2N5551是硅NPN型小功率高频晶体三极管，采用TO-92封装，其外形和管脚排列如图所示： １脚：发射极E； ２脚：基极B； ３脚：集电极C 2N5551主要参数： 集电极-发射极最高耐压V CEO =160V 集电极-基极最高耐压V CBO =180V 发射极-基极最高耐压V EBO =6V 最大集电极电流I CM =600mA 最大集电极功耗P CM =600mW 最高结温Tj=150℃ 贮存温度范围Tstg=-55℃~150℃ 直流放大倍数H FE =50~200 特征频率fT=100~

3DD153 是低频大功率晶体三极管，硅材料 NPN 型，管芯采用扩散平面工艺，其封装和管脚排列如下： 3DD153按其耐压不同分为９个档次 主要参数： BV CBO 3DD153A=80V 3DD153B=150V 3DD153C=200V 3DD153D=250V 3DD153E=350V 3DD153F=400V 3DD153G=600V 3DD153H=900V 3DD153I=1100V BV

3DG2383(2SC2383)是硅NPN型高频小功率晶体三极管，可与3CG1013(2SA1013)组成互补对管。3DG2383(2SC2383)具有电流容量大、饱和压降低、击穿电压高等特点，采用TO-92MOD封装，其外形和管脚排列如图所示： 3DG2383(2SC2383)极限参数：(除非另有规定 Tamb= 25℃) 集电极-发射极电压 V CEO =160 V 集电极-基极电压 V CBO =160 V 发射极-基极电压 V EBO =6 V 集电极电流 I C =1.0 A 耗散功

3DG6是硅材料NPN型外延平面高频小功率三极管，是八十年代前后流行的通用型三极管，目前已无生产，且不易购得，只有从那个时代过来的电子工作者和电子爱好者手中还有可能见得到3DG6的踪影。其封装外形和管脚排列如图所示： 3DG6按型号后缀不同分为四个档次，其参数如下： 耗散总功率Ptot=100mW (Tamb=25℃) 最大集电极电流I CM =20mA 最高结温T JM =175℃ 集电极-基极反向击穿电压BV CBO ： (IC=100A) 3DG6A30V; 3DG6B45V; 3DG6

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 MJ10012 400V 10A 175W * * NPN(达林顿) MJ10015 400V 50A 200W * * NPN MJ10016 500V 50A 200W * * NPN MJ10025 850V 20A 250W * * NPN MJ11032 120V 50A 300W * * NPN MJ11033 120V 50A 300W * * NPN MJ13333 400V 20A 175W * *

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 管子类型 MJ10012 400V 10A 175W NPN(达林顿) MJ10015 400V 50A 200W NPN MJ10016 500V 50A 200W NPN

电子开关 这是一个双按键的电子开关，让我们来看看它是如何工作的。 当电源接通时，两个晶体管均处于截止状态，电路不通相当于关闭的开关。 按下ON按键，NPN晶体管获得偏置电流导通，电压加载至负载后在R L 两端产生电压，这个电压促使PNP晶体管导通并给NPN晶体管提供偏置电流，形成互锁，放开ON按键电路依然保持导通，使负载持续工作。 按下OFF按键，PNP晶体管截止，NPN晶体管同时失去偏置电流也截止，电路关闭。 可以看出，这个电子开关会降低负载的工作电压约1V，并且R L 需要根据负载电流

可控硅也称晶体闸流管（晶闸管），普通单向可控硅是一种PNPN四层半导体器件，内含三个PN结，有三个引出电极，分别是阳极A，阴极K和控制极G。而双向可控硅则为NPNPN 五层半导体器件，三个电极分别是门极G、第一阳极T1、第二阳极T2。下面介绍其工作理和电极的判定。 1、工作原理 可控硅是P1N1P2N2 四层三端结构元件，共有三个PN 结，分析原理时，可以 把它看作由一个PNP 管和一个NPN 管所组成，其等效图解如图1所示 当阳极A 加上正向电压时，BG1 和BG2 管均处于放大状态。此时，

这是对非稳态多谐振荡器的变体。电路是最近开发的用于测试N-氧化物半导体场效应晶体管（如IRF830那种功率管） 电路可以测试所有的坏MOSFET或所有故障MOSFET。如果MOSFET工作，将工作在非稳态多谐振荡器电路使LED闪烁。 一个坏的MOSFET不会导致LED闪烁。 下面是电路图，非稳态的另一半利用一个NPN晶体管，使得电路便宜。几乎所有的NPN晶体管能够工作在这个电路。 右边的NPN晶体管作为一级缓冲放大，驱动LED闪烁。

晶体三极管结构 晶体三极管 (Transistor)简称晶体管，也是一种用半导体制成的半导体器件。晶体管有两种结构，分别称为NPN型晶体管和PNP型晶体管。 如果在两块N型半导体之间夹上一块很薄的P型半导体，并且紧密地结合在一起，就可形成一个NPN型晶体管，同样地，如果在两块P型半导体之间夹上一块薄的N型半导体，就可形成一个PNP型晶体管，如下图标 晶体管的电路符号和各三个电极的名称如下 PNP型三极管与NPN型三极管电路符号 三极管的特性曲线 1、输入特性 图2 （b)是三极管的输入特性曲

用一般的万用表是不能测出晶振的好坏的，这里提供了一种简单而实用的晶振检验器，它只采用一个 N 沟道结型场效应管（FET），两个普通 NPN 小功率晶体三极管，一个发光管和一些阻容元件，便可有效的检验任何晶振的好坏。 如图所示，2N3823 结型 N 沟道场效应管（可用任何其它型号的同类小功率场效应管，如 3DJ6，3DJ7 等）与被测晶体（晶振）等组成一个振荡器，两个两个 NPN 三极管 2N3904（也可用其它任何型号的小功率 NPN 三极管）接成复合检波放大器，驱动发光二极管 LED。若被测

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN 2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 特征频率 管子类型 2SC1008 80V 0.7A 0.8W 50MHZ NPN 2SC1047 30V 0.015A 0.15W * NPN 2SC106 60V

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC2610 300V 0.1A 0.8W * * NPN 2SC2611 300V 0.1A 1.25W * * NPN

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC3807 30V 2A 1.2W * 260MHZ NPN 2SC383 20V 0.05A 0.2W * * NPN

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SD1010 50V 0.05A 0.3W * * NPN 2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SD1545 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1546 1500V 6A 50W * * NPN

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SD400 25V 1A 0.75W * * NPN 2SD401AK 200V 2A 25W * * NPN

一个LED闪光 这两个LED闪光电路一样吗？你也可以说它们一样，因为它们使用的元器件完全一样，唯一不同的是两个晶体管换了个位置，一个NPN，另一个PNP。 这两个电路的LED闪烁非常明亮，平均电流消耗不大于2mA。第二个电路，允许您使用高功率NPN晶体管作为驱动。 两个LED闪光 这两个电路两个LED指示灯将闪烁非常明亮，消耗的平均电流不大于2mA。他们需要6V电源。

中国半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、 PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。 2（二极管）、 3（三极管） 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时： A（N 型锗材料）、 B（P 型锗材料）、 C（N 型硅材料）、 D（P 型硅材料）。 表示三极管时： A（PNP 型锗材料）、 B（NPN 型锗材料）、 C（PNP 型硅材料）、 D（NPN 型硅材料）。

乙类放大电路有着静态功耗小，效率高的优点，但同时也存在严重的交越失真，图a是一个典型的乙类互补对称放大电路，由NPN和PNP两只对称管完成推挽放大过程。 （a）乙类放大电路 图a所示的电路中，T1和T2分别为NPN型管和PNP型管，两管的基极和发射极相互连接在一起，信号从基极输入，从射极输出，RL为负载。由于该电路无基极偏置，所以vBE1 = vBE2 = vi 。当vi =0时，T1、T2均处于截止状态，所以该电路为乙类放大电路。 当输入信号Ui处于正半周时，vBE1 = vBE2

1、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器

该电路是由约翰伦德格伦改编自拨动开关去抖的按钮。需要从一个位置接通和从另一个位置关掉负载，这个电路是有用的。任何数量的瞬间（N / O）开关或按钮可并行连接。 在原理图上的左侧的组合（10K，10uF和二极管）保证了电路接通电源时保持负载断开状态。如果初始上电状态不是一个问题，这些组件可以被省略。 当开关按下时，1uF电容被连接到220欧姆和33K电阻连接点，NPN晶体管截止，场效应管导通开启负载。释放按钮后，1uF电容通过1M电阻充电。第二次按下开关，1uF电容充电后的电压被加载到NPN晶体

控制一个直流电压的一个简单但效率较低的方法是使用一个分压器和晶体管发射极跟随器配置。 下图显示了使用一个1K的电位器来设置一个中等功率NPN晶体管的基极电压。在NPN晶体管的集电极供给大部分电流到负载较大PNP功率晶体管的基极。输出电压将低于1K电位器中点电压约为0.7伏，因此输出可以调整从0到满电源电压减去0.7伏。 使用两个晶体管提供大约1000或更多的电流增益，以使从分压器供给2N3053基极的电流仅几毫安，输出电流则可以到数安培。注意，该电路比使用脉宽调制降压的方法效率低。一个相当大的

当它感应到复合视频信号，继电器将被激活。这使您可以使用内置到您的VCR调谐器来打开和关闭旧的未配备一个遥控器的电视机。它也可以用来激活自动播放设备、环绕声设备、关闭室内灯光、打开视频游戏控制台等。对于这样一个简单的电路，它是非常灵活的。 配件 R1，R210K 1/4 W电阻 R31K 1/4 W电阻 R433K 1/4 W电阻 C11uF的电解电容 Q1，Q2，Q32N2222 NPN晶体管 2N3904 NPN晶体管 D1，D2，D3的1N4148二极管 K19V继电器 J1RCA插孔 备

该项目展示了如何构建基于555定时器IC的简单调幅广播发射机。该电路部分是：555定时器集成电路，一个NPN晶体管，三个电容，三个电阻和电位器。该电路能够在600kHz产生一个幅度调制信号，你可以使用一个普通的调幅接收机来接收它。范围是约10米。 这些都是你需要的组件 - 555定时器芯片 - NPN晶体管 - 两个＃103电容（0.01微或10,000皮法） - ＃102电容（0.001微法或1,000皮法） - 两个1千欧的电阻 - 10千欧的电阻 - 1/8英寸（3.5毫米）的母音频插孔

超级简单的闪光电路 下面是一个没有使用电阻的简单的闪光电路！然而，它依靠渗漏锗PNP晶体管的基极，只有小部分会工作，准备尝试一些。如果您从基础增加一个100k电阻到PNP的集电极电路将与大多数锗晶体管工作，将工作到1 VDC！NPN应该是一个硅型。100 uF的可以用22UF代替串联一个电阻5K，这将增加39欧姆的串联与NPN的基（但随后的电路开始失去其简约迷人）一个好主意。 需要多几个部分，这样低的电压闪光器使用普通的硅晶体管，是由两个单元供电。该电路将工作到大约1.6伏。 换一个600毫

闪光灯无线触发器电路，当你需要补充一个或几个闪光灯单元可以被使用。这从根本解决了同步触发问题。它通过看到第一次闪光（使用光电晶体管）几微秒后触发另一组闪光灯。该电路的灵敏度是可调节的，以补偿环境光或主闪烁光强度。 配件 R147K线性电位器 R2，R33K 1/4W电阻 R4220欧姆1/4W电阻 R5680欧姆1/4W电阻 C110UF 25V电解电容 C20.047UF 25V陶瓷电容器 Q12N5777 NPN达林顿光电晶体管 Q2，Q32N3904 NPN晶体管 SCR1400V 2A

此电源是专为业余无线电爱好者（HAM）使用而设计，已运作超过10年。 它的设计非常简单，全部由分立元件组装而成，最昂贵的元件是600VA环形变压器，它可以由其它类型变压器所取代，只要它具有1720V输出电压，并且功率能够满足需要。 稳压参考电压是由7.5V稳压二极管得到的（6V88V2），由R5、VR2和R6组成分压器监测输出电压变化并传输给Q2，经过达林顿放大器Q3，比较电压输出的驱动器Q4和4个NPN型功率晶体管2N3771控制输出电压。 滤波电容47毫法(mF)，也就是47000微法(u

2SA2151/2SC6011是日本SANKEN（三肯）公司生产的音响对管，其中2SA2151为硅PNP型三极管，2SC6011为硅NPN型三极管。它们采用相同的TO-3P封装，外形和管脚排列如下： １脚：基极； ２脚：集电极； ３脚：发射极 2SA2151/2SC6011音响对管的主要参数： 集电极-基极最高耐压=230V 集电极-发射极最高耐压=230V 发射极-基极最高耐压=6V 最大集电极电流=15A 最大耗散功率=160W 最高结温=150℃ 贮存温度=-55~150℃ 直流放大系数=