一、 场效应管的分类 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、 场效应管的型号命名方法 现行场效应管有两种命名方法。 第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母j代表结型场效应管，o代表绝缘栅场

场效应管控制工作电流的原理与普通晶体管完全不一样，要比普通晶体管简单得多，场效应管只是单纯地利用外加的输入信号以改变半导体的电阻，实际上是改变工作电流流通的通道大小，而晶体管是利用加在发射结上的信号电压以改变流经发射结的结电流，还包括少数载流子渡越基区后进入集电区等极为复杂的作用过程。场效应管的独特而简单的作用原理赋予了场效应管许多优良的性能，它向使用者散发出诱人的光辉。 场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性，即场效应管的源极和漏极是可

场效应管（Fjeld Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。 一、 结构与

用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测 １、用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电

在结型场效应管中，栅极和沟道间的PN结是反向偏置的，所以输入电阻很大。但PN结反偏时总会有一些反向电流存在，这就限制了输入电阻的进一步提高。如果在栅极与沟道间用一绝缘层隔开，便制成了绝缘栅型场效应管，其输入电阻可提高到 。根据绝缘层所用材料之不同，绝缘栅场效应管有多种类型，目前应用最广泛的一种是以二氧化硅（SiO2）为绝缘层的金属一氧化物一半导体（Meial-Oxide-Semiconductor）场效应管，简称MOS场效应管（MOSFET）。它也有N沟道和P沟道两类，每类按结构不同又分为增强型

场效应晶体管（Field Effect Transistor）英文缩写FET，简称场效应管，是根据晶体三极管的原理开发出的新一代放大元件，由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。场效应管有3个电极：栅极，漏极，源极。栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。它同时具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，是电流控制型晶体管的强大竞争者。 场效应管的分类： 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类。 按沟道材料:结型和绝

VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（108W）、驱动电流小（0.1A左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 V

这个简单的电路混合两个或更多通道为一个通道（如立体声到单声道）。该电路可以混合尽可能多或尽可能少的渠道，你喜欢和功耗极低。该混频器显示具有两个输入，但你可以添加你想要的只是通过复制前端电路，这显然是在原理图上可见。 电路利用场效应管兆欧级的高输入阻抗实现多路信号的合并。 配件 R1，R310K电位器 R2，R4100K 1/4 W电阻 R56.8K 1/4 W电阻 C1，C2，C30.1uF电容 Q12N3819结型场效应管 备注 尽可能多或尽可能少的信道作为需要可以加入到混合器中。通过只复

IRFU020 金属氧化物场效应管 封装：TO-251 材料：N-FET 用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管, 极限电压Vm：50V 极限电流Im：15A 耗散功率P：42W 导通电阻Rds：0.1 开关时间：83/39 国内外相似型号：J1025(A); MTD10N05EL

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。 其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而

TDA4605-2：场效应功率管驱动电路 TDA4605-2场效应功率管驱动电路主要特性：其折迭返回特性对外部元件具有过载保护功能；对次级短路情况下具有突发脉冲工作功能；控制环开路或短路具有保护功能。若电源电压过低就能关闭电源；折迭点具有交流电压的补偿；寂静启动且软启动使变压器不产生噪声；具有芯片过热保护；在芯片上有对付变压器寄生振荡的振铃抑制器。 TDA4605-2引脚功能 在TCL***型机上测定 序号 符号 功能 序

3个LED追逐灯 在这个电路中的LED产生追逐模式类似在视频商店运行的LED显示屏。 所有晶体管将尝试来施加电源时，在相同的时间，有的晶体管会更快，因为其内部的特点，有些晶体管会得到不同的导通电流，由于电解22U的精确值。 该电路可以扩展到任何数量的奇数级。下一个电路，使用5个晶体管。 5个LED追逐灯 这是在3个LED追逐灯基础上扩展的5个LED追逐灯。 下面的电路产生一个稍微不同的效果，因为LED在晶体管发射极，不能混用不同颜色的LED。 使用场效应管的LED追逐灯 该电路采用场效应

这里介绍的逆变器（见图1）主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。 工作原理 这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。 一、方波的产生 这里采用CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的震荡频率不稳。电路的震荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax

一个紧凑的音频功率放大器，或用作通用低音炮，或高保真放大器。末级采用四只场效应管，工作电压67伏正负双电源。额定功率输出为140W到8W，200W到4欧姆。频率响应是在1dB以内从20Hz至80kHz。总谐波失真小于0.1％，全功率信号噪声比高于100dB。

25W 场效应晶体管（MOSFET）音频放大器电路 电路图 零件： R1，R4 = 47K 1/4W电阻 R2 = 4K7 1/4W电阻 R3 = 1K5 1/4W电阻 R5 = 390R 1/4W电阻 R6 = 470R 1/4W电阻 R7 = 33K 1/4W电阻 R8 = 150K 1/4W电阻 R9 = 15K 1/4W电阻 R10 = 27R 1/4W电阻 R11 = 500R 1/2W金属陶瓷微调 R12，R13，R16 = 10R 1/4W电阻 R14，R15 = 220R 1/

这是对非稳态多谐振荡器的变体。电路是最近开发的用于测试N-氧化物半导体场效应晶体管（如IRF830那种功率管） 电路可以测试所有的坏MOSFET或所有故障MOSFET。如果MOSFET工作，将工作在非稳态多谐振荡器电路使LED闪烁。 一个坏的MOSFET不会导致LED闪烁。 下面是电路图，非稳态的另一半利用一个NPN晶体管，使得电路便宜。几乎所有的NPN晶体管能够工作在这个电路。 右边的NPN晶体管作为一级缓冲放大，驱动LED闪烁。

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 管子类型 DTC114ES 50V 0.1A 0.25W NPN DTC124ES 50V 0.1A 0.25W PNP IRF130 100V 14A 79W NMOS场效应

如图所示，这是一种光控电位器的电路，所不同的是它采用双光敏管对称控制。当光源照射光敏管VT1，沟道电阻减小，音量提高；若照射VT2音量则降低，从而实现了光控音量调节。 该电位器每次开机时，由于C1的限制VT3管的G极电位为0V，沟道电阻为最大值，音量也就被控制在最小。 VT3选用3DJ6F或同类场效应管。VT1、VT2使用市售NPN型光敏管即可，C1、C2、C3选用6.3F／25V钽电解电容。电阻选用1／8W 金属膜电阻。

该电路是由约翰伦德格伦改编自拨动开关去抖的按钮。需要从一个位置接通和从另一个位置关掉负载，这个电路是有用的。任何数量的瞬间（N / O）开关或按钮可并行连接。 在原理图上的左侧的组合（10K，10uF和二极管）保证了电路接通电源时保持负载断开状态。如果初始上电状态不是一个问题，这些组件可以被省略。 当开关按下时，1uF电容被连接到220欧姆和33K电阻连接点，NPN晶体管截止，场效应管导通开启负载。释放按钮后，1uF电容通过1M电阻充电。第二次按下开关，1uF电容充电后的电压被加载到NPN晶体

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRC150 IR N 100 30 (TO-204AE) IRC250 IR N 200

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRFC9024 IR P -60 IRFC9034 IR P -60

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRFIP140 IR N 100 23 100 Iso TO-247 IRFIP150 IR N 100

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRFP341 IR N 350 10 150 TO-247AC IRFP342 IR N 400

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRF634 IR N 250 8.1 75 TO-220AB IRF635 IR N 250

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRF9Z10 IR P -50 -4.7 20 TO-220AB IRF9Z12 IR P -50 -4 20

表 1 整流和检波二极管 部标新型号 旧型号 最大整流电流I OM /mA 正向压降（平均值）U P /V 最高反向工作电压U RWM /V 反向漏电流（平均值） /F 不重复正向浪涌电流 工作频率 f

运算放大器输出过流保护 图１所示为运算放大器输出过流保护电路，在因某种原因(如输出短路等)使集成运放输出过流时，保护电路即成恒流源，使集成运放不至因输山过流而损坏。 图１运算放大器输出过流保护电路 图中，场效应管3DJ7按在集成运放输出端，并采用近似恒流源的接法。当电路工作正常时，场效应管呈现低阻抗，基本不影响电路的输出电压范围。当电路输出端短路时，场效应管呈现高阻抗，使电路输出电流得到了限制。 二极管D1的作用是，在电能输出负电压时，与场效应管一起构成恒流源。D2与D1相同，则是

一、单极型晶体管 单极型晶体管也称 场效应管 ，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。 特点： 输入电阻高，可达10 7 ~ 10 15 ，绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 10 15 。 噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。 分类： 根据材料的不同可分为 结型场效

本电路中，555时基电路构成了一个压控式振荡器，控制端配合场效应管可实现占空比的大范围调节，电路如图 电路中，555时基、电阻R1、R2、电容C1～C3及三极管VT1构成一个压控式多谐振荡器，场效应管(JFET)VT在这里等效为压控电阻，通过改变其门(G)-源(S)电压VGs可改变VT-的漏(D)、源(S)间的阻抗。 接在场效应管漏极D和源极S的耦合电容C1、C2，用于防止其余电路的直流电压对JFET的影响。为不使耦合电容影响时基电路的充、放电时间，C1、C2的大小宜选为定时电容C3容

用一般的万用表是不能测出晶振的好坏的，这里提供了一种简单而实用的晶振检验器，它只采用一个 N 沟道结型场效应管（FET），两个普通 NPN 小功率晶体三极管，一个发光管和一些阻容元件，便可有效的检验任何晶振的好坏。 如图所示，2N3823 结型 N 沟道场效应管（可用任何其它型号的同类小功率场效应管，如 3DJ6，3DJ7 等）与被测晶体（晶振）等组成一个振荡器，两个两个 NPN 三极管 2N3904（也可用其它任何型号的小功率 NPN 三极管）接成复合检波放大器，驱动发光二极管 LED。若被测