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双极型555和CMOS型555因其制造工艺和流程的不同,生产出的555集成电路的性能指标也有所差异。表1列出了二者的主要电参数指标。 表1双极型555与CMOS型555主要电参数 双极型555和CMOS的555的共同点: 二者的功能大体相同,外形和管脚排列一致,在大多数应用场合可直接替换。 均使用单电源,适应电压范围大,可与TTL、HTL、CMOS型数字逻辑电路等共用电源。 555的输出为全电源电平,可与TTL、HTL、CMOS型等电路直接接口。 电源电压变化对振荡频率和定时精度

2009-5-12

这时介绍一个趣味电子制作:果汁LED灯!什么是果汁LED灯?就是点亮LED的不是电池,而是果汁!奇怪吧,上课专心点就知道了^_^ 现在开始: 一 需要的材料: 纸 一个发光二极管(LED) 一个水果(苹果、梨等) 长25cm的铜线(直径1-2 mm) 长25cm的铁线(直径1-2 mm) 二、需要的工具: 电烙铁 焊锡 剪刀 三、制作过程 1用剪刀把纸张剪出5片花叶形状,边缘大约长6cm,宽3cm; 2把铜线和铁线都剪成5段,每段5cm; 3像缝线一样,在每片叶子上平行穿上一根

2009-7-31

说明: 这种逻辑探头采用单一的CMOS 4001芯片,可以显示高,低脉冲输出。 笔记 这个逻辑探头是基于一个单一的CMOS 4001芯片。 该IC包含四2输入或非门,所有的门都用在这条赛道。 功率逻辑探头取自被测电路和因为CMOS技术被使用时,该电路将与工作电压为3至15伏直流。 低于IC引脚被hown: CMOS集成电路的使用MOSFET的,所以电源端子通常被称为V DD为漏极电压(正)和V SS为源极电压(接地端子)。 在使用TTL集成电路的正电源晶体管电路和逻辑电路通常称为V CC这是

2014-5-8

在路由器中绑定用户设备的MAC地址可以增强安全性。要查看电脑MAC地址可以使用CMD命令(命令提示符)进行查询。 用CMD命令查看电脑MAC地址方法: Windows徽标键+R键打开运行窗口,输入cmd点击确定,然后在命令行窗口中输入ipconfig/all,按下回车键即可看到返回信息。 在一连串的返回信息中,主要查看以太网适配器和无线局域网适配器条目,当中的物理地址信息即为MAC地址。 如果以 网线 方式连接到路由器,则查看 以太网适配器 的物理地址; 如果以 无线 方式连接到路由器,则查看

2016-4-1

当按下S1按钮电路被激活,时间继电器将在指定的时间后启动负载。这个时间是可调的,仅仅通过改变一个电阻和/或电容值以达到任何你想要的延迟时间。该电路的电流容量仅受限于你决定使用什么样的继电器。 4011 CMOS与非门集成电路构建的延时继电器 配件 C1见注释 R1见注释 D11N914二极管 U14011 CMOS与非门集成电路 K16V继电器 S1常开按钮开关 备注 使用公式 R1 * C1 * 0.85 = T 来计算延迟时间,其中R1是R1欧姆的值,C是C中uF的值,而T是时间延迟(秒

2014-3-10

我不知道为什么,但人们喜欢闪烁的灯光。你看LED追逐灯,在电视节目(霹雳游侠),电影和商店的橱窗。这个示意图是我的一个简单版本10个LED追逐灯。没有使用555定时器,因为在我当地的电子商店中使用它们不便宜。相反,由一个4011 CMOS与非门电路的两个部分制作脉冲振荡器。该芯片是非常便宜,非常普遍。 配件 R11兆1/4W电阻 R2100K电位器 R31K 1/4W电阻 C10.1uF的16V陶瓷电容器 U14011 CMOS与非门 U24017 CMOS计数器 LED1-10任何颜色的LE

2014-3-6

水位报警电路,提供了在一个容器里液位的视觉指示,具有可切换声音报警。例如用途是监测洗澡水或冷藏罐中的液位。 液体的电导是电阻的倒数。液体的电导与温度、体积和测量探头距离不同而不同。自来水在25℃测得的电导有大约50uS/cm,这是20k/cm在25C。 该电路采用的是4050B的CMOS六路缓冲器,工作在5伏的电源。所有的门都是由连接地面和输入缓冲区之间的10M电阻偏置截止。最上面的公共探针被连接到正5伏电源。如果探头1间隔公共探针1厘米距离,在25℃探头之间检测自来水(20K的电阻),LED

2014-5-5

低频功率输出级按功放管的工作状态为甲类、乙类、丙类三种。 它们各有特点: (1).甲类功率输出级主要优点是失真小,主要缺点是效率低。 它的输出功率Po,电源功耗PD,集电极最大功耗Pcmax和效率分别为: Po=Ec 2 /2RL PD=2Ec 2 /RL Pcmax=2Ec 2 /RL=4Po = Po/ PD=1/4=25% (2).乙类功率输出级的主要优点是效率高,主要缺点是存在严重交越失真。 它的输出功率Po,电源功耗PD,集电极最大功耗Pcmax和

2009-3-11

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN 2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN

2009-4-12

2N5551是硅NPN型小功率高频晶体三极管,采用TO-92封装,其外形和管脚排列如图所示: 1脚:发射极E; 2脚:基极B; 3脚:集电极C 2N5551主要参数: 集电极-发射极最高耐压V CEO =160V 集电极-基极最高耐压V CBO =180V 发射极-基极最高耐压V EBO =6V 最大集电极电流I CM =600mA 最大集电极功耗P CM =600mW 最高结温Tj=150℃ 贮存温度范围Tstg=-55℃~150℃ 直流放大倍数H FE =50~200 特征频率fT=100~

2009-5-22

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 特征频率 管子类型 2SA1009 350V 2A 15W * PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W * PNP 2SA1013R 160V

2009-4-12

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SB1013A 30V 0.5A 0.3W * * PNP 2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿)

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 特征频率 管子类型 2SC1008 80V 0.7A 0.8W 50MHZ NPN 2SC1047 30V 0.015A 0.15W * NPN 2SC106 60V

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC2610 300V 0.1A 0.8W * * NPN 2SC2611 300V 0.1A 1.25W * * NPN

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC3807 30V 2A 1.2W * 260MHZ NPN 2SC383 20V 0.05A 0.2W * * NPN

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SD1010 50V 0.05A 0.3W * * NPN 2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SD1545 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1546 1500V 6A 50W * * NPN

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SD400 25V 1A 0.75W * * NPN 2SD401AK 200V 2A 25W * * NPN

2009-4-12

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SK301-Q * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管 2SK301-R * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管

2009-4-12

3DD13001是硅NPN型小功率开关三极管,主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。采用TO-251封装的3DD13001管脚排列如图: 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 3DD13001主要参数: 集电极最大耗散功率P CM =1.2W (Tamb=25℃) 集电极最大允许电流I CM =0.2A 集电极-基极反向击穿电压BV CBO =600V 集电极-发射极反向击穿电压BV CE

2009-5-7

3DF50C开关三极管主要用于大功率开关电源电路,封装形式:TO-3PIII,它的封装外形如图: 3DF50C的主要参数:(除非另有规定Tamb=25℃) 集电极-发射极反向击穿电压(V CEO )200V 集电极-基极反向击穿电压(V CBO )250V 发射极-基极反向击穿电压(V EBO )7.0V 集电极最大电流(I CM )50A 集电极最大耗散功率(P CM )500W 最高工作结温(T JM )150℃ 贮存温度范围(T STG )-50 ~ +155℃

2009-8-21

这个触摸开关是想到靠近的两个电极片,用手指触摸就可切换电路的开与关。触摸开关没有机械部件磨损,所以他们比普通机械开关能够持续工作的时间更长。相比普通开关,触摸开关可以在潮湿或灰尘很大的地方稳定工作。 双电极触摸开关 配件 C116V 10uF的电解电容 R1,R2100K 1/4瓦的电阻 R310兆1/4瓦的电阻 U14011 CMOS与非门集成电路 备注 接触电极是两个靠近但绝缘的电极,你可以根据实际需要用任何导体材料制作。 当被激活时,该电路的输出为约一秒高电平。这个脉冲可以用来驱动继

2014-3-10

9014三极管(TO-92封装)管脚图 1、发射极2、基极3、集电极 9014三极管参数 集电极最大耗散功率P CM =0.4W(Tamb=25℃) 集电极最大允许电流I CM =0.1A 集电极基极击穿电压BV CBO =50V 集电极发射极击穿电压BV CEO =45V 发射极基极击穿电压BV EBO =5V 集电极发射极饱和压降V CE (sat)=0.3V (I C =100mA; I B =5mA) 基极发射极饱和压降V BE (sat)=1V (I C =100mA; I B =

2009-5-4

9018是硅NPN型高频小功率晶体三极管,TO-92塑料封装,其外形和引脚排列如图: 引脚排列:从左至右依次为1、2、3脚 1脚:发射极; 2脚:基极; 3脚:集电极 9018三极管主要参数: 集电极-基极反向击穿电压BVCBO=30V 集电极-发射极反向击穿电压BVEBO=15V 发射极-基极反向击穿电压BVEBO=5V 最大集电极电流ICM=50mA 最大耗散功率PCM=400mW 最高结温TJ=150℃ 贮存温度范围TSTG=-55~150℃ 直流放大倍数HFE=28~200 特性频率f

2009-5-19

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 特征频率 管子类型 9011 50V 0.03A 0.4W 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * PNP 9013 50V

2009-4-12

下面的电路采用CMOS双D触发器(CD4013),用瞬时按钮切换继电器或其他负荷。一些按钮可被并行连接,以从多个位置控制继电器。 从按钮取得的触发电压通过一个小(0.1uF的)电容器耦合。来自Q(引脚1)输出高电平由上部晶体管反相,提供一个约400毫秒低电平的复位电平到复位引脚,在此之后,复位引脚返回到高电平状态并复位触发器。下触发器部被配置为触发操作和时钟线的上升沿或在同一时间作为上触发器移动到与设定条件改变状态。开关去抖由于短持续时间相对设置的信号与持续时间长的电路被复位之前。在Q或输出端

2014-3-17

这是一个CMOS集成电路(CD4033)制作的非接触式电源指示器。电路可用于交流电源的无接触检测,判断电压有无。因此可以不从导体除去绝缘检测电源的交流电压。就在附近的导体,它可以探测到交流电压的存在。如果交流电压不存在,固定显示一个随机数字(0到9)。如果电源在导体,传感探头会感应到电场。由于IC使用的是CMOS类型,它的输入阻抗非常高,由此引起的电压足以激活时钟计数器电路。因此,显示计数从0到9迅速变化。这是对电源存在的指示。电路结构紧凑,一个9伏PP3电池可用于这个小工具。

2014-5-14

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 管子类型 DTC114ES 50V 0.1A 0.25W NPN DTC124ES 50V 0.1A 0.25W PNP IRF130 100V 14A 79W NMOS场效应

2009-4-12

美国IR公司生产的IR2110驱动器。它兼有光耦隔离(体积小)和电磁隔离(速度快)的优点,是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。 IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺,DIP14脚封装。具有独立的低端和高端输入通道;悬浮电源采用自举电路,其高端工作电压可达500V,dv/dt=50V/ns,15V下静态功耗仅116mW;输出的电源端(脚3,即功率器件的栅极驱动电压)电压范围10~20V;逻辑电源电压范围(脚9)5~15V,可方便地与TTL,CMOS电平相匹配,而且逻辑电源地和

2009-5-3

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 管子类型 MJ10012 400V 10A 175W NPN(达林顿) MJ10015 400V 50A 200W NPN MJ10016 500V 50A 200W NPN

2009-4-12

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