一、耐压测试仪 耐压测试仪又叫电气绝缘强度试验仪或叫介质强度测试仪，也有称介质击穿装置、绝缘强度测试仪、高压实验仪、高压击穿装置、耐压试验仪等。将一规定交流或直流高压施加在电器带电部分和非带电部分（一般为外壳）之间以检查电器的绝缘材料所能承受耐压能力的试验。电器在长期工作中，不仅要承受额定工作电压的作用，还要承受操作过程中引起短时间的高于额定工作电压的过电压作用（过电压值可能会高于额定工作电压值的好几倍）。在这些电压的作用下，电气绝缘材料的内部结构将发生变化。当过电压强度达到某一定值时，就会使材

本测试电路可方便地测量二极管、三极管、稳压管、可控硅等的反向耐压值；电容器耐压值；大于10M的电阻。输出电压连续可调，最高达1400V。 工作原理 测量电路如图1所示。变压器T的6V经D5整流、C3滤波后，提供调整管Q的基极电压。调整W可控制Q的导通程度。即控制集电极A点对电压在4V－1400V之间变化。高压绕组输出的500V电压，经C1、D1－D4组成的倍压整流电路整流，C2滤波输出1400V高压。 测试时，被测器件接在A、B之间。W阻值调小，Q的基极电位下降，A点电位上升。直至

该稳压电源可在3V~2000V之间连续调节，主要用于晶体管的耐压测试或其它实验应用，整机电路如图所示： 电路中，由IC2（555时基电路）及其外围元件组成方波发生器，振荡频率为20KHz。方波信号由IC2的③脚输出经三极管VT功率放大后输出到脉冲变压器T的初级 L1，由变压器耦合到次级L2经二极管VD2整流，给C3充电，C3两端的直流电压峰值最高可达2kV。 IC1a和有关元件组成电压比较器，由VD2提供其同相端③脚的基准电压0.7V。比较电压取自VE点，再通过分压器R1和R2的A点经

本装置可方便地测量三极管、二极管、稳压管、可控硅等的反压；电容器耐压；大于10M的电阻。输出电压连续可调，最高达1400V。 工作原理 测量电路如图1所示。变压器T的6V经D5整流、C3滤波后，提供调整管Q的基极电压。调整W可控制Q的导通程度。即控制集电极A点对电压在4V－1400V之间变化。高压绕组输出的500V电压，经C1、D1－D4组成的倍压整流电路整流，C2滤波输出1400V高压。测试时，被测器件接在A、B之间。W阻值调小，Q的基极电位下降，A点电位上升。直至毫安表指示出被测管

高电压击穿测试仪（晶体管耐压测试仪） 下面的电路是用来确定电子元件的击穿电压，而不会造成永久性的损坏。该电路从零电压迅速爬升高电压，直到漏电电流达到预先设定的100微安时停止。通电时两个晶体管构成振荡器产生3或4 kHz（由0.02 uF的电容设定）的方波脉冲驱动对称输出级。输出级被连接到一个音频变压器或电源变压器。许多音频或电源变压器可以在这里工作，但较低的频率使用电源变压器更好。 变压器输出的高电压经过二极管和电容组成的电压倍增器进一步升高。两个电阻器和一个0.1 uF电容对高电压进行滤波和

该2N3773/2N6609双极性三极管是音频功率放大对管，用于大功率音频功放电路中。它们也可用于电源开关电路、 DC - DC转换器或变频器等电路中。2N3773/2N6609对管采用TO-204的封装外形，如图所示： 2N3773/2N6609对管的主要参数： 集电极-发射极最高反向耐压VCEO=140V 集电极-基极最高反向耐压VCBO=160V 发射极-基极最高反向耐压VEBO=7V 集电极最大电流IC=16A 基极最大电流IB=4A 耗散总功率PD=150W 结温和贮存温度=-65~

2N5551是硅NPN型小功率高频晶体三极管，采用TO-92封装，其外形和管脚排列如图所示： １脚：发射极E； ２脚：基极B； ３脚：集电极C 2N5551主要参数： 集电极-发射极最高耐压V CEO =160V 集电极-基极最高耐压V CBO =180V 发射极-基极最高耐压V EBO =6V 最大集电极电流I CM =600mA 最大集电极功耗P CM =600mW 最高结温Tj=150℃ 贮存温度范围Tstg=-55℃~150℃ 直流放大倍数H FE =50~200 特征频率fT=100~

2SA2151/2SC6011是日本SANKEN（三肯）公司生产的音响对管，其中2SA2151为硅PNP型三极管，2SC6011为硅NPN型三极管。它们采用相同的TO-3P封装，外形和管脚排列如下： １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 2SA2151/2SC6011音响对管的主要参数： 集电极-基极最高耐压=230V 集电极-发射极最高耐压=230V 发射极-基极最高耐压=6V 最大集电极电流=15A 最大耗散功率=160W 最高结温=150℃ 贮存温度=-55~150℃ 直流放大系数=

3DD13003是硅NPN型高反压开关三极管，主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关电源电路中。采用TO-220封装的3DD13003管脚排列如图 １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 3DD13003主要参数： 集电极-基极最高耐压V CBO =700V 集电极-发射极最高耐压V CEO =400V 发射极-基极最高耐压V EBO ＝9V 集电极电流I C =1.5A 耗散功率P C =40W 结温T j =150℃ 贮藏温度T STG =-55~150℃ 直流放大系数H FE =5

FZT788B是一个具有高增益的大功率晶体三极管，硅材料PNP型，平面扩散工艺制造。它采用SOT-223封装，外形和引脚排列如下所示： FZT788B具有非常低的饱和压降和等效电阻，在3A工作电流时其CE饱和等效电阻为93m。同时FZT788B有很高的放大能力，在I C =2A时放大系数为H FE =300。 FZT788B主要参数： 集电极-基极最高反向耐压V CBO =15V 集电极-发射极最高反向耐压V CEO =15V 发射极-基极最高反向耐压V EBO =5V 集电极最大电流I CM

MJE13001是小功率高压高速开关三极管，典型应用：荧光灯电子镇流器。它采用TO-92封装，管脚排列如图： MJE13001主要参数： 集电极-基极最高耐压V CBO =500V 集电极-发射极最高耐压V CEO =400V 发射极-基极最高耐压V EBO =9V 集电极电流I C =0.3A 耗散功率P C =7W 结温Tj=150℃ 贮藏温度T STG =-50~150℃ 直流放大系数H FE =8~40

MJE13005是高反压高速开关三极管，主要用于大功率节能灯及荧光灯电子镇流器、开关电源、电子变压器及功率开关转换电路等。具有耐高压、开关速度快、安全工作区宽、符合 RoHS 规范等特点。采用TO-262封装的MJE13005外形及管脚排列如下 MJE13005主要参数： 集电极-基极最高反向耐压V CBO ：700V 集电极-发射极最高反向耐压V CEO ：400V 发射极-基极最高反向耐压V EBO ：9V 集电极最大允许电流I CM ：5A 集电极最大耗散功率P CM ：75W 最高工作

MJE13008、MJE13009是硅NPN型大功率高速开关三极管，具有耐压高、开关速度快、耗散功率大、电流特性好等特点。主要用于开关电源、电机控制等功率开关电路中。MJE13008/13009采用TO-220封装，它们的引脚排列如图所示 其中集电极C与散热片是相连的。 MJE13008/13009主要参数： C-B最高反向耐压V CBO ：MJE13008:600V; MJE13009:700V C-E最高反向耐压V CEO ：MJE13008:300V; MJE13009:400V E-B

9015是硅PNP型小功率晶体三极管，与9014可组成对管。9015采用TO-92封装，它的外形和管脚排列如图： 9015三极管的主要参数： 集电极-基极最大反向耐压：50V 集电极-发射极最大反向耐压：45V 基极-发射极最大反向耐压：5V 集电极最大允许电流：100mA 集电极最大耗散功率：0.45W 最高工作结温：150℃ 贮藏温度范围：-55~150℃ 集电极-基极反向漏电流：0.05A (V CB =-50V; I E =0) 基极-发射极反向漏电流：0.05A (V BE =-5V

2SC3358是NPN型小功率高频三极管，采用TO-50四脚微带封装。它的管脚排列如下： 从长脚开始，顺时针数１２３４ １脚：集电极；２脚：发射极；３脚：基极；４脚：发射极 2SC3358参数 集电极-基极最高耐压V CBO =20V 集电极-发射极最高耐压V CEO =12V 发射极-基极最高耐压V EBO =3V 集电极最大允许电流I CM =100mA 最大允许功耗P CM =250mW 最高结温Tj=150℃ 特征频率fT=7.0GHz 噪声系数NF=2.0dB (VCE=10V

图中Ｌ为电磁铁线圈，漏电时可驱动闸刀开关Ｋ１断开。每个桥臂用两只１Ｎ４００７串联可提高耐压。Ｒ３、Ｒ４阻值很大，所以Ｋ１合上时，流经Ｌ的电流很小，不足以造成开关Ｋ１断开。Ｒ３、Ｒ４为可控硅Ｔ１、Ｔ２的均压电阻，可以降低对可控硅的耐压要求。Ｋ２为试验按钮，起模拟漏电的作用。 按压试验按钮Ｋ２，Ｋ２接通，相当于外线火线对大地有漏电，这样，穿过磁环的三相电源线和零线的电流的矢量和不为零，磁环上的检测线圈的ａ、ｂ两端就有感应电压输出，该电压立即触发Ｔ２导通。由于Ｃ２预先充有一定电压，Ｔ２导通后，Ｃ

本文针对CRT显示器（显像管彩显），谈一谈显示器元器件的维护常识。 1.电容： 电容常见的标记方式是直接标记，其常用的单位有pF，F两种，很容易认出。但一些小容量的电容采用的是数字标示法，一般有三位数，第一、二位数为有效的数字，第三位数为倍数，即表示后面要跟多少个0。例如：343表示34000pF，另外，如果第三位数为9，表示 10－1，而不是10的9次方，例如：479表示4.7pF。 更换电容时主要应注意电容的耐压值一般要求不低于原电容的耐压要求。在要求较严格的电路中，其容量一般不

肖特基整流二极管（SBD）以其开关速度快、整流电流大、压降低和低功耗等特性获得广泛应用，特别适用于高频整流电路和大电流整流电路。由于肖特基二极管特殊的结构原理，其反向耐压普遍较低，一般都在100V以下，这在一定程度上限制了其应用范围。 以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值： IF(A) VR(V) CASE 20 30 40 50 60 80 100 1.0 1S20 1S3

贴片铝电解电容、贴片瓷片电容。 贴片式钽电容的特点是寿命长、耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好，不过容量较小、价格也比铝电容贵，而且耐电压及电流能力相对较弱。它被应用于小容量的低频滤波电路中。 贴片钽电容与陶瓷电容相比，其表面均有电容容量和耐压标识，其表面颜色通常有黄色和黑色两种。譬如100-16即表示容量100F，耐压16V。 贴片式陶瓷电容无极性，容量也很小（PF级），一般可以耐很高的温度和电压，常用于高频滤波。陶瓷电容看起来有点像贴片电阻（因此有时候我们也称之为贴片电容），但贴片电容

以下是1N系列硅整流二极管的反向耐压值和正向额定电流值： 1N4001硅整流二极管50V, 1A, 1N4002硅整流二极管100V,1A, 1N4003硅整流二极管200V,1A, 1N4004硅整流二极管400V,1A, 1N4005硅整流二极管600V,1A, 1N4006硅整流二极管800V,1A, 1N4007硅整流二极管1000V, 1A, 1N5391硅整流二极管50V, 1.5A, 1N5392硅整流二极管100V,1.5A,

2SC3998 高耐压大功率三极管 VCBO=1500V VCEO=800V VEBO=6V IC=25A PC=250W 2SC3998 外形尺寸：

3DD13005是高反压大功率开关三极管，硅材料NPN型，平面扩散工艺制造，开关速度快，耐压高。主要用于大功率节能灯、日光灯电子镇流器以及其它功率开关电路。采用TO-220封装的3DD13005管脚排列如下图： １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 4. 极限值(除非另有规定Ta=25℃) 参数名称 符号 额定值 单位 集电极-发射极反压 V CEO 400 V 集电极-基极反压 V CBO 700

3DD153 是低频大功率晶体三极管，硅材料 NPN 型，管芯采用扩散平面工艺，其封装和管脚排列如下： 3DD153按其耐压不同分为９个档次 主要参数： BV CBO 3DD153A=80V 3DD153B=150V 3DD153C=200V 3DD153D=250V 3DD153E=350V 3DD153F=400V 3DD153G=600V 3DD153H=900V 3DD153I=1100V BV

3DD4515是大功率开关三极管，硅材料NPN型，平面扩散工艺制造。具有耐压高、耗散功率大、电流特性好、开关速度快等特点。3DD4515主要用于开关电源、变频器、功率开关转换等电路中。它采用TO-3PN封装，外形和管脚排列如图： １脚：基极B； ２脚：集电极C： ３脚：发射极E 3DD4515 主要参数： 极限参数(Tc=25℃) 集电极-基极电压V CBO ：700 V 集电极-发射极电压V CEO ： 400 V 发射极-基极电压V EBO ： 9 V 集电极电流I C ： 15 A 集电极

500型万用表是一种高灵敏度、多量限的携带式整流系仪表。该仪表共具有二十四测量量限，能分别测量交直流电压、直流电流、电阻及音频电平，适宜无线电、电讯、电工等从业人员作一般测量之用。 仪表外观采用耐压粉制，结构坚固，标度盘宽阔，读数清晰。仪表适合在周围气温为0~40摄氏度，相对湿度85%以下环境中工作。 测量范围 直流电压：0/2.5/10/50/250/500/2500V 直流电流：0/50A/1/10/100/500mA 交流电压：0/10/50/250/500/2500V 电阻：R1

97A6是1A/600V双向可控硅，在调光电路、灯光控制、温度控制等电路中广泛应用。该可控硅耐压高达600V，可以直接应用于220V控制电路，最大工作电流为1A，可以控制100W以下电阻性的负载。 97A6双向可控硅的管脚功能如图所示，它采用TO-92封装，外形和普通小功率三极管一样。 字面朝自己，管脚向下，从左至右依次是第一阳极T1，门极G，第二阳极T2

MC1413 驱动器集成电路内部有7个NPN型达林顿晶体管阵列组成，适合驱动小功率灯组，继电器阵列，垂直控制电路组等等，用途广泛，在工业和消费类电子中均有应用。其晶体管阵列耐压高，还设有反向电压抑制二极管，使其可稳定驱动感性负载。峰值浪涌电流500毫安，可直接驱动小功率白炽灯。 MC1413为双列16脚封装，有直插式和表面安装式两种外形，如下图所示： MC1413一个驱动级的电路示意图： MC1413内部电路与管脚连接示意图：（顶视图） MC1413最大额定值： 输出

TDA7294是SGS-THOMSON意法公司推出的一款音色颇有新意的DMOS大功率音频功率放大器集成电路，一扫以往线性集成功放和厚膜集成功放生、冷、硬的音色，广泛用于Hi-Fi领域。它具有较宽范围的工作电压，（VCC+VEE）=80V；较高的输出功率（高达100W的音乐输出功率），并且具有静音待机功能，很小的噪声和失真，内部集成有短路电流及过热保护功能。TDA7294内部线路设计以音色为重点，兼有双极信号处理电路和功率MOS的特点，具有耐压高、低噪音、低失真度、重放音色极具亲和力等特色。 TD

TOP2XX系列IC是一类将控制电路和功率开关集成在一起的三端开关电源芯片。这类芯片的封装形式为TO-220，管脚名称及功能如图(a)所示，它们的内部设有振荡器、PWM比较器、误差放大器、逻辑电路、高耐压MOSFET输出开关管以及限流、欠压锁定电路和过压、温度保护电路。改变注入控制极C(1脚)的电流即可控制芯片内输出MOSFET开关的占空比。 图(b)所示为TOP204的典型应用电路。该电源的技术特点是输入电压为交流85～265V；输出电压为15V2％；额定输出功率为30W；输出电压纹波不

VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（108W）、驱动电流小（0.1A左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 V