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I CBO 三极管发射极开路,集电极C和基极B之间的反向漏电流。 I CEO 三极管基极开路,集电极C和发射极E之间的反向漏电流。 I EBO 三极管集电极开路,发射极E和基极B之间的反向漏电流。 I C 集电极电流。 I CM 集电极最大允许电流。 P C 集电极耗散功率。 P CM 集电极最大耗散功率。 P T 总功耗。 Ptot总耗散功率。 V CEO 基极对地开路,发射极接地,集电极C与发射极E之间的最高耐压。 V CBO 基极接地,发射极对地开路,集电极C与基极B

2009-4-14

9014三极管(TO-92封装)管脚图 1、发射极2、基极3、集电极 9014三极管参数 集电极最大耗散功率P CM =0.4W(Tamb=25℃) 集电极最大允许电流I CM =0.1A 集电极基极击穿电压BV CBO =50V 集电极发射极击穿电压BV CEO =45V 发射极基极击穿电压BV EBO =5V 集电极发射极饱和压降V CE (sat)=0.3V (I C =100mA; I B =5mA) 基极发射极饱和压降V BE (sat)=1V (I C =100mA; I B =

2009-5-4

2SC3358是NPN型小功率高频三极管,采用TO-50四脚微带封装。它的管脚排列如下: 从长脚开始,顺时针数1234 1脚:集电极;2脚:发射极;3脚:基极;4脚:发射极 2SC3358参数 集电极-基极最高耐压V CBO =20V 集电极-发射极最高耐压V CEO =12V 发射极-基极最高耐压V EBO =3V 集电极最大允许电流I CM =100mA 最大允许功耗P CM =250mW 最高结温Tj=150℃ 特征频率fT=7.0GHz 噪声系数NF=2.0dB (VCE=10V

2009-5-5

一、1815三极管引脚定义图 二、1815三极管封装尺寸 三、1815三极管参数 集电极-基极击穿电压(V CBO ):60V 集电极-发射极击穿电压(V CEO ):50V 发射极-基极击穿电压(V EBO ):5V 集电极电流(I C ):150mA 基极电流(I B ):50mA 耗散功率(P C ):400mW 集电极-发射极饱和压降(V CE ):0.25V 特征频率(fr):80MHz 因生产厂商不同1815三极管会有不同前缀,如C1815、2SC1815、KSC1815等,其特

2009-4-13

2N5551是硅NPN型小功率高频晶体三极管,采用TO-92封装,其外形和管脚排列如图所示: 1脚:发射极E; 2脚:基极B; 3脚:集电极C 2N5551主要参数: 集电极-发射极最高耐压V CEO =160V 集电极-基极最高耐压V CBO =180V 发射极-基极最高耐压V EBO =6V 最大集电极电流I CM =600mA 最大集电极功耗P CM =600mW 最高结温Tj=150℃ 贮存温度范围Tstg=-55℃~150℃ 直流放大倍数H FE =50~200 特征频率fT=100~

2009-5-22

2SA2151/2SC6011是日本SANKEN(三肯)公司生产的音响对管,其中2SA2151为硅PNP型三极管,2SC6011为硅NPN型三极管。它们采用相同的TO-3P封装,外形和管脚排列如下: 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 2SA2151/2SC6011音响对管的主要参数: 集电极-基极最高耐压=230V 集电极-发射极最高耐压=230V 发射极-基极最高耐压=6V 最大集电极电流=15A 最大耗散功率=160W 最高结温=150℃ 贮存温度=-55~150℃ 直流放大系数=

2009-5-8

3DD13003是硅NPN型高反压开关三极管,主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关电源电路中。采用TO-220封装的3DD13003管脚排列如图 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 3DD13003主要参数: 集电极-基极最高耐压V CBO =700V 集电极-发射极最高耐压V CEO =400V 发射极-基极最高耐压V EBO =9V 集电极电流I C =1.5A 耗散功率P C =40W 结温T j =150℃ 贮藏温度T STG =-55~150℃ 直流放大系数H FE =5

2009-5-7

3DD4515是大功率开关三极管,硅材料NPN型,平面扩散工艺制造。具有耐压高、耗散功率大、电流特性好、开关速度快等特点。3DD4515主要用于开关电源、变频器、功率开关转换等电路中。它采用TO-3PN封装,外形和管脚排列如图: 1脚:基极B; 2脚:集电极C: 3脚:发射极E 3DD4515 主要参数: 极限参数(Tc=25℃) 集电极-基极电压V CBO :700 V 集电极-发射极电压V CEO : 400 V 发射极-基极电压V EBO : 9 V 集电极电流I C : 15 A 集电极

2009-5-7

3DG9018是硅NPN型高频小功率双极型晶体管,主要用于调幅调频中频放大器及VHF调谐器的本振。 管脚排列: 1脚:发射极E; 2脚(中间):集电极C; 3脚:基极B 3DG9018的特点如下: 频率特性好 反向漏电小 饱和压降低 电流特性好 封装形式 TO-92 3DG9018极限参数(除非另有规定 Tamb= 25℃ ) 集电极-发射极电压(V CEO ): 15 V 集电极-基 极电压(V CBO ): 30 V 发射极-基 极电压(V EBO ): 5 V 集电极电流 (I C ):

2009-6-13

9018是硅NPN型高频小功率晶体三极管,TO-92塑料封装,其外形和引脚排列如图: 引脚排列:从左至右依次为1、2、3脚 1脚:发射极; 2脚:基极; 3脚:集电极 9018三极管主要参数: 集电极-基极反向击穿电压BVCBO=30V 集电极-发射极反向击穿电压BVEBO=15V 发射极-基极反向击穿电压BVEBO=5V 最大集电极电流ICM=50mA 最大耗散功率PCM=400mW 最高结温TJ=150℃ 贮存温度范围TSTG=-55~150℃ 直流放大倍数HFE=28~200 特性频率f

2009-5-19

MJE13003是主要用于节能灯及荧光灯电子镇流器的高反压大功率开关三极管,硅NPN型,采用TO-126封装,它的外形和管脚排列如下: MJE13003主要参数 集电极-基极电压VCBO 700 V 集电极-发射极电压VCEO 400 V 发射极-基极电压VEBO 9V 集电极电流IC 2.0 A 集电极耗散功率PC 40 W 最高工作温度Tj 150 C 贮存温度Tstg -65-150 C 集电极-基极截止电流ICBO (VCB=700V) 100 A 集电极-发射极截止电流ICEO (V

2009-5-7

MJE13006、MJE13007是高反压大功率开关三极管,硅材料NPN型,适用于开关稳压器、电子变压器、电机控制等功率开关电路。MJE13006/13007采用TO-220外形封装,管脚排列如图所示 管脚排列:1.基极;2.集电极;3.发射极 MJE13006/13007的极限值参数 : 集电极-基极电压V CBO :MJE13006: 600V;MJE13007: 700V 集电极-发射极电压V CEO :MJE13006: 300V;MJE13007: 400V 发射极-基极电压V

2009-5-7

㈠三极管9013引脚图 ㈡三极管9013参数 最大耗散功率(P CM ):0.625W 最大集电极电流(I CM ):0.5A 集电极-发射极击穿电压(V CEO ):25V 集电极-基极击穿电压(V CBO ):45V 发射极-基极击穿电压(V EBO ):5V 集电极-发射极饱和压降(V CE ):0.6V 特怔频率(fr):150MHZ 放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 ㈢贴片9013引脚定义和封装参数

2009-4-13

9015是硅PNP型小功率晶体三极管,与9014可组成对管。9015采用TO-92封装,它的外形和管脚排列如图: 9015三极管的主要参数: 集电极-基极最大反向耐压:50V 集电极-发射极最大反向耐压:45V 基极-发射极最大反向耐压:5V 集电极最大允许电流:100mA 集电极最大耗散功率:0.45W 最高工作结温:150℃ 贮藏温度范围:-55~150℃ 集电极-基极反向漏电流:0.05A (V CB =-50V; I E =0) 基极-发射极反向漏电流:0.05A (V BE =-5V

2009-5-14

1.5V供电的LED手电筒 这个简单的电路将照亮超高亮白光LED全亮度,工作在1.5V电池,电流28毫安。 变压器被缠绕在一个2.6毫米的直径和6mm长的铁氧体芯子。 电路的效率,围绕一个LED的事实,会产生非常高的输出时,发出的脉冲,但整体的电流将小于一个稳定的直流电流。 BC337集电极-发射极额定电压为45V。(BC338具有25V的集电极-发射极电压额定值。)本电路中晶体管两端的电压不超过4V,LED吸收了其上的尖峰脉冲。请勿移除LED,否则变压器尖峰脉冲会损坏晶体管。 该电路将驱动1

2013-11-8

该2N3773/2N6609双极性三极管是音频功率放大对管,用于大功率音频功放电路中。它们也可用于电源开关电路、 DC - DC转换器或变频器等电路中。2N3773/2N6609对管采用TO-204的封装外形,如图所示: 2N3773/2N6609对管的主要参数: 集电极-发射极最高反向耐压VCEO=140V 集电极-基极最高反向耐压VCBO=160V 发射极-基极最高反向耐压VEBO=7V 集电极最大电流IC=16A 基极最大电流IB=4A 耗散总功率PD=150W 结温和贮存温度=-65~

2009-5-15

2SA1215 是PNP型平面硅三极管,它主要应用于音频功率放大器、DC-DC大功率直流变换器等场合。具有高电流能力,高耗散功率,与2SC2921可组成互补对管。 2SA1215外形尺寸: 2SA1215极限参数(绝对最大额定值):(环境温度Ta=25℃) 集电极-基极反向电压V CBO :-160V 集电极-发射极反向电压V CEO :-160V 发射极-基极反向电压V EBO :-6V 集电极直流电流I C :-15A 集电极耗散功率P C :150W 结温Tj:150℃ 贮藏温度Tstg

2009-5-27

2SC2482是东芝NPN型外延型小功率高压开关三极管,它主要用于高压开关和放大器应用、彩电行驱动应用、彩电色度输出应用等。 2SC2482特点 高击穿电压:V CEO = 300 V 小集电极输出电容:Cob= 3.0pF(典型值) 推荐用于彩色电视色度输出和行输出的驱动放大。 2SC2482外形尺寸参考数据 2SC2482绝对最大额定值(Ta = 25℃) 集电极-基极电压 V CBO =300V 集电极-发射极电压 V CEO =300V 发射极-基极电压 V EBO =7V 集电极电流

2009-8-25

3DD13001是硅NPN型小功率开关三极管,主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。采用TO-251封装的3DD13001管脚排列如图: 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 3DD13001主要参数: 集电极最大耗散功率P CM =1.2W (Tamb=25℃) 集电极最大允许电流I CM =0.2A 集电极-基极反向击穿电压BV CBO =600V 集电极-发射极反向击穿电压BV CE

2009-5-7

3DD13005是高反压大功率开关三极管,硅材料NPN型,平面扩散工艺制造,开关速度快,耐压高。主要用于大功率节能灯、日光灯电子镇流器以及其它功率开关电路。采用TO-220封装的3DD13005管脚排列如下图: 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 4. 极限值(除非另有规定Ta=25℃) 参数名称 符号 额定值 单位 集电极-发射极反压 V CEO 400 V 集电极-基极反压 V CBO 700

2009-5-7

3DF50C开关三极管主要用于大功率开关电源电路,封装形式:TO-3PIII,它的封装外形如图: 3DF50C的主要参数:(除非另有规定Tamb=25℃) 集电极-发射极反向击穿电压(V CEO )200V 集电极-基极反向击穿电压(V CBO )250V 发射极-基极反向击穿电压(V EBO )7.0V 集电极最大电流(I CM )50A 集电极最大耗散功率(P CM )500W 最高工作结温(T JM )150℃ 贮存温度范围(T STG )-50 ~ +155℃

2009-8-21

3DG2383(2SC2383)是硅NPN型高频小功率晶体三极管,可与3CG1013(2SA1013)组成互补对管。3DG2383(2SC2383)具有电流容量大、饱和压降低、击穿电压高等特点,采用TO-92MOD封装,其外形和管脚排列如图所示: 3DG2383(2SC2383)极限参数:(除非另有规定 Tamb= 25℃) 集电极-发射极电压 V CEO =160 V 集电极-基极电压 V CBO =160 V 发射极-基极电压 V EBO =6 V 集电极电流 I C =1.0 A 耗散功

2009-5-22

AM发射机电路 电路图 附注: 该电路将声音发射到调幅(AM)频率在中波段。 该电路有两个部分,一个音频放大器和RF振荡器。该振荡器是围绕Q1和相关部件的。电路中L1和C1谐振频率约500kHz到1600KHZ。 Q2是共发射极放大器,C5去耦发射极电阻,这个阶段实现全增益。麦克风是驻极体电容式麦克风,4.7K电位器P1改变AM调制幅度。 天线不是必要的,但也可以使用30cm的导线接在集电极,以增加发射器的范围。

2013-11-12

FZT788B是一个具有高增益的大功率晶体三极管,硅材料PNP型,平面扩散工艺制造。它采用SOT-223封装,外形和引脚排列如下所示: FZT788B具有非常低的饱和压降和等效电阻,在3A工作电流时其CE饱和等效电阻为93m。同时FZT788B有很高的放大能力,在I C =2A时放大系数为H FE =300。 FZT788B主要参数: 集电极-基极最高反向耐压V CBO =15V 集电极-发射极最高反向耐压V CEO =15V 发射极-基极最高反向耐压V EBO =5V 集电极最大电流I CM

2009-5-12

MJE13001是小功率高压高速开关三极管,典型应用:荧光灯电子镇流器。它采用TO-92封装,管脚排列如图: MJE13001主要参数: 集电极-基极最高耐压V CBO =500V 集电极-发射极最高耐压V CEO =400V 发射极-基极最高耐压V EBO =9V 集电极电流I C =0.3A 耗散功率P C =7W 结温Tj=150℃ 贮藏温度T STG =-50~150℃ 直流放大系数H FE =8~40

2009-5-7

MJE13005是高反压高速开关三极管,主要用于大功率节能灯及荧光灯电子镇流器、开关电源、电子变压器及功率开关转换电路等。具有耐高压、开关速度快、安全工作区宽、符合 RoHS 规范等特点。采用TO-262封装的MJE13005外形及管脚排列如下 MJE13005主要参数: 集电极-基极最高反向耐压V CBO :700V 集电极-发射极最高反向耐压V CEO :400V 发射极-基极最高反向耐压V EBO :9V 集电极最大允许电流I CM :5A 集电极最大耗散功率P CM :75W 最高工作

2009-5-7

上电延时继电器 下面是上电延时继电器电路,它接受一个普通的双极晶体管的发射极/基极击穿电压的优势。一个2N3904晶体管的反向连接的发射极/基极结被用作8伏的齐纳二极管,其产生更高的导通电压为达林顿连接的晶体管对。大多数任何双极晶体管都可以使用,但是齐纳电压将在约6至9伏的变化取决于所使用的特定的晶体管。时间延迟是使用47K电阻和100uF的电容大约7秒且可以通过减小R或C值降低。较长的延迟可以用一个更大的电容来获得,定时电阻可能不应该超过47K。该电路应与大多数任何12伏直流继电器工作,具有7

2014-3-15

低电压前置放大器为3伏电源进行了优化。 这是我的音频前置放大器的一个特殊的低电压版本。T1的发射极电压偏置接近电源电压的一半(1.5V),可实现最大输出电压摆幅。这两个晶体管是直接耦合,并已闭环反馈到输入端提高温度稳定性。 T2实现全放大器的电压增益,以及低噪音运行,T2的集电极电流为70uA左右。T1工作在射极跟随器模式,提供了一个良好的低输出阻抗。整体的信噪比在输出端测得如下所示: 电容器C3解耦T2的发射极电阻。如果没有C3 T2的增益将约为R1 / R4。与C3 T2的增益是现在R4

2014-5-6

由分立元件构建音频电平表电路,可以用一个100uA表头与该电路连接。 该电路具有约20Hz到50KHZ的平坦响应。输入灵敏度为100mV,为100uA表头一个满刻度偏转。电路建立在两个共发射极放大器,第一级发射极有一个可调电阻,它可以被调整。最后阶段被偏置在大约一半的电源电压,使得可以到达最大交流电压摆幅。音频频率,都可以通过10u中的隔直流电容器和全波桥式整流器的信号转换为一个可变直流电压。

2014-5-5

单结晶体管(简称UJT)又称双基极二极管,它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件,它的基片为条状的高阻N型硅片,两端分别用电阻接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电路如图1所示。 图1、单结晶体管 一、单结晶体管的特性 从图1可以看出,两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻: rbb=rb1+rb2 式中:rb1----第一基极与发射结之间的电阻,其数值随发射极电流ie而变化,rb2为第二基极与发射结之间的电阻

2008-10-31

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