单结晶体管的结构 单结晶体管又称为双基极二极管，它的结构如图1所示。在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。两个基极之间的电阻为RBB，一般在2~15kW之间，RBB一般可分为两段，RBB = RB1+ RB2，RB1是第一基极B1至PN结的电阻；RB2是第一基极B2至PN结的电阻。单结晶体管的符号见图1的右侧。 图1 单结晶体管的结构、符号、等效电路 单结晶体管工

１. 判别管型和基极（ｂ极）： 根据晶体管Ｐ－Ｎ结正向电阻小、反向电阻大的特点，可以判别管子的基极和管子的类型（是ＰＮＰ型还是ＮＰＮ型）。把万用表拨到R１００或R１Ｋ的档上，先假设管子的一根管脚为基极，用万用表的红表笔接基极，黑笔分别接另外两个管脚，若万用表指针指示的电阻值均较少，则红表笔所接的是要找的基极，而且是ＰＮＰ型的管子；再将红、黑表笔对调（即用黑表笔接基极，红笔分别接另外两个管脚），这时若测量得到的电阻值均较大，则上述假设的基极是正确的。如果红表笔接基极，按上述的方法测量得到的电阻

单结晶体管（简称UJT）又称双基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用电阻接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电路如图1所示。 图1、单结晶体管 一、单结晶体管的特性 从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻： rbb=rb1+rb2 式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻

I CBO 三极管发射极开路，集电极C和基极B之间的反向漏电流。 I CEO 三极管基极开路，集电极C和发射极E之间的反向漏电流。 I EBO 三极管集电极开路，发射极E和基极B之间的反向漏电流。 I C 集电极电流。 I CM 集电极最大允许电流。 P C 集电极耗散功率。 P CM 集电极最大耗散功率。 P T 总功耗。 Ptot总耗散功率。 V CEO 基极对地开路，发射极接地，集电极C与发射极E之间的最高耐压。 V CBO 基极接地，发射极对地开路，集电极C与基极B

这是一个分立元件结构电路，而且非常简单，仅用了四只晶体三极管和电阻元件构成。电路图如下： 电路接通时，由于所有的晶体管都无法获得偏流而截止，指示灯LH不亮。触摸一下２-３极，ＶＴ２获得偏流导通，ＶＴ３随之获得基极偏流也导通，继而ＶＴ４也获得基极偏流导通，指示灯LH点亮。与此同时，ＶＴ４的导通使得其集电极所接100K电阻可以为ＶＴ３提供基极电流，ＶＴ３、ＶＴ４互锁，LH一直点亮。 触摸一下１-２极，ＶＴ１获得偏流导通，将ＶＴ３基极电流旁路，ＶＴ３截止，继而ＶＴ４因无基极电流也截止，LH熄灭。

9014三极管（TO-92封装）管脚图 １、发射极２、基极３、集电极 9014三极管参数 集电极最大耗散功率P CM ＝0.4W（Tamb=25℃） 集电极最大允许电流I CM =0.1A 集电极基极击穿电压BV CBO =50V 集电极发射极击穿电压BV CEO =45V 发射极基极击穿电压BV EBO =5V 集电极发射极饱和压降V CE (sat)=0.3V (I C =100mA; I B =5mA) 基极发射极饱和压降V BE (sat)=1V (I C =100mA; I B =

9015是硅PNP型小功率晶体三极管，与9014可组成对管。9015采用TO-92封装，它的外形和管脚排列如图： 9015三极管的主要参数： 集电极-基极最大反向耐压：50V 集电极-发射极最大反向耐压：45V 基极-发射极最大反向耐压：5V 集电极最大允许电流：100mA 集电极最大耗散功率：0.45W 最高工作结温：150℃ 贮藏温度范围：-55~150℃ 集电极-基极反向漏电流：0.05A (V CB =-50V; I E =0) 基极-发射极反向漏电流：0.05A (V BE =-5V

一、单结晶体管的结构和等效电路 单结晶体管的外形 很象晶体三极管，它也有三个电极，称为发射极 e，第一基极b 1 ，第二基极b 2 ，又叫双基极二极管。因为只有一个PN 结所以 又称为 单结晶体管 。外形及符号如图(a)、(b)所示。图中发射极箭头指向b 1 ，表示经PN结的电流只流向b 1 极。 单结管的等效电路如图 (C)所示，r b1 表示e与b 1 之间的等效电阻，它的阻值受e-b 1 间电压的控制，所以等效为可变电阻。两个基极之间的电阻用 R bb 表示，即： R bb =R b1 +

如下图所示为典型的达林顿放大器，信号由Q1的基极输入，由Q2的射极输出，Q2基极与Q1射极直接连接，所以Q2基极电流等于Q1射极电流。 两级放大器都采用共集电极电路，以获得高电流增益。达林顿电路中，输入电流为Q1的基极电流，输出电流为Q2的射极电流，我们可验证输入与输出间具有高倍率的电流放大作用： 所以达林顿电路的输出电流几乎放大了两个电晶体值的乘积的倍率，即1 2倍。 第一步：列出输入方程式与输出方程式： 输入方程式： V CC =I B1 R B +V BE1 +V

一、1815三极管引脚定义图 二、1815三极管封装尺寸 三、1815三极管参数 集电极-基极击穿电压(V CBO )：60V 集电极-发射极击穿电压(V CEO )：50V 发射极-基极击穿电压(V EBO )：5V 集电极电流(I C )：150mA 基极电流(I B )：50mA 耗散功率(P C )：400mW 集电极-发射极饱和压降(V CE )：0.25V 特征频率(fr)：80MHz 因生产厂商不同1815三极管会有不同前缀，如C1815、2SC1815、KSC1815等，其特

该2N3773/2N6609双极性三极管是音频功率放大对管，用于大功率音频功放电路中。它们也可用于电源开关电路、 DC - DC转换器或变频器等电路中。2N3773/2N6609对管采用TO-204的封装外形，如图所示： 2N3773/2N6609对管的主要参数： 集电极-发射极最高反向耐压VCEO=140V 集电极-基极最高反向耐压VCBO=160V 发射极-基极最高反向耐压VEBO=7V 集电极最大电流IC=16A 基极最大电流IB=4A 耗散总功率PD=150W 结温和贮存温度=-65~

2N5551是硅NPN型小功率高频晶体三极管，采用TO-92封装，其外形和管脚排列如图所示： １脚：发射极E； ２脚：基极B； ３脚：集电极C 2N5551主要参数： 集电极-发射极最高耐压V CEO =160V 集电极-基极最高耐压V CBO =180V 发射极-基极最高耐压V EBO =6V 最大集电极电流I CM =600mA 最大集电极功耗P CM =600mW 最高结温Tj=150℃ 贮存温度范围Tstg=-55℃~150℃ 直流放大倍数H FE =50~200 特征频率fT=100~

2SA2151/2SC6011是日本SANKEN（三肯）公司生产的音响对管，其中2SA2151为硅PNP型三极管，2SC6011为硅NPN型三极管。它们采用相同的TO-3P封装，外形和管脚排列如下： １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 2SA2151/2SC6011音响对管的主要参数： 集电极-基极最高耐压=230V 集电极-发射极最高耐压=230V 发射极-基极最高耐压=6V 最大集电极电流=15A 最大耗散功率=160W 最高结温=150℃ 贮存温度=-55~150℃ 直流放大系数=

下面是一个简单的电视发射机。该电路简单，真的很粗糙，但它确实包含单声道声音。我还没有表现出这两个监管机构图中。这些指的是12V直流1A系列稳压芯片，和一个8V的直流1A系列稳压器。我从12V的稳压器的输出馈送的8V稳压器。该电路的其余部分看起来是这样的。它是一个自由运行的可变频率振荡器（VFO）只使用一个线圈和一个电容，以确定频率。改变这种随你便。的基本电路使用150PF从RF晶体管到地的基极，从而使TR2工作作为共基极模式（基极接地）放大器。该调谐电路在集电极和从收集器中的电容器到发射极提供调

3DD13003是硅NPN型高反压开关三极管，主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关电源电路中。采用TO-220封装的3DD13003管脚排列如图 １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 3DD13003主要参数： 集电极-基极最高耐压V CBO =700V 集电极-发射极最高耐压V CEO =400V 发射极-基极最高耐压V EBO ＝9V 集电极电流I C =1.5A 耗散功率P C =40W 结温T j =150℃ 贮藏温度T STG =-55~150℃ 直流放大系数H FE =5

3DD4515是大功率开关三极管，硅材料NPN型，平面扩散工艺制造。具有耐压高、耗散功率大、电流特性好、开关速度快等特点。3DD4515主要用于开关电源、变频器、功率开关转换等电路中。它采用TO-3PN封装，外形和管脚排列如图： １脚：基极B； ２脚：集电极C： ３脚：发射极E 3DD4515 主要参数： 极限参数(Tc=25℃) 集电极-基极电压V CBO ：700 V 集电极-发射极电压V CEO ： 400 V 发射极-基极电压V EBO ： 9 V 集电极电流I C ： 15 A 集电极

9018是硅NPN型高频小功率晶体三极管，TO-92塑料封装，其外形和引脚排列如图： 引脚排列：从左至右依次为１、２、３脚 １脚：发射极； ２脚：基极； ３脚：集电极 9018三极管主要参数： 集电极-基极反向击穿电压BVCBO=30V 集电极-发射极反向击穿电压BVEBO=15V 发射极-基极反向击穿电压BVEBO=5V 最大集电极电流ICM=50mA 最大耗散功率PCM=400mW 最高结温TJ=150℃ 贮存温度范围TSTG=-55~150℃ 直流放大倍数HFE=28~200 特性频率f

MJE13003是主要用于节能灯及荧光灯电子镇流器的高反压大功率开关三极管，硅NPN型，采用TO-126封装，它的外形和管脚排列如下： MJE13003主要参数 集电极-基极电压VCBO 700 V 集电极-发射极电压VCEO 400 V 发射极-基极电压VEBO 9V 集电极电流IC 2.0 A 集电极耗散功率PC 40 W 最高工作温度Tj 150 C 贮存温度Tstg -65-150 C 集电极-基极截止电流ICBO (VCB=700V) 100 A 集电极-发射极截止电流ICEO (V

MJE13006、MJE13007是高反压大功率开关三极管，硅材料NPN型，适用于开关稳压器、电子变压器、电机控制等功率开关电路。MJE13006/13007采用TO-220外形封装，管脚排列如图所示 管脚排列：１.基极；２.集电极；３.发射极 MJE13006/13007的极限值参数 ： 集电极-基极电压V CBO ：MJE13006: 600V；MJE13007: 700V 集电极-发射极电压V CEO ：MJE13006: 300V；MJE13007: 400V 发射极-基极电压V

共基极放大电路 共基极的放大电路，如图1所示， 图1共基极放大电路 主要应用在高频放大或振荡电路，其低输入阻抗及高输出阻抗的特性也可作阻抗匹配用。电路特性归纳如下： 输入端（EB之间）为正向偏压，因此输入阻抗低（约20～200 ） 输出端（CB之间）为反向偏压，因此输出阻抗高（约100k～1M ）。 电流增益： 虽然AI小于1，但是RL / Ri很大，因此电压增益相当高。 功率增益： 由于AI小于1，所以功率增益不大。 共发射极放大电路

这是一个置位/复位触发器使用分立元件的一个例子。通电时，只有一个晶体管导通另一个将保持关闭状态。按下导通的晶体管基极上的按钮，这将导致晶体管关闭集电极电压上升，并开启另一个晶体管。 下面是用一个按钮切换双稳态触发器状态的两个例子。当按下该按钮时，连接到导通的晶体管基极的电容将充电到一个稍高的电压。当按钮被释放，该电容会放电回以前的电压导致晶体管关闭。晶体管的集电极电压上升导致另一个晶体管导通并且电路保持在稳定的状态。直到下一次按下按钮并释放。需要注意的是，在LED电路中，从导通的晶体管的基极通

乙类放大电路有着静态功耗小，效率高的优点，但同时也存在严重的交越失真，图a是一个典型的乙类互补对称放大电路，由NPN和PNP两只对称管完成推挽放大过程。 （a）乙类放大电路 图a所示的电路中，T1和T2分别为NPN型管和PNP型管，两管的基极和发射极相互连接在一起，信号从基极输入，从射极输出，RL为负载。由于该电路无基极偏置，所以vBE1 = vBE2 = vi 。当vi =0时，T1、T2均处于截止状态，所以该电路为乙类放大电路。 当输入信号Ui处于正半周时，vBE1 = vBE2

平常电子爱好者学习和实践制作调频话筒比较多，下面介绍一款调幅无线话筒电路，发射频率在中波波段，用中波收音机即可收到信号。 工作原理： BG1等构成共基极电容三点式振荡器.调整L1可使输出频率在800kHz～1000kHz之间变化.振荡信号经C3送到BG2的基极作为载波信号,来自话筒的音频信号经BG3、BG4放大后经R10也送到BG2的基极作为调制信号,由于BG2的b-e结具有非线性特性,从而可实现音频信号对载波信号的幅度调制.由BG2发射极得到的调幅信号经过由C6、L2、R5组成的匹配网络与天

单稳态触发器，有时称为单脉冲是用于在每次触发时产生一个单脉冲。它可以用来去抖一个机械开关，以便每个开关闭合时只有一个上升沿和一个下降沿，或以产生用于定时应用的延迟。 在分立电路，左晶体管正常进行而右侧是关闭的。按下导通的晶体管基极的开关，使它关闭，这将导致集电极电压上升。集电极电压上升时，电容开始通过相反的晶体管的基极充电，使其导通或产生一个低态输出。低输出状态保持左侧晶体管关断，直到电容电流低于保持晶体管饱和的基极电流。当输出侧开始关闭时，电压上升导致左晶体管返回到它的导通状态，从而降低了它的

单结晶体管（UJT）又称基极二极管，下面是早期国产单结晶体管BT31参数，它分为A~H共8个具体型号。 BT31A参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：3~6k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4V 调制电流：9~30mA 耗散功率：300mW BT31B参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：5~10k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4V 调制电流：9~30mA 耗散功率

单结晶体管（UJT）又称基极二极管，下面是早期国产单结晶体管BT32参数，它分为A~H共8个具体型号。 BT32A参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：3~6k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4.5V 调制电流：9~35mA 耗散功率：300mW BT32B参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：5~10k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4.5V 调制电流：9~35mA

单结晶体管（UJT）又称基极二极管，下面是早期国产单结晶体管BT33参数，它分为A~H共8个具体型号。 BT33A参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：3~6k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：5V 调制电流：9~40mA 耗散功率：500mW BT33B参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：5~10k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：5V 调制电流：9~40mA 耗散功率

该信号灯电路如图。白天，硅光电池输出的电压给蓄电池充电，夜间由蓄电池为电路提供电能驱动灯泡闪光。 电路中，电阻R与光敏电阻LR、电位器W1和W2组成分压电路。在夜晚无光照射时，LR的阻值较高，VT1 的基极电流较大，VT1导通，VT2也随之导通，该基极电流经VT1和VT2放大后，由VT2的集电极输出一部分经电容C耦合到VT1的基极形成正反馈，满足了电路的振荡条件。由于C的容量较大，故振荡频率很低，VT2把放大了的振荡信号以脉冲电流形式输送给信号灯ZD，它就一闪一闪地发光。 在白天有光照

控制一个直流电压的一个简单但效率较低的方法是使用一个分压器和晶体管发射极跟随器配置。 下图显示了使用一个1K的电位器来设置一个中等功率NPN晶体管的基极电压。在NPN晶体管的集电极供给大部分电流到负载较大PNP功率晶体管的基极。输出电压将低于1K电位器中点电压约为0.7伏，因此输出可以调整从0到满电源电压减去0.7伏。 使用两个晶体管提供大约1000或更多的电流增益，以使从分压器供给2N3053基极的电流仅几毫安，输出电流则可以到数安培。注意，该电路比使用脉宽调制降压的方法效率低。一个相当大的

我们都知道继电器吸合电流是比吸合之后的维持电流要大，如果设计电路时考虑到继电器的这一特性，即在继电器吸合后减小其工作电流，只要能够可靠维持吸合状态，就能达到降低继电器功耗的目的。 图１ 如图１所示，在继电器的驱动三极管基极接有电阻R1和电容C，当控制电平从A点注入时，电容C两端电压不能突变，相当于A点注入的控制电平没有损耗的提供给了三极管基极，从而驱动继电器吸合。当电容C上的电压充满时，控制电平经R1限流后提供给三极管基极，驱动继电器的电流相应变小使之能够维持吸合，达到降低功耗的目的。 图２