I CBO 三极管发射极开路，集电极C和基极B之间的反向漏电流。 I CEO 三极管基极开路，集电极C和发射极E之间的反向漏电流。 I EBO 三极管集电极开路，发射极E和基极B之间的反向漏电流。 I C 集电极电流。 I CM 集电极最大允许电流。 P C 集电极耗散功率。 P CM 集电极最大耗散功率。 P T 总功耗。 Ptot总耗散功率。 V CEO 基极对地开路，发射极接地，集电极C与发射极E之间的最高耐压。 V CBO 基极接地，发射极对地开路，集电极C与基极B

7400TTL2输入端四与非门 7401TTL集电极开路2输入端四与非门 7402TTL2输入端四或非门 7403TTL集电极开路2输入端四与非门 7404TTL六反相器 7405TTL集电极开路六反相器 7406TTL集电极开路六反相高压驱动器 7407TTL集电极开路六正相高压驱动器 7408TTL2输入端四与门 7409TTL集电极开路2输入端四与门 7410TTL3输入端3与非门 74107TTL带清除主从双J-K触发器 74109TTL带预置清除正触发双J-K触发器 7411TTL3输

9014三极管（TO-92封装）管脚图 １、发射极２、基极３、集电极 9014三极管参数 集电极最大耗散功率P CM ＝0.4W（Tamb=25℃） 集电极最大允许电流I CM =0.1A 集电极基极击穿电压BV CBO =50V 集电极发射极击穿电压BV CEO =45V 发射极基极击穿电压BV EBO =5V 集电极发射极饱和压降V CE (sat)=0.3V (I C =100mA; I B =5mA) 基极发射极饱和压降V BE (sat)=1V (I C =100mA; I B =

MJE13003是主要用于节能灯及荧光灯电子镇流器的高反压大功率开关三极管，硅NPN型，采用TO-126封装，它的外形和管脚排列如下： MJE13003主要参数 集电极-基极电压VCBO 700 V 集电极-发射极电压VCEO 400 V 发射极-基极电压VEBO 9V 集电极电流IC 2.0 A 集电极耗散功率PC 40 W 最高工作温度Tj 150 C 贮存温度Tstg -65-150 C 集电极-基极截止电流ICBO (VCB=700V) 100 A 集电极-发射极截止电流ICEO (V

2N5551是硅NPN型小功率高频晶体三极管，采用TO-92封装，其外形和管脚排列如图所示： １脚：发射极E； ２脚：基极B； ３脚：集电极C 2N5551主要参数： 集电极-发射极最高耐压V CEO =160V 集电极-基极最高耐压V CBO =180V 发射极-基极最高耐压V EBO =6V 最大集电极电流I CM =600mA 最大集电极功耗P CM =600mW 最高结温Tj=150℃ 贮存温度范围Tstg=-55℃~150℃ 直流放大倍数H FE =50~200 特征频率fT=100~

3DD13001是硅NPN型小功率开关三极管，主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。采用TO-251封装的3DD13001管脚排列如图： １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 3DD13001主要参数： 集电极最大耗散功率P CM =1.2W (Tamb=25℃) 集电极最大允许电流I CM =0.2A 集电极-基极反向击穿电压BV CBO =600V 集电极-发射极反向击穿电压BV CE

3DD4515是大功率开关三极管，硅材料NPN型，平面扩散工艺制造。具有耐压高、耗散功率大、电流特性好、开关速度快等特点。3DD4515主要用于开关电源、变频器、功率开关转换等电路中。它采用TO-3PN封装，外形和管脚排列如图： １脚：基极B； ２脚：集电极C： ３脚：发射极E 3DD4515 主要参数： 极限参数(Tc=25℃) 集电极-基极电压V CBO ：700 V 集电极-发射极电压V CEO ： 400 V 发射极-基极电压V EBO ： 9 V 集电极电流I C ： 15 A 集电极

9015是硅PNP型小功率晶体三极管，与9014可组成对管。9015采用TO-92封装，它的外形和管脚排列如图： 9015三极管的主要参数： 集电极-基极最大反向耐压：50V 集电极-发射极最大反向耐压：45V 基极-发射极最大反向耐压：5V 集电极最大允许电流：100mA 集电极最大耗散功率：0.45W 最高工作结温：150℃ 贮藏温度范围：-55~150℃ 集电极-基极反向漏电流：0.05A (V CB =-50V; I E =0) 基极-发射极反向漏电流：0.05A (V BE =-5V

一、1815三极管引脚定义图 二、1815三极管封装尺寸 三、1815三极管参数 集电极-基极击穿电压(V CBO )：60V 集电极-发射极击穿电压(V CEO )：50V 发射极-基极击穿电压(V EBO )：5V 集电极电流(I C )：150mA 基极电流(I B )：50mA 耗散功率(P C )：400mW 集电极-发射极饱和压降(V CE )：0.25V 特征频率(fr)：80MHz 因生产厂商不同1815三极管会有不同前缀，如C1815、2SC1815、KSC1815等，其特

2SA1215 是PNP型平面硅三极管，它主要应用于音频功率放大器、DC-DC大功率直流变换器等场合。具有高电流能力，高耗散功率，与2SC2921可组成互补对管。 2SA1215外形尺寸： 2SA1215极限参数（绝对最大额定值）：（环境温度Ta=25℃） 集电极-基极反向电压V CBO ：-160V 集电极-发射极反向电压V CEO ：-160V 发射极-基极反向电压V EBO ：-6V 集电极直流电流I C ：-15A 集电极耗散功率P C ：150W 结温Tj：150℃ 贮藏温度Tstg

2SA2151/2SC6011是日本SANKEN（三肯）公司生产的音响对管，其中2SA2151为硅PNP型三极管，2SC6011为硅NPN型三极管。它们采用相同的TO-3P封装，外形和管脚排列如下： １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 2SA2151/2SC6011音响对管的主要参数： 集电极-基极最高耐压=230V 集电极-发射极最高耐压=230V 发射极-基极最高耐压=6V 最大集电极电流=15A 最大耗散功率=160W 最高结温=150℃ 贮存温度=-55~150℃ 直流放大系数=

2SC2482是东芝NPN型外延型小功率高压开关三极管，它主要用于高压开关和放大器应用、彩电行驱动应用、彩电色度输出应用等。 2SC2482特点 高击穿电压：V CEO = 300 V 小集电极输出电容：Cob= 3.0pF（典型值） 推荐用于彩色电视色度输出和行输出的驱动放大。 2SC2482外形尺寸参考数据 2SC2482绝对最大额定值（Ta = 25℃） 集电极-基极电压 V CBO =300V 集电极-发射极电压 V CEO =300V 发射极-基极电压 V EBO =7V 集电极电流

3DD13003是硅NPN型高反压开关三极管，主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关电源电路中。采用TO-220封装的3DD13003管脚排列如图 １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 3DD13003主要参数： 集电极-基极最高耐压V CBO =700V 集电极-发射极最高耐压V CEO =400V 发射极-基极最高耐压V EBO ＝9V 集电极电流I C =1.5A 耗散功率P C =40W 结温T j =150℃ 贮藏温度T STG =-55~150℃ 直流放大系数H FE =5

3DF50C开关三极管主要用于大功率开关电源电路，封装形式：TO-3PIII，它的封装外形如图： 3DF50C的主要参数：（除非另有规定Tamb=25℃） 集电极-发射极反向击穿电压（V CEO ）200V 集电极-基极反向击穿电压（V CBO ）250V 发射极-基极反向击穿电压（V EBO ）7.0V 集电极最大电流（I CM ）50A 集电极最大耗散功率（P CM ）500W 最高工作结温（T JM ）150℃ 贮存温度范围（T STG ）-50 ~ +155℃

3DG9018是硅NPN型高频小功率双极型晶体管，主要用于调幅调频中频放大器及VHF调谐器的本振。 管脚排列： １脚：发射极E； ２脚（中间）：集电极C； ３脚：基极B 3DG9018的特点如下： 频率特性好 反向漏电小 饱和压降低 电流特性好 封装形式 TO-92 3DG9018极限参数（除非另有规定 Tamb= 25℃ ） 集电极-发射极电压（V CEO ）： 15 V 集电极-基 极电压（V CBO ）： 30 V 发射极-基 极电压（V EBO ）： 5 V 集电极电流 （I C ）：

9018是硅NPN型高频小功率晶体三极管，TO-92塑料封装，其外形和引脚排列如图： 引脚排列：从左至右依次为１、２、３脚 １脚：发射极； ２脚：基极； ３脚：集电极 9018三极管主要参数： 集电极-基极反向击穿电压BVCBO=30V 集电极-发射极反向击穿电压BVEBO=15V 发射极-基极反向击穿电压BVEBO=5V 最大集电极电流ICM=50mA 最大耗散功率PCM=400mW 最高结温TJ=150℃ 贮存温度范围TSTG=-55~150℃ 直流放大倍数HFE=28~200 特性频率f

MJE13005是高反压高速开关三极管，主要用于大功率节能灯及荧光灯电子镇流器、开关电源、电子变压器及功率开关转换电路等。具有耐高压、开关速度快、安全工作区宽、符合 RoHS 规范等特点。采用TO-262封装的MJE13005外形及管脚排列如下 MJE13005主要参数： 集电极-基极最高反向耐压V CBO ：700V 集电极-发射极最高反向耐压V CEO ：400V 发射极-基极最高反向耐压V EBO ：9V 集电极最大允许电流I CM ：5A 集电极最大耗散功率P CM ：75W 最高工作

㈠三极管9013引脚图 ㈡三极管9013参数 最大耗散功率(P CM )：0.625W 最大集电极电流(I CM )：0.5A 集电极-发射极击穿电压(V CEO )：25V 集电极-基极击穿电压(V CBO )：45V 发射极-基极击穿电压(V EBO )：5V 集电极-发射极饱和压降(V CE )：0.6V 特怔频率(fr)：150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 ㈢贴片9013引脚定义和封装参数

2SC3358是NPN型小功率高频三极管，采用TO-50四脚微带封装。它的管脚排列如下： 从长脚开始，顺时针数１２３４ １脚：集电极；２脚：发射极；３脚：基极；４脚：发射极 2SC3358参数 集电极-基极最高耐压V CBO =20V 集电极-发射极最高耐压V CEO =12V 发射极-基极最高耐压V EBO =3V 集电极最大允许电流I CM =100mA 最大允许功耗P CM =250mW 最高结温Tj=150℃ 特征频率fT=7.0GHz 噪声系数NF=2.0dB (VCE=10V

该2N3773/2N6609双极性三极管是音频功率放大对管，用于大功率音频功放电路中。它们也可用于电源开关电路、 DC - DC转换器或变频器等电路中。2N3773/2N6609对管采用TO-204的封装外形，如图所示： 2N3773/2N6609对管的主要参数： 集电极-发射极最高反向耐压VCEO=140V 集电极-基极最高反向耐压VCBO=160V 发射极-基极最高反向耐压VEBO=7V 集电极最大电流IC=16A 基极最大电流IB=4A 耗散总功率PD=150W 结温和贮存温度=-65~

3DD13005是高反压大功率开关三极管，硅材料NPN型，平面扩散工艺制造，开关速度快，耐压高。主要用于大功率节能灯、日光灯电子镇流器以及其它功率开关电路。采用TO-220封装的3DD13005管脚排列如下图： １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 4. 极限值(除非另有规定Ta=25℃) 参数名称 符号 额定值 单位 集电极-发射极反压 V CEO 400 V 集电极-基极反压 V CBO 700

3DG2383(2SC2383)是硅NPN型高频小功率晶体三极管，可与3CG1013(2SA1013)组成互补对管。3DG2383(2SC2383)具有电流容量大、饱和压降低、击穿电压高等特点，采用TO-92MOD封装，其外形和管脚排列如图所示： 3DG2383(2SC2383)极限参数：(除非另有规定 Tamb= 25℃) 集电极-发射极电压 V CEO =160 V 集电极-基极电压 V CBO =160 V 发射极-基极电压 V EBO =6 V 集电极电流 I C =1.0 A 耗散功

9012是硅PNP型低频小功率三极管，与9013可组成对管。 集电极电流Ic：Max -500mA 工作温度：-55℃ to +150℃ 集电极-基极电压Vcbo： -40V 三极管9012管脚图 介绍:emitter是发射极 collector是集电极 base是基极 〈贴片9012管脚图资料〉

FZT788B是一个具有高增益的大功率晶体三极管，硅材料PNP型，平面扩散工艺制造。它采用SOT-223封装，外形和引脚排列如下所示： FZT788B具有非常低的饱和压降和等效电阻，在3A工作电流时其CE饱和等效电阻为93m。同时FZT788B有很高的放大能力，在I C =2A时放大系数为H FE =300。 FZT788B主要参数： 集电极-基极最高反向耐压V CBO =15V 集电极-发射极最高反向耐压V CEO =15V 发射极-基极最高反向耐压V EBO =5V 集电极最大电流I CM

MJE13001是小功率高压高速开关三极管，典型应用：荧光灯电子镇流器。它采用TO-92封装，管脚排列如图： MJE13001主要参数： 集电极-基极最高耐压V CBO =500V 集电极-发射极最高耐压V CEO =400V 发射极-基极最高耐压V EBO =9V 集电极电流I C =0.3A 耗散功率P C =7W 结温Tj=150℃ 贮藏温度T STG =-50~150℃ 直流放大系数H FE =8~40

MJE13006、MJE13007是高反压大功率开关三极管，硅材料NPN型，适用于开关稳压器、电子变压器、电机控制等功率开关电路。MJE13006/13007采用TO-220外形封装，管脚排列如图所示 管脚排列：１.基极；２.集电极；３.发射极 MJE13006/13007的极限值参数 ： 集电极-基极电压V CBO ：MJE13006: 600V；MJE13007: 700V 集电极-发射极电压V CEO ：MJE13006: 300V；MJE13007: 400V 发射极-基极电压V

图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列 图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列 8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。 8050S 8550S S8050 S8550 参数 ： 耗散功率0.625W（贴片：0.3W） 集电极电流0.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目

1.5V供电的LED手电筒 这个简单的电路将照亮超高亮白光LED全亮度，工作在1.5V电池，电流28毫安。 变压器被缠绕在一个2.6毫米的直径和6mm长的铁氧体芯子。 电路的效率，围绕一个LED的事实，会产生非常高的输出时，发出的脉冲，但整体的电流将小于一个稳定的直流电流。 BC337集电极-发射极额定电压为45V。（BC338具有25V的集电极-发射极电压额定值。）本电路中晶体管两端的电压不超过4V，LED吸收了其上的尖峰脉冲。请勿移除LED，否则变压器尖峰脉冲会损坏晶体管。 该电路将驱动1

3DG6是硅材料NPN型外延平面高频小功率三极管，是八十年代前后流行的通用型三极管，目前已无生产，且不易购得，只有从那个时代过来的电子工作者和电子爱好者手中还有可能见得到3DG6的踪影。其封装外形和管脚排列如图所示： 3DG6按型号后缀不同分为四个档次，其参数如下： 耗散总功率Ptot=100mW (Tamb=25℃) 最大集电极电流I CM =20mA 最高结温T JM =175℃ 集电极-基极反向击穿电压BV CBO ： (IC=100A) 3DG6A30V; 3DG6B45V; 3DG6

BC556,BC557,BC558,BC559均为小功率硅外延平面晶体管，用于小信号处理。采用TO-92封装，它们的外形和管脚排列如下： １脚：集电极C； ２脚：基极B； ３脚：发射极E 极限参数： BV CEO ：BC556=65V; BC557=45V; BC558/559=30V BV CBO ：BC556=80V; BC557=50V; BC558/559=30V BV EBO ：5V 耗散功率500mW; 集电极电流100mA 结温：150℃ 贮藏温度：-55~150℃ 电参数： 集电