度的影响圈套,而对C1放电时形成的负脉冲宽度影响很小。Vc在0.5~4.5V内变化时,正脉冲宽

2009-3-29

锁相的意义是相位同步的自动控制,能够完成两个电信号相位同步的自动控制闭环系统叫做锁相环,简称PLL。它广泛应用于广播通信、频率合成、自动控制及时钟同步等技术领域。锁相环主要由相位比较器(PC)、压控振荡器(VCO)。低通滤波器三部分组成,如图1所示。 压控振荡器的输出Uo接至相位比较器的一个输入端,其输出频率的高低由低通滤波器上建立起来的平均电压Ud大小决定。施加于相位比较器另一个输入端的外部输入信号Ui与来自压控振荡器的输出信号Uo相比较,比较结果产生的误差输出电压U正比于Ui和Uo两个信

2009-6-16

这个PLL锁相环调频发射机频率非常稳定,可以进行数字编程。发射器将工作在88-108 MHz频率范围,输出功率高达500mW。用一个小的变化可以设置50-150兆赫的频率。输出功率通常被设置为几瓦的晶体管。所以因此我决定建立一个简单的发射器。这种发射器的频率可以很容易地通过软件和扩展/压缩空气线圈来改变。该发射器是考毕兹振荡器。振荡器是一个VCO(电压控制振荡器),这是由PLL电路(LMX2306)和PIC微控制器(PIC16F870)控制。该振荡器被称为Colpitts振荡器和电压控制,以实现

2014-5-15

晶振一般采用如图1a的电容三端式(考毕兹) 交流等效振荡电路;实际的晶振交流等效电路如图1b,其中Cv是用来调节振荡频率,一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现,这也是压控作用的机理;把晶体的等效电路代替晶体后如图1c。其中Co,C1,L1,RR是晶体的等效电路。 分析整个振荡槽路可知,利用Cv来改变频率是有限的:决定振荡频率的整个槽路电容C=Cbe,Cce,Cv三个电容串联后和Co并联再和C1串联。可以看出:C1越小,Co越大,Cv变化时对整个槽路电容的作用就越小。因而能压控的频率范围

2008-10-31

本例介绍的超声波驱鼠器,能产生18~30kHz的扫频超声波,驱逐老鼠及各种害虫。超声波驱鼠器电路由无稳态多谐振荡器、射极跟随变换器、压控振荡器(YC0)、驱动放大电路和超响度压电陶瓷扬声器HA组成,电路如图所示。 无稳态多谐振荡器由时基集成电路IC1和电阻器R1~R3、电容器C1等组成。 射极跟随变换器由晶体管V及其偏置元件组成。 压控振荡器(VCO)由锁相环集成电路IC2和外围阻容元件组成。 驱动放大电路采用TWH68专用放大模块(内含功率放大电路和铁氧体升压变压器等

2009-7-11

567为通用音调译码器,当输入信号于通带内时提供饱和晶体管对地开关,电路由I与Q检波器构成,由电压控制振荡器驱动振荡器确定译码器中心频率。用外接元件独立设定中心频率带宽和输出延迟。 主要用于振荡、调制、解调、和遥控编、译码电路。如电力线载波通信,对讲机亚音频译码,遥控等。 用外接电阻20比1频率范围 逻辑兼容输出具有吸收100mA电流吸收能力。 可调带宽从0%至14% 宽信号输出与噪声的高抑制 对假信号抗干扰 高稳定的中心频率 中心频率调节从0.01Hz到500

2008-10-21

LT1466L是微功耗精密型满幅度输入和输出双路运算放大器。该LT1466L共8个引脚,有两种封装,一种是标准的双列直插式塑料封装(PDIP),还有一种是SO-8的表面安装外形。其引脚功能和排列如图所示: LT1466L的典型应用电路,压控式恒流源电路: LT1466L主要参数: 电源电压:2V~5V(最大8V) 工作电流:75A(最大) 典型输入偏置电流:6nA 最大输入电流:15mA 共模抑制比: 83dB Min 增益带宽:120kHz 工作

2009-5-20

MAX2606是MAXIM公司生产的新型调频发射芯片,该芯片内部集成了由变容二极管组成的压控振荡器,只需外接少量元件就能组成一台高品质调频发射机。 MAX2606采用SOT23-6微型封装,其外形如图1所示 MA2606的① 脚外接电感用于平均频率(中心频率)调整,改变该电感的值,可以调整MAX2606的平均频率,如同2所示。MAX2606的③脚为工作频率调整端,调整该脚的直流电压即可改变MAX2606内部电路的振荡频率,进而达到调整发射频率的目的。③脚电压与发射频率关系如图3所示。 MAX2

2008-11-10

MAX2606是MAXIM公司生产的新型调频发射芯片,该芯片内部集成了由变容二极管组成的压控振荡器,只需外接少量元件就能组成一台高品质调频发射机。 MAX2606采用SOT23-6微型封装,其外形如图1所示MA2606的①脚外接电感用于平均频率(中心频率)调整,改变该电感的值,可以调整MAX2606的平均频率,如同2所示。MAX2606的③脚为工作频率调整端,调整该脚的直流电压即可改变MAX2606内部电路的振荡频率,进而达到调整发射频率的目的。③脚电压与发射频率关系如图3所示。 MAX2

2008-11-20

一个简单的调频发射机电路,使用一个MAX2606调频发射芯片。它可以将家庭音响系统的音频发射到FM频段,用便携式调频收音机收听。例如,可以在家里后院收听室内设备播放的音频。 MAX2606集成变容二极管的电压控制振荡器。其标称的振荡频率是由电感L1决定,取390nh,在100MHz的频率。然后让你通过调整电位器R1在88MHz至108MHz调频波段选择一个频道。输出功率约为-21dBm 50(大多数国家接受调频波段10dBm以下的发射)。 R3和R4把左和右音频信号汇合,衰减电位器R2是可选的

2014-5-14

STR-F6656系列开关电源混合厚膜集成电路,其内部包括启动电路(START)、振荡电路(OSC)、锁存器(LATCH)、驱动电路、开关调整管、以及过流保护电路(OCP)、过压保护电路(OVP)、过热保护电路(TSD)等。 在TCL**型机上测定 引脚功能和参考电压 序号 符号 功能 直流电压(V) 1 过流检测信号输入及稳压控制信号输入 1.8 2 开关管源极 3

2009-5-3

TDA4665:基带延迟行线路 TDA4665集成基带延迟行电路,带一个行延迟。适用于带色差信号输出(R-Y)及(B-Y)的解码器。它具有双梳状滤波器,应用开关电容技术,对应一个线路延迟时间(64us)、SECAM色彩载波之间无色度-亮度干扰(横向光性)、可处理负的或正的色差信号输入信号、AC耦合输入信号((R-Y)及(B-Y))箝位、无须外接元件的压控振荡器(VCO)、从6MHz 电流振荡器(CCO)可得到3MHz内部时钟信号,通过沙塔脉冲实现的行锁定(64us的行)、采样-保持电路及低通滤波

2009-5-4

关于TDA7000的FM接收器 这个简单的单芯片FM接收器/电视调谐器可以让你接收70MHz-120MHz的频率。有了这个小接收器,可以接收整个88 - 108MHz的FM波段,航空飞机的谈话和其他许多私人的FM传输。 这是一个完美的伴侣,与任何调频发射机,特别是如果你所在地区的FM频段非常拥挤。TDA7000接收器提供了非常良好的灵敏度,因此它甚至可以让你收听到不能被传统的FM接收器听到的较弱的信号。 一个整洁的功能介绍TDA7000调频接收机类似于在电视机中使用电视调谐器的电压控制振荡器。频

2014-5-16

第一款:CD4046与TWH8751组成D类放大电路 工作原理: MIC拾取的音频信号经IC1运放CA3160放大后,由IC2锁相环电路9脚输入,经内部压控振荡器VCO转换成变频方波,再通过内部相位比较器1比较放大后从2脚输出,通过VT1去推动IC3工作,然后由IC3功率放大后推动扬声器发音。IC2锁相环电路的9脚无信号输入时,2脚输出电平为0V,IC3停止工作。 元件选择: VT1选用9014,VD1选用1N4001,IC1运放选用CA3160,IC2锁相环电路选用CD404

2009-2-13

一、单极型晶体管 单极型晶体管也称 场效应管 ,简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件,由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与导电,故称为单极型晶体管。 特点: 输入电阻高,可达10 7 ~ 10 15 ,绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 10 15 。 噪声低,热稳定性好,工艺简单,易集成,器件特性便于控制,功耗小,体积小,成本低。 分类: 根据材料的不同可分为 结型场效

2009-5-7

冠捷AOC LM540型液晶彩显电源电路以SG6841为核心构成,这种电源还在冠捷AOC LM923、冠捷AOC LM925、冠捷AOC LM927U、翰宇P170、宏基Acer AL1713、华硕MM19S、联想LXB-L15C等型号的液晶彩显中使用,为此,本文以该款电源为例介绍其维修方法。 一、SG6841介绍 SG6841是崇贸科技公司推出的具有绿色工作模式的电源控制集成块,负责产生开关脉冲(PWM脉冲),完成稳压控制及各种保护等任务。该器件可用于打印机、液晶彩显、电源适配器等场合。SG6

2010-12-27

变容二极管是受电压控制的电子可变电容。换句话说,变容二极管表现出来的电容是反偏电势的函数。这种现象导致了变容二极管在一些需要考虑电容因素的场合的几种常见应用。 图1为一个典型的变容二极管调谐的lc振荡电路。电路耦合电感l2,的作用是当振荡电路被当作射频放大器使用时,将射频信号输人到振荡电路。主要的 lc振荡电路包括主电感l1,和电容c1与cr1的串联电容。除此之外,还要考虑广泛存在于电子线路的杂散电容cs。隔直电容和串联电阻的功能前面已经介绍过了。电容c2的作用是对调谐电压vin,进行滤波

2009-5-21

家庭使用液化气、煤气作燃料的越来越多,但是这些气体有害、易爆炸,隐患事故多,如气体泄漏时不能及时发现和处理,会给家庭及邻居带来灾难性危害。本文介绍的这种瓦斯报警器适用于天然气、煤气、液化石油气等泄漏报警。 工作原理 该装置电路工作原理见图1,它是由电源电路、传感器电路、压控振荡器电路及报警电路等组成。220V市电经电源变压器T1降压至5.5V左右,不用整流、滤波直接作为气敏半导体传感器QM-N10的加热电压。控制电路的供电则是由U全桥整流、C1滤波后供给的。QM-N10气敏半导体传感器在洁净空气

2008-11-27

彩电集成电路TA8772N:PAL/NTSC/SECAM基带一行延迟处理 TA8772N是东芝公司推出的PAL/NTSC/SECAM基带一行延迟处理专用集成电路,内部包含有一片双极型芯片及一片CCD芯片。其中的双极型部分集成了AGC处理电路、低通滤波器、直流钳位电路、行频压控振荡器等,CCD部分有两个延时电路,用于对两个色差信号的处理。 该集成电路可与东芝公司的TA8880等大规模小信号处理芯片相配合完成色度解码处理。 引脚序号 标 号 功 能

2009-3-31

彩电集成电路TDA4665:基带延迟行线路 TDA4665集成基带延迟行电路,带一个行延迟。适用于带色差信号输出(R-Y)及(B-Y)的解码器。 TDA4665具有双梳状滤波器,应用开关电容技术,对应一个线路延迟时间(64us)、SECAM色彩载波之间无色度-亮度干扰(横向光性)、可处理负的或正的色差信号输入信号、AC耦合输入信号((R-Y)及(B-Y))箝位、无须外接元件的压控振荡器(VCO)、从6MHz 电流振荡器(CCO)可得到3MHz内部时钟信号,通过沙塔脉冲实现的行锁定(64us的行)

2009-3-31

红外线自动洗手器除了方便、节水,还能防止多人使用可能造成交叉感染等。下面是一款自动洗手器电路 电路原理简介:220V交流电路经变压器T降压,变为9V交流电,再由~桥式整流,C1滤波,三端稳压集成电路7806稳压,得到6V直流电供给控制电路工作。LED1为红色发光二极管,用作洗手器的电源指示。A1为红外接收电路SFH506-38,A2为锁相环音频译码器LM567,A2与R3、C6组成振荡器,R3、R6决定A2内部压控振荡器的中心频率,LM567的3脚为信号输入端,8脚为逻辑输出端,该输出是一

2008-12-22

场效应管(Fjeld Effect Transistor简称FET )是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件,故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件,只依靠一种载流子参与导电,故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比,它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管有两大类,结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET,后者性能更为优越,发展迅速,应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。 一、 结构与

2009-3-8

场效应晶体管(Field Effect Transistor)英文缩写FET,简称场效应管,是根据晶体三极管的原理开发出的新一代放大元件,由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。场效应管有3个电极:栅极,漏极,源极。栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。它同时具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,是电流控制型晶体管的强大竞争者。 场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类。 按沟道材料:结型和绝

2008-7-6
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