石英晶体振荡器的基本工作原理及作用 (1)石英晶体振荡器（简称晶振）的结构石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化矽的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑胶封装的。 (2)压电效应 若在石英晶体的两个电极上加一电场

晶体三极管结构 晶体三极管 (Transistor)简称晶体管，也是一种用半导体制成的半导体器件。晶体管有两种结构，分别称为NPN型晶体管和PNP型晶体管。 如果在两块N型半导体之间夹上一块很薄的P型半导体，并且紧密地结合在一起，就可形成一个NPN型晶体管，同样地，如果在两块P型半导体之间夹上一块薄的N型半导体，就可形成一个PNP型晶体管，如下图标 晶体管的电路符号和各三个电极的名称如下 PNP型三极管与NPN型三极管电路符号 三极管的特性曲线 1、输入特性 图2 （b)是三极管的输入特性曲

这是一个置位/复位触发器使用分立元件的一个例子。通电时，只有一个晶体管导通另一个将保持关闭状态。按下导通的晶体管基极上的按钮，这将导致晶体管关闭集电极电压上升，并开启另一个晶体管。 下面是用一个按钮切换双稳态触发器状态的两个例子。当按下该按钮时，连接到导通的晶体管基极的电容将充电到一个稍高的电压。当按钮被释放，该电容会放电回以前的电压导致晶体管关闭。晶体管的集电极电压上升导致另一个晶体管导通并且电路保持在稳定的状态。直到下一次按下按钮并释放。需要注意的是，在LED电路中，从导通的晶体管的基极通

一、50毫瓦3晶体管音频放大器 下面的电路是分立元件功放常采用的形式，您可能会发现在一个小的晶体管收音机中会有类似的音频放大器。 3晶体管音频放大器（50毫瓦） 横跨在两个互补输出晶体管基极之间的二极管是输出晶体管提供偏置电压。3.3欧姆的电阻串联连接在两个输出晶体管的发射极，以稳定偏置电流，并使得温度变化时晶体管电流不会显著变化。如果偏置电流增大，由于电阻的作用，发射极和基极之间的电压减小，从而降低了导通程度。 输入阻抗大约是500欧姆，电压增益约为5，连接8欧姆扬声器获得约50毫瓦功率。较高

单结晶体管触发电路之一 图1（a）是由单结晶体管组成的张弛振荡电路。可从电阻R1上取出脉冲电压ug。 (a) 张弛振荡电路(b) 电压波形 图1 单结晶体管张弛振荡电路 假设在接通电源之前，图1(a)中电容C上的电压uc为零。接通电源U后，它就经R向电容器充电，使其端电压按指数曲线升高。电容器上的电压就加在单结晶体管的发射极E和第一基极B1之间。当uc等于单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管导通，电阻RB1急剧减小（约20），电容器向R1放电。由于电阻R1取得较小，放电很

三种检测晶体谐振器的方法： 测量电容量法 通过用电容表或具有电容测量功能的数字万用表测量石英晶体谐振器的电容量，可大致判断出该石英晶体谐振器是否已变值。例如，遥控发射器中常用的 45kHz、480kHz、500kHz 和 560kHz 石英晶体谐振器的电容近似值分别为296~310pF、350~360 pF、405~430 pF、170-196 pF。若测得石英晶体谐振器的容量大于近似值或无容量，则可确定是该石英晶体谐振器已变值或开路损坏。 用测试电路检测 动手制作一个测试电

说明： 两个简单的测试电路来检查石英晶体的好坏。 笔记 在所述第一电路中，BC548晶体管构成的考毕兹振荡器，通过插入一个晶体调谐频率。一个好的晶体将产生高频振荡，在集电极输出信号由锗OA91二极管整流在仪表将出现偏转。电位器调整偏转灵敏度。 笔记 接下来的电路仍然是一个由晶体控制的考毕兹振荡器。从振荡器输出的信号取自发射极，被倍压整流后，小的直流电压会直接导致第二BC548导通来点亮发光二极管。

单结晶体管的结构 单结晶体管又称为双基极二极管，它的结构如图1所示。在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。两个基极之间的电阻为RBB，一般在2~15kW之间，RBB一般可分为两段，RBB = RB1+ RB2，RB1是第一基极B1至PN结的电阻；RB2是第一基极B2至PN结的电阻。单结晶体管的符号见图1的右侧。 图1 单结晶体管的结构、符号、等效电路 单结晶体管工

或许你会疑惑一个晶体管怎么做成振荡电路的？可是它就是只有一个晶体管，关键在于电路中用到一个自闪烁的LED。 电路图 元器件连接图 这种闪光电路使用一个单一的驱动晶体管（三极管），闪光频率取决于自闪烁的LED。照片中三极管驱动的LED是直径为3mm的高亮度白色LED，它的亮度可以调整，通过改变100uF电解电容、4K7电阻或10K、1K电阻。 1K电阻用于100uF电容放电，这样当晶体管导通时，充电电流使得白光LED发光。如果将这个电阻换做10k，电容放电不完全，LED闪烁亮度降低。照片中完全显示

一、单极型晶体管 单极型晶体管也称 场效应管 ，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。 特点： 输入电阻高，可达10 7 ~ 10 15 ，绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 10 15 。 噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。 分类： 根据材料的不同可分为 结型场效

下面的电路需要一个双刀双掷继电器与单个晶体管一起使用，以允许用一个瞬时按钮切换继电器。一组继电器触点被用来控制负载，而另一组触点是用来提供反馈，以保持激活或去激活继电器。几个按钮可以并联连接，以允许从不同的位置切换继电器。 在停用状态，12V电源通过3.3K电阻和继电器触点给1000 uF的电容充电至约2.7伏。当开关被按下时，电容器电压通过电阻560加到晶体管基极，该晶体管导通，并启动继电器。在激活状态时，电源电压通过3.3K的电阻、继电器触点和560欧姆的电阻提供给晶体管的基极电压保持继电

一、单结晶体管的结构和等效电路 单结晶体管的外形 很象晶体三极管，它也有三个电极，称为发射极 e，第一基极b 1 ，第二基极b 2 ，又叫双基极二极管。因为只有一个PN 结所以 又称为 单结晶体管 。外形及符号如图(a)、(b)所示。图中发射极箭头指向b 1 ，表示经PN结的电流只流向b 1 极。 单结管的等效电路如图 (C)所示，r b1 表示e与b 1 之间的等效电阻，它的阻值受e-b 1 间电压的控制，所以等效为可变电阻。两个基极之间的电阻用 R bb 表示，即： R bb =R b1 +

这是对非稳态多谐振荡器的变体。电路是最近开发的用于测试N-氧化物半导体场效应晶体管（如IRF830那种功率管） 电路可以测试所有的坏MOSFET或所有故障MOSFET。如果MOSFET工作，将工作在非稳态多谐振荡器电路使LED闪烁。 一个坏的MOSFET不会导致LED闪烁。 下面是电路图，非稳态的另一半利用一个NPN晶体管，使得电路便宜。几乎所有的NPN晶体管能够工作在这个电路。 右边的NPN晶体管作为一级缓冲放大，驱动LED闪烁。

4晶体管音频放大器 概要 上面的电路显示了一个4晶体管的实用放大器适合用于各种项目，包括接收器，对讲机，话筒，电话机，和一般的音频监控。该放大器具有电源隔离电路和带宽的限制，以减少振荡，汽船声。元器件数值如图所示，这些不是特别关键的，适度的偏差将不会显著地降低性能。 该电路驱动一个小型8欧姆扬声器。电源使用5V输出电压的电源适配器。也可以使用锂离子电池，提供约4.5伏电源。 该放大器可进行修改，以适应9伏电池供电，需要调整输出晶体管的偏置点。将电路中第二个晶体管的基极连接到地的33K电阻替换成

该音频功率放大器可在4到16欧姆扬声器提供高达200W的一流音质。工作电压为24和36V之间，最大5A电流，频率响应是从20到20000赫兹。请把晶体管和集成电路固定牢固，单独安装足够面积的散热器。 散热器注意保持绝缘，不能有任何电气连接！晶体管必须和散热器良好接触并固定牢固！晶体管是这个大功率放大器的重要元件，产生热量比较多。 200W功率放大器的电路原理图 电源应足够强大以满足放大器的功率消耗，最大电流可以高达5A。 该放大器输入灵敏度约500至800mV。因此，连接输出电平较低的声源，有必

晶体管特性曲线描绘仪电路主要由锯齿波发生器、阶梯波发生器组成（图(a)）。因为描绘晶体管特性需要两种电压，一是加在b极上的阶梯波，以产生不同的基极电流Ib；二是加在c极上的锯齿波，其周期与阶梯波相对应．以描绘出晶体管的输出特性曲线，即Ic-Vce特性曲线。 锯齿波发生器由多谐振荡器(IC(555)、R1、R2、C1)和积分电路(C2、R3)组成。其中多谐振荡器的振荡频率为f=1.44/(R1 2R2)C1，图示参数对应的振荡频率为f=1100Hz。其输出的脉冲信号经过积分器(C2、R3)积分

通过使用一个额外的功率晶体管共享总电流的一部分该LM317T输出电流可以增加。 连接在晶体管发射极和基极的电阻限制最大电流。在下面的图中，总电流被限制在大约4.3安培。此稳压电路在满负荷运行时，输入电压需要高于输出电压约5.5伏。功耗大约23瓦，所以需要相当大的散热片，可能需要同时为调节器和功率晶体管散热。滤波电容的大小可以近似在C = IT / E其中，I是电流，T是半周期时间（8.33毫秒，在60赫兹），而E是下降的电压将发生在一个半周期。负载电流在4.3安培时为了保持低于1伏的电压纹波，一

这基本上是从一个硫化镉光电池接收输入和控制，可用于在黎明和黄昏切换和关闭路灯继电器的施密特触发器电路。我已经建立的电路具有一个120欧姆/12伏特继电器和使用灯调光器的监视性能，但没有中继连接到外部的光。 光电池与灯之间应该被屏蔽，以防止反馈，通常安装在灯的反射镜的上方，指着向上的天空使灯光不照射到光电池。 在所需的环境光水平，光电池和电位器串联连接的连接点（和晶体管的基极）上的电压可以被调整到大约电源的一半。两个PNP晶体管都具有一个共同的发射极电阻为正反馈连接，一个晶体管导通时，另一个将关闭

功率晶体管包括三极管和二极管，其典型的封装形式是THM（Through-HoleMount，引脚插入式）插脚型封装，即使是在SMD（SurfacdMountingDevice，表面贴装元件）大行其道的今天也是如此，因为实践证明这种形式的封装既可靠又利于独立散热片的安装和固定。晶体管THM封装以TO（TransistorOutline，晶体管封装）为主要形式，而SMD形式的，以有引脚的为主要形式，IR（InternationalRectifier，国际整流器）开发的DirectFET封装则是其中的

单结晶体管（简称UJT）又称双基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用电阻接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电路如图1所示。 图1、单结晶体管 一、单结晶体管的特性 从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻： rbb=rb1+rb2 式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻

如图所示为单节晶体管性能检测电路。 被测单结晶体管VBT(如：BT33)与R3、C2组成张弛振荡器。VBT在导通时，三极管VT1通过偏置电阻R2获得偏置电流(此时S1断开，S2闭合)，发光二极管H1发光。+10V电源通过R3经VD2向C2充电。电压表V可以测量出C2两端的电压会随着时间的推移在不断上升，E端电位达到VBT的峰值电压时，VBT的E～B1间便自动导通，电容C1上的电压经E～B1放电，使三极管VT1的发射结受反偏截止，H1熄灭。如果被测单结晶体管VBT是好的，电容C1就会周而复始地充电

晶振测试仪 该电路用于测试从1MHz到30MHz的晶体振荡器的好坏。 当晶体振荡时，高频输出信号将通过两个二极管倍压整流，打开第二个晶体管，这将点亮LED。 制作一个插座，连接晶振比较方便。

一般我们都是用５５５时基电路组成RC振荡器，用５５５也可以组成稳定的石英晶体振荡电路。如图所示 将Ａ、Ｂ二点短接或夹接一小电阻，则构成一无稳态多谐振荡器，其振荡频率为 f=1.44/R 1 C 1 选择R 1 C 1 使f接近于晶体的固有振荡频率，然后如图接好，将使电路牵引至晶体振荡频率或其揩波频率上振荡。 若起振不好，可调节可变电容C 3 。若将时间常数RC增加N倍，则５５５的振荡频率为晶振频率的1/n。

一、术语解释 1、 标称频率：晶体技术条件中规定的频率，通常标识在产品外壳上。 2、 工作频率：晶体与工作电路共同产生的频率。 3、 调整频差：在规定条件下，基准温度（252℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 4、 温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（252℃）时工作频率的允许偏差。 5、 老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。 6、 静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用C0表示。 7、 负载

该小功率调频发射器采用了晶体谐振器（晶振）稳频，频率稳定性很好，长期工作也不会跑频。电路图如下： 电路中J．、VD1、L1、C3~C5、V1组成晶体振荡电路。由于晶体谐振器J的频率稳定性好，受温度影响也较小，所以广泛用于无绳电话及AV调制器中。Vl是高频振荡三极管，振荡频率为晶振的谐振频率，其发射极输出含有丰富的谐波成分，经V2放大后，在集电极由C7、L2构成谐振于88-108MHz的网络选出3倍频信号(即87~108MHz的信号最强)，再经V3放大；L3、C9选频后得到较理想的调频频段信

晶体二极管简称二极管，它和晶体三极管一样都是由半导体材料制成的。所谓半导体，是指导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质，常用的半导体材料有硅和锗。我们常听说的美国硅谷，就是因为起先那里有很多家半导体厂商。 半导体材料有两个显著特性：一是导电能力的大小受杂质含量多少影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的硼，导电能力就可以提高50万倍以上；二是导电能力受外界条件的影响很大，如温度、光照的变化，都会使它的电阻率明显改变。利用这些特性，可以制造出用途广泛、各具特点、功能不一的半导体器件。 由于绝大多数半导

前级放大电路的工作位置处于信号源与功率放大器之间，它的主要作用是补偿放音系统的增益、使信号源与功率放大器信号匹配、平衡与非平衡信号的转换，同时有调相作用。 前级平衡放大电路通常可以由运算放大器或晶体管分立元件组成，由于运算放大器的一些技术指标限制，笔者决定使用晶体管分立元件设计一款性能较高的前级平衡放大电路，如图1所示。 音频线路传输分析 1.音频线路信号的0dBm电平 0dBm电平是指在600的负载电阻上耗散了1mW的功率，表示是0dBm电平强度，通过有关的换算所得，在600的负载电阻上产生

这个施密特触发振荡器采用3个晶体管、6个电阻器和1个电容器，以产生一个方波。脉冲波形可以用一个额外的二极管和电阻（R6）来生成。Q1和Q2都与一个共同的发射极电阻（R1）连接，使得一个晶体管的导通将导致其它要关闭。Q3由Q2控制，并提供从集电极的方波输出。 在操作中，通过反馈电阻（RF）对输出电压的定时电容充电和放电。当电容电压上升到高于在Q2的基极电压时，Q1开始导通，从而引起Q2和Q3关闭，输出电压将下降到0。这反过来又产生在Q2的基极电压较低，并导致电容器开始朝着0放电。当电容器的电压低

本教程是制作简单的FM发射器只使用一个晶体管。VC1是一种小型，螺丝可调，微调电容器，其额定值应在10-100pF。设置您的FM接收器在一个清晰的，空白的频率。然后，用非导电性的工具，调节电容器，将其旋转，直到接收器接收到来自发射器的麦克风的声音。用于确定频率下面的公式。 以下显示了用于进行FM发射器的组件。 晶体管2N3904 电容4.7pF，20pF，0.001UF，22nF。 对于VC1您可以使用微调电容器，看起来像这样： 电阻4.7K，470R 电容式驻极体麦克风 电感0.1uH，使用

本篇介绍一些基本的双晶体管闪光器电路，这些电路构成简单，具有一定的通用性，适用于多种应用电路，包括低电量指示灯、多元化的电路防雷器、离线开关电源、微功耗高电压电源、电容探头、雨刷器、灯调光器、警笛等等。简单的电路可用于在非常低的频率，RF频率，低电压，通过仔细选择晶体管还可用于非常高的电压。功率处理能力和功耗也容易修改，以适应需求。 该电路是非常适合初学者！如果你建立它，它会闪烁。而且你可以很容易地改变导通时间和闪光速度。 基本闪光电路如下所示。请注意，这是一个两线电路，负载与电路串联然后简单的